【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したＣｕ膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜１０に配線形成用溝３１を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝３１が形成された層間絶縁膜１０上の全面にバリアメタル膜１４を形成する。Ｃｕ膜形成工程では、配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上の膜厚に比して配線形成用溝３１内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜１４上にＣｕ膜１５を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜１４上のＣｕ膜１５をリフローさせ、配線形成用溝３１内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上のバリアメタル膜１４をＣＭＰ法によって除去する。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、配線形状の制御が容易になり、且つ、配線間を埋める絶縁膜表面の段差が回避できるような半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、配線領域と非配線領域とを有する第１の絶縁膜において、配線領域に溝を形成し、第１の絶縁膜の上面と溝の底面及び側壁とを覆うように配線材料を堆積し、配線材料をエッチングすることにより、溝中に、溝と平行に、且つ、側壁と離して配置された複数の配線を形成し、第１の絶縁膜の上面と複数の配線の上面とを覆い、且つ、配線の間と側壁と側壁に隣り合うように配置された配線との間とを埋め込むように、第２の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】タングステン膜を使用した部分の抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板内に設けた開口部内、又は基板上にタングステン膜を形成する。タングステン膜の形成後、エッチバック又はエッチングを行う前にタングステン膜に対してアニール処理を行う。これにより、タングステン膜の結晶状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のエッチングを精度良く行い、再生率を低減させる
【解決手段】基板にトランジスタを形成し、トランジスタを覆うように第１層間絶縁膜２２を形成する。さらに、第１層間絶縁膜２２の上方に形成したレジスト膜２７を用いて第１層間絶縁膜２２をエッチングし、トランジスタのソース／ドレイン領域に到達するコンタクトホール３１を形成する。この際、レジスト膜２７の開口部２７Ａの半径ｒと、開口部２７Ａが設計位置からずれている位置ずれ量ΔＸとを測定し、コンタクトホール３１に必要な半径Ｒｘと、コンタクトホール３１を形成可能な限界距離Ｓとから、ｒ＋ΔＸ−Ｓ＜ＥＳ＜ｒ−Ｒｘを満たす半径差ＥＳを決定し、半径差ＥＳからエッチング条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】配線の絶縁膜内へのＣｕ溶出を抑制すると共に、配線間におけるショートの発生を抑止し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＣＭの半導体装置において、ベアチップ１，２間を接続する配線４ａをＣｕ材料１３を用いてダマシン法で形成する際に、上面が有機絶縁膜１１の表面から上方に突出し、上面の配線幅方向の中央部位が端部位よりも厚い配線４ａを形成し、配線４ａのＣｕ材料１３上のみにメタルキャップ膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率が低く、かつ信頼性の高いバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。
【解決手段】半導体装置１００は、層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０中に設けられた配線２０と、層間絶縁膜１０上および配線２０上に設けられたＳｉＮ膜３０と、を備え、ＦＴＩＲによって測定したＳｉＮ膜３０のＳｉ−Ｎ結合のピーク位置が８４５ｃｍ^−１以上８６０ｃｍ^−１以下である。これにより、配線金属の拡散を防ぐためのバリア絶縁膜である窒化シリコン膜において、リーク電流を抑制することができる （もっと読む）

【課題】絶縁膜に発生するクラックを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】実施の形態におけるパッド構造では、単に電極層ＯＰＭ１の周縁部が、平面視において、パッドＰＡＤ１の周縁部よりも内側に位置する（図８ではパッドＰＡＤ１の周縁部と絶縁膜ＰＡＳに形成された開口部ＯＰ１の端部との間に位置する）ように電極層ＯＰＭ１を形成するだけでなく、図８に示すように、パッドＰＡＤ１の厚さをＡとし、絶縁膜ＰＡＳの厚さをＢとし、開口部ＯＰ１内から絶縁膜ＰＡＳの端部（開口部ＯＰ１の周囲）上にはみ出す電極層ＯＰＭ１のはみ出し量をＣとし、電極層ＯＰＭ１の厚さをＤとした場合に、Ｂ≒Ｄ（図８ではＢ＜Ｄ）を前提として、Ａ＜Ｂの関係を成立させることにより、Ｂ＞Ｃの関係を成立させている。これにより、絶縁膜ＰＡＳにクラックが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得る。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、配線メタル２が設けられている。配線メタル２上に金メッキ４が設けられている。金メッキ４は、ボンディングパッド部５と配線部６を有する。ボンディングパッド部５及び配線部６を覆うように金メッキ４上に連続してＳｉＮ膜７が設けられている。ボンディングパッド部５上においてＳｉＮ膜７にコンタクトホール８が設けられている。ボンディングパッド部５と配線部６の間において金メッキ４に段差が設けられている。