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Fターム[5F033MM13]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 配線構造、形状の特徴点 (15,803) | 配線の断面構造 (9,197) | 2種類以上の導電層よりなる配線 (8,898) | バリア層を含むもの (2,960)

Fターム[5F033MM13]に分類される特許

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【課題】本発明は、アルミ配線パターンに含まれるアルミニウムと銅配線に含まれる銅とが反応して高抵抗の合金が生成されることを防止した上で、導電膜である窒化チタン膜に起因する半導体基板の反りを低減することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第2の層間絶縁膜18に形成されたコンタクト孔27により露出された銅配線16の上面16aを覆うように、窒化チタン膜を含む第1の導電膜21を設けると共に、アルミ配線パターン23と第1の導電膜21及び第2の層間絶縁膜18との間に、窒化チタン膜を含まない第2の導電膜22を設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧
のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上の平坦化層と、該平坦化層の上面もしくは下面に設けられる
と共に前記平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層を備えた半導体装
置であって、これら平坦化層及びバリア層の位置関係を工夫することにより平坦化層に及
ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極の構造
として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を低下させることなくLDMOSFETを有するチップの面積を縮小する。
【解決手段】LDMOSFETのソース領域と基板1の裏面に形成されたソース裏面電極36とを電気的に接続するp型打ち抜き層4を不純物を高濃度でドープした低抵抗のp型多結晶シリコン膜もしくは低抵抗の金属膜から形成する。そして、LDMOSFETの基本セルのソース同士を電気的に接続するソース配線は配線24Aのみとし、ソース配線を形成する配線層数は、ドレイン配線(配線24B、29B、33)を形成する配線層数より少なくする。 (もっと読む)


【課題】低コストで、かつ簡便な方法で、コンタクトプラグ上に形成される銅配線の上面にヒロックが生じて短絡が発生することを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線13を覆う層間絶縁膜15の上面に、層間絶縁膜よりもエッチング速度の遅いエッチングストッパ膜16を形成する。エッチングストッパ膜のうち、配線と対向する部分を貫通する第1の開口部16Aを形成する。エッチングストッパ膜よりも層間絶縁膜がエッチングされやすい条件を用いて、配線の上面が露出するまで第1の開口部の下方に位置する層間絶縁膜をエッチングして、第1の開口部と共にコンタクトホールを構成する第2の開口部15Aを形成する。第1の開口部を埋め込むように、コンタクトホール内に導電膜を成膜することでコンタクトプラグ27を形成する。電解メッキ法により、コンタクトプラグの上面と接触する銅配線39を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体層の表面から貫通孔絶縁層が後退した場合においても、半導体層と貫通電極との絶縁性を確保する。
【解決手段】貫通孔6には、貫通孔絶縁層7、8を介して貫通電極9が埋め込まれ、貫通孔絶縁層7、8は、半導体層3の表面から後退するようにして形成され、半導体層3と貫通電極9との間には、貫通孔絶縁層7、8の後退部分の対応した凹部10が形成され、貫通電極9の側壁には、凹部10に埋め込まれたサイドウォール絶縁膜12が形成される。 (もっと読む)


【課題】ヴィアのダメージを抑制することが可能な構造及び方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置を形成するための構造は、半導体基板と、ベースキャップ層210と、配線層の形成のための絶縁体層215と、絶縁体層上に形成されたハードマスク層220とを備え、ヴィアがハードマスク層及び絶縁体層の少なくとも一部を貫通して形成され、ヴィアが金属又は金属化合物を含有した犠牲材料で埋められている。 (もっと読む)


【課題】工程数の増大を抑制しつつ、チップ上に形成された再配線または突出電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線2bおよびパッド電極2aが形成された半導体基板と、半導体基板上に形成された応力緩和層4と、応力緩和層4上に合金シード膜5を形成した後、応力緩和層4と合金シード膜5とを熱処理にて反応させることで、応力緩和層4と合金シード膜5との間に反応性バリア絶縁膜6を形成する。再配線8または突出電極は合金シード膜5上に形成する。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。
【解決手段】絶縁膜の上にバリア層・密着層を形成し(S1)、その上に遷移金属からなるシード層を形成する(S2)。シード層の上にSiO膜及びフォトレジスト膜を順次形成し(S3、S4)、フォトレジスト膜、SiO膜をパターニングして開口を形成し(S5,S6)、開口内にCu膜及びマスクAl膜を積層する(S7、S8)。次に、SiO膜をエッチング(S9)、露出したシード層をその膜厚方向に異方的に改質し(S10)、改質されたシード層、露出したバリア・密着層、及びマスクAl膜を順次エッチングにより除去することにより(S10〜S13)、パターン化金属膜を得る。 (もっと読む)


【課題】水素又はカルボン酸を用いたリフロー時の導電部と絶縁層の密着力低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に設けられた第1導電部上に絶縁層を形成し(ステップS1)、その絶縁層を被覆するようにバリア層を形成した後(ステップS2)、そのバリア層の上に第2導電部を形成する(ステップS3)。そして、第1導電部上の絶縁層がバリア層で被覆されている状態で、第2導電部を水素又はカルボン酸を含む雰囲気中で溶融し(ステップS4)、その後、その第2導電部をマスクにして、絶縁層の上からバリア層を除去する(ステップS5)。 (もっと読む)


