説明

Fターム[5F033MM13]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 配線構造、形状の特徴点 (15,803) | 配線の断面構造 (9,197) | 2種類以上の導電層よりなる配線 (8,898) | バリア層を含むもの (2,960)

Fターム[5F033MM13]に分類される特許

221 - 240 / 2,960


【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第1の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第1の表面積Sと各複数の凹部の側壁の面積を含まない第2の表面積Sとの表面積比Sr=S/Sに基づき補正した第1の電流密度でめっき処理を行う工程(S104)を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるCuにAlを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるCuにAlを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。そして、第二の銅合金配線のAlの濃度は、第一の銅合金配線の前記Alの濃度未満である。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にCuを埋め込むことができ、かつ低抵抗のCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202において、トレンチ203の表面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上に、加熱しつつ、PVDによりCuがマイグレーションするようにCu膜206を形成してトレンチ203を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてX線に対して回折ピークを持つ金属層にX線を照射して得られる回折ピークを入手するステップA、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップB、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップCを具備する。 (もっと読む)


【課題】配線及び絶縁膜へダメージを与えることなく、絶縁膜上の導電性の不純物によるめっきの異常成長を抑制することができる表面被覆方法、並びに該方法を用いて製造される半導体装置、及び実装回路基板の提供。
【解決手段】水溶性樹脂、有機溶剤、及び水を含有する表面被覆材料を、表面に露出した絶縁膜及び表面に露出したパターニングされた金属配線を有する積層体の少なくとも前記絶縁膜の表面を覆うように塗布し、前記絶縁膜の表面に被膜を形成する表面被覆方法である。 (もっと読む)


【課題】銅ヒューズに起因する故障または特性悪化を抑制または防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、銅ヒューズ4と、半導体基板1と銅ヒューズ4との間に配置された銅膜からなるシール膜7,8と、銅ヒューズ4よりも上の層に形成された銅以外の金属材料膜からなり、銅ヒューズ4の両端にそれぞれに接続された最上層配線501,502と、シール膜7,8に結合され、銅ヒューズ4の周囲を取り囲む筒状に形成された銅シールリング6とを含む。 (もっと読む)


【課題】埋め込み電極プラグからの応力伝播による半導体装置の特性変動、および、埋め込み電極プラグからの電気的雑音伝播による、半導体装置の動作不安定化を防止する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された半導体素子を有する素子形成領域と、半導体基板を貫通するように設けられた1以上の埋め込み電極プラグと、素子形成領域と埋め込み電極プラグの間の半導体基板内に位置するトレンチ内に埋め込まれた溝型電極と、を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の性能と信頼性を向上させる。
【解決手段】nチャネル型MISFETQn1,Qn2を覆うように半導体基板1上に引張応力膜としての窒化シリコン膜5を形成する。窒化シリコン膜5は窒化シリコン膜5a,5b,5cの積層膜である。窒化シリコン膜5a,5bの膜厚の合計は、サイドウォールスペーサSW1とサイドウォールスペーサSW2との間の間隔の半分よりも小さく、窒化シリコン膜5a,5bは、成膜後に紫外線照射処理を行って引張応力を増大させる。窒化シリコン膜5a,5b,5cの膜厚の合計は、サイドウォールスペーサSW1とサイドウォールスペーサSW2との間の間隔の半分以上であり、窒化シリコン膜5cに対しては紫外線照射処理を行わない。 (もっと読む)


【課題】孤立パターンに銅の化合物が析出するのを抑制する半導体装置の製造方法と、半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置では、素子・基板層ESLの低誘電率膜LOW1、ファイン層FLの極低誘電率膜ELK1等およびセミグローバル層SGLの低誘電率膜LOW2等のそれぞれの開口部に形成されるアライメントマークAMおよび重ね合わせ検査マークKMが、半導体基板SUBに形成された所定の導電型の不純物領域IRに電気的に接続されて、アライメントマークAMおよび重ね合わせ検査マークKMが接地電位に固定されている。 (もっと読む)


【課題】封止される被対象物に段差部を備えているが、封止部を設けた際に該段差部に起因したボイドの発生が抑制され、ひいては優れた耐食性を備える半導体装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置1は、導電性を有する剛体からなる基板2と、該基板の少なくとも一方の面に絶縁部3を介して配された導電部5と、該絶縁部及び該導電部を覆うように配された感光性樹脂からなるフィルム6と、を備えている。前記基板2は、一方の面に開口する凹部及び/又は貫通孔2aを備え、該凹部及び/又は該貫通孔はその内部が略全域にわたって、前記フィルム6により充填されている形態をなす。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の金属配線を高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、第1の配線材、開口部、及び電極端子部が設けられる。第1の配線材は、半導体基板上の第1の層間絶縁膜上に設けられ、配線層として用いられる。開口部は、第1の配線材上に設けられた第2の層間絶縁膜をエッチングして形成される。電極端子部は、開口部及び開口部周囲の第2の層間絶縁膜上に設けられ、第1の配線材に接するバリアメタル膜、シードメタル膜、及び第2の配線材が開口部を覆うように積層形成され、第2の配線材の上部及び側面に被覆メタル膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】容量素子の容量の増大が実現される半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板(半導体基板1)と、半導体基板1上に形成されており、配線および絶縁層により構成された配線層が複数積層された多層配線層と、平面視において、半導体基板1内の記憶回路領域に形成されており、多層配線層内に設けられた凹部40内に埋め込まれた少なくとも1以上の容量素子19および周辺回路を有する記憶回路200と、平面視において、半導体基板1内の記憶回路領域とは異なる領域である論理回路領域に形成された論理回路100と、当該凹部40内において、下部電極14、容量絶縁膜15、及び上部電極16から構成される前記容量素子19上に積層している上部接続配線18と、容量素子19が埋め込まれている配線層のうち最上層に設けられた論理回路100を構成する配線8bの上面に接するように設けられたキャップ層6cと、を備え、上部接続配線18の上面30とキャップ膜6cの上面34とが、同一面を構成している。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の小型化、特に、狭ピッチ化に対する技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ1C上に設けられたパッド2と、プローブ領域10Aおよび接続領域10Bのパッド2上に開口部11を有し、半導体チップ1C上に設けられたパッシベーション膜3と、接続領域10Bのパッド2上に開口部12を有し、パッド2上およびパッシベーション膜3上に設けられたパッシベーション膜5と、パッド2と電気的に接続され、接続領域10B上およびパッシベーション膜5上に設けられた再配線7とを備える。接続領域10Bより半導体チップ1Cの外周部側に設けられたプローブ領域10Aのパッド2にプローブ痕100が存在し、接続領域10Bから半導体チップ1Cの中央部側に延びて再配線7が存在している。 (もっと読む)


