【課題】マンガンの析出工程と除去工程とを繰り返し行うことで、サーマルバジェットの低減により信頼性の確保を可能とする。
【解決手段】絶縁膜１３に形成された凹部１４の内面に銅を主成分としてマンガンを含有するシード層１７を形成し、さらに凹部１４に銅を主成分とする配線材料２０を埋め込んだ後、余剰な配線材料２０を除去して凹部１４内に配線材料２０を残すことで配線２１を形成する半導体装置の製造方法において、シード層１７を形成した後で配線材料２０を埋め込む前に、熱処理によりシード層１７中のマンガンを絶縁膜１３との界面にマンガン化合物として析出させてバリア層１８を形成するとともに、