【課題】電子部品の貫通電極において、基板の両面から貫通電極に接触することが必要であることに起因して高度な検査技術が必要である貫通電極の検査を容易にすることができる、マザー基板、電子部品の検査方法、電子部品、及び電子部品の製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、マザー基板に区画形成された電子部品の製造方法であって、基板の第1面における複数の区画領域に回路を形成する回路形成工程と、区画領域にて、第1面と第1面の反対面である第2面とを電気的に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、互いに異なる区画領域に位置する貫通電極を第1面にて連結配線で電気的に接続する連結配線形成工程と、第2面にて、連結配線形成工程で電気的に接続された複数の貫通電極に検査プローブを電気的に接続させることによって、貫通電極の機能を検査する機能検査工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線の低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ta膜またはTaN膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法に関し、信頼性や製造歩留りが高く、設計的な制約の小さい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板10上に形成された配線20、40、60、80と、配線20、40、60、80の周囲に形成された低誘電率膜12、32、52、72、92と、低誘電率膜12、32、52、72、92の形成材料より弾性係数の大きい誘電体材料で形成され、基板面に垂直に見て配線20、40、60、80に重なって配置された補強用絶縁膜42a、62a、82a、102aと、配線20、40、60、80に交差して配置された補強用絶縁膜22b、42b、62b、82b、102bとを有するように構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ゲート電極の幅を十分に確保して、ゲート電極の抵抗値を小さくすることが可能で、かつゲート電極間の容量を小さくすることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板に設けられ、Y方向に延在する第1の溝15と、半導体基板に設けられ、第1の溝15と交差するXの方向に延在する第2の溝25と、第1及び第2の溝15,25に囲まれ、第2の溝25に露出された対向する第1及び第2の側面26a,26bを有するピラー26と、ゲート絶縁膜28を介して、ピラー26の第2の側面26bに接触するように、第2の溝25の下部に設けられた1つのゲート電極29と、ゲート電極29の側面とピラーの第1の側面26aとの間に配置された空隙と、を有する。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】並列駆動構成のI/Oバッファから出力される信号を安定化し、信頼性を向上する。
【解決手段】I/Oセル2は、1つの出力信号を正転信号と反転信号からなる相補信号として出力する相補型I/Oセルからなり、2つのI/Oセル2が並列接続された構成からなる。2つのI/Oセル2の出力部となるインバータ6の出力部は、配線17によってそれぞれ接続されており、2つのI/Oセル2の出力部となるインバータ7の出力部は、配線18によってそれぞれ接続されている。配線17は、I/Oセル2の下辺側に2つのI/Oセル2を横断するように形成され。配線18は、該配線17の上方に形成されており、2つのI/Oセル2を横断するように形成されている。また、配線17の配線長と配線18の配線長は、略同等となるようにレイアウトされている。 (もっと読む)


【課題】 接続孔のホールサイズについて制御性良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。前記非晶質膜上に第1のレジスト膜が形成され、前記第1のレジスト膜に第1のレジストパターンが形成される。前記第1のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。前記第1のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第1の溝が形成される。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを有するプラグ配線において良好な電気的接続を得ることができるカーボンナノチューブ配線の製造方法を提供する。
【解決手段】第1配線層12上に層間絶縁膜13を形成する工程と、第1配線層上の層間絶縁膜内にコンタクト孔15を形成する工程と、コンタクト孔内の第1配線層上にカーボンナノチューブ16を成長させ、コンタクト孔から先端が突き出た複数のカーボンナノチューブを形成する工程と、層間絶縁膜上及び複数のカーボンナノチューブ間に、ストッパ膜17を形成する工程と、ストッパ膜上及び複数のカーボンナノチューブ上に絶縁膜を形成する工程と、ストッパ膜をストッパとして用い、ストッパ膜上の絶縁膜と共に、コンタクト孔上の複数のカーボンナノチューブを除去する工程と、複数のカーボンナノチューブ上に第2配線層14を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】部分反応方式のサリサイドプロセスによりゲート電極8a、8b、n型半導体領域9bおよびp型半導体領域10bの表面に金属シリサイド層41を形成する。金属シリサイド層41を形成する際の第1の熱処理では、熱伝導型アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理し、第2の熱処理では、マイクロ波アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理することにより、第2の熱処理を低温化し、金属シリサイド層41の異常成長を防ぐ。これにより金属シリサイド層41の接合リーク電流を低減する。 (もっと読む)


【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧(Vt)を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第1の側面に反対される第2の側面を有して突出した壁体)を形成し、壁体の第1の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第1の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第1の不純物層及び該第1の不純物層を覆う第2の不純物層を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線12と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極27とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層211と高融点金属層212との積層構造からなり、前記信号線12が下層から高融点金属層231とアルミニウム−ネオジム合金層232と高融点金属層233との3層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 (もっと読む)


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