【課題】特性の良好な半導体装置を製造する。また、スループットを向上させ、製造コストを低減する。
【解決手段】開口部OA1および絶縁膜(21、23)上に銅のCuシード層27を形成する工程と、Cuシード層上に、フォトレジスト膜を形成する工程と、Cuシード層上に、メッキ成長により銅膜31aを形成する工程と、銅膜上に、Ni膜31bを形成する工程と、により、再配線31を形成する。この後、再配線31上の開口部(OA2、パッド領域)にAu膜33bを形成した後、フォトレジスト膜を除去し、Ni膜31bに不動態化処理を施す。この後、再配線31の形成領域以外のCuシード層27をエッチングする。かかる工程によれば、Ni膜31bの表面に不動態化膜35が形成され、上記エッチングによるNi膜31bの膜減りを低減できる。また、膜減りを考慮したNi膜の厚膜化による基板の歪みによる不具合を低減できる。 (もっと読む)


【課題】論理回路の動作特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、多層配線層と、第1能動素子3a、容量素子19および周辺回路を有する記憶回路200と、第2能動素子3bを有する論理回路100と、記憶回路領域200に形成されており、能動素子3aと容量素子19とを電気的に接続する容量コンタクト13cと、論理回路領域100に形成されており、能動素子3bと第1配線8aとを電気的に接続する接続コンタクト13aと、を備え、第1配線8aは、容量素子19が埋め込まれた配線層のうち最下層の配線層の層間絶縁膜7aに位置しており、接続コンタクト13aは、容量コンタクト13cと同一層に設けられており、第1配線8aと接続コンタクト13aは、デュアルダマシン構造を有している。 (もっと読む)


【課題】配線中に残留した不純物金属の濃度が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の形成された絶縁膜の表面に所定の金属元素を含む前駆体膜を形成し、前駆体膜上に配線形成膜を堆積させ、酸化雰囲気下で熱処理を施すことにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面に所定の金属元素と絶縁膜の構成元素を含む化合物を主成分とする自己形成バリア膜を形成し、未反応の所定の金属元素を配線形成膜内に拡散移動させて配線形成膜表面で雰囲気中の酸素と反応させ、未反応金属酸化膜として析出させ、未反応金属酸化膜を除去し、未反応金属酸化膜を除去する工程の後、配線形成膜上に、配線形成膜と同一の材料を堆積させて、配線形成膜を積み増した後、凹部外の絶縁膜が露出するまで配線形成膜を平坦化して配線構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したCu膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜10に配線形成用溝31を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝31が形成された層間絶縁膜10上の全面にバリアメタル膜14を形成する。Cu膜形成工程では、配線形成用溝31間の層間絶縁膜10上の膜厚に比して配線形成用溝31内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜14上にCu膜15を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜14上のCu膜15をリフローさせ、配線形成用溝31内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝31間の層間絶縁膜10上のバリアメタル膜14をCMP法によって除去する。 (もっと読む)


【課題】本実施形態は、配線形状の制御が容易になり、且つ、配線間を埋める絶縁膜表面の段差が回避できるような半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、配線領域と非配線領域とを有する第1の絶縁膜において、配線領域に溝を形成し、第1の絶縁膜の上面と溝の底面及び側壁とを覆うように配線材料を堆積し、配線材料をエッチングすることにより、溝中に、溝と平行に、且つ、側壁と離して配置された複数の配線を形成し、第1の絶縁膜の上面と複数の配線の上面とを覆い、且つ、配線の間と側壁と側壁に隣り合うように配置された配線との間とを埋め込むように、第2の絶縁膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Mn0.05〜5wt%を含有し、Sb,Zr,Ti,Cr,Ag,Au,Cd,In,Asから選択した1又は2以上の元素の総量が10wtppm以下、残部Cuである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 (もっと読む)


【課題】隣接するビット線同士の短絡が抑制されており、かつ層間絶縁膜が平坦に研磨された半導体装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子MRDが複数配置されたメモリセル領域と、平面視においてメモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える。磁気抵抗素子MRDは、磁化固定層と磁化自由層とトンネル絶縁層とを含んでいる。磁気抵抗素子MRDの上方には、主表面に沿った方向に向けて延びる複数の第1の配線BLを有している。上記周辺回路領域には、第1の配線BLと同一レイヤにより構成される第2の配線BL2と平面視において重なるように、磁化自由層と同一材質の層、トンネル絶縁層と同一材質の層および磁化固定層と同一材質の層が積層された積層構造DMMが配置されている。積層構造DMMは、周辺回路領域にて平面視において隣接する1対の第2の配線BL2の両方と重ならない。 (もっと読む)


221 - 240 / 2,960