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して生産性を向上できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層１にトレンチ２０を形成する工程と、トレンチ２の内壁およびトレンチ２外の表面を覆うように半導体層１上に絶縁膜３を形成する工程と、トレンチ２を埋め尽くし、トレンチ２外の絶縁膜３上に堆積されるように導電性のポリシリコン膜４を形成する工程と、トレンチ２内、およびトレンチ２外の絶縁膜３上の所定領域にポリシリコン膜４が残るように、当該ポリシリコン膜４を選択的に除去するポリシリコンエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の電極がはんだバンプを介して接続パッドに電気的に接続されているとともに、エレクトロマイグレーションが効果的に抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の電極３の外周の一部に電子回路２が直接に接続されてなる半導体素子と、半導体素子の電極３と対向して配置された接続パッド５を備える配線基板４と、電極３と接続パッド５との間に介在して、電極３および接続パッド５に接合されたはんだバンプ６とを備え、電極３とはんだバンプ６との界面に沿って、電極３の外周の電子回路２が接続されている一部に接した部分において他の部分よりも厚いニッケル層７が介在している半導体装置である。ニッケル層７の厚みの差に応じた電気抵抗差によって、半田バンプ６に流れる電流の電流密度を均一化し、電流の集中によるマイグレーションを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブによりビアプラグを構成する半導体装置の製造方法において、製造効率を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜中にビアホールを形成し、ビアホールの底に触媒粒子３ｃを付着させる。ビアホール中において触媒粒子を起点に、カーボンナノチューブを絶縁膜の表面を超えて成長させ、複数のカーボンナノチューブよりなるカーボンナノチューブの束を形成する。絶縁膜上に前記カーボンナノチューブの束を覆って、誘電体膜の塗布液を塗布し、絶縁膜上における塗布液の厚さを、絶縁膜上における塗布膜の表面の高さが絶縁膜表面におけるカーボンナノチューブの高さ以下になるように減少させる。厚さが低減された塗布膜を硬化させて誘電体膜４Ｄを形成し、誘電体膜を除去して絶縁膜の表面を露出させ、絶縁膜の表面に、カーボンナノチューブによりビアプラグ４ＶＡ，４ＶＢを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルとロジックを混載したＬＳＩデバイスにおけるアスペクト比の大きいコンタクト構造において、素子分離絶縁膜および不純物拡散層のオーバエッチングを抑制して、接合リークを抑制することを課題とする。
【解決手段】周辺ＭＯＳトランジスタを覆う第１エッチングストッパ層１２１と、ＤＲＡＭメモリセルのキャパシタ部上層に第２エッチングストッパ層１２２が形成され、周辺ＭＯＳトランジスタの不純物拡散層１１３は、第１、第２エッチングストッパ層１２１、１２２を貫通する電極層１３１により、上記キャパシタ部上層に形成された金属配線層と接続され、不純物拡散層１１３の少なくとも一つは素子分離絶縁膜１０２の境界上に電極層１３１を接続し、素子分離絶縁膜１０２上に形成された電極層１３１の底部の不純物拡散層１１３表面からの深さ寸法は、不純物拡散層１１３の接合深さ寸法もより短く形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの微細化による半導体装置の高集積化と、スルーホール内に埋め込まれる導体のカバレッジ性と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置は、下層配線２と、下層配線２上に形成され、下層配線２の上面を露出させる開口３１を有する第１絶縁膜（例えば、有機絶縁膜３）と、第１絶縁膜上に形成され、スルーホール５が形成された第２絶縁膜（例えば、無機絶縁膜４）とを有する。半導体装置は、更に、スルーホール５に埋め込まれ、下層配線２と電気的に接続された導体９を有する。開口３１は、上側に向けて拡径するテーパー形状に形成されている。スルーホール５の側壁５ａの少なくとも下端は、開口３１の側壁３１ａを構成する傾斜面の上に位置している。 （もっと読む）

【課題】同層配線間の容量及び、上下層配線間の容量を低減し、配線間領域の実効誘電率を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成された第１の絶縁膜１０１と、第１の絶縁膜１０１の上部に埋め込まれた複数の第１の配線１２０と、第１の絶縁膜１０１上及び複数の第１の配線１２０上に形成され、開口部を有するライナー絶縁膜１０４と、ライナー絶縁膜１０４上に形成された第２の絶縁膜１０７と、第２の絶縁膜１０７の上部に埋め込まれた複数の第２の配線１１０とを備える。第１の絶縁膜１０１における、第１の配線１２０の間であって、ライナー絶縁膜１０４の開口部と重なる部分には、絶縁膜によって塞がれたエアギャップ１０８が形成されており、第２の絶縁膜１０７の比誘電率は２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層ＢＭは、処理対象物Ｗを一方の導電層ＣＬ１を有するものとし、この処理対象物と、例えばＴｉ製のターゲット２とを真空処理室１ａ内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第１金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第１金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体構造同士を直接結合する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、半導体構造同士を直接結合する方法を含む。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ間の境界面に、キャップ層を提供することができる。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ内に、不純物が提供される。そのような方法を使用して、結合された半導体構造が形成される。 （もっと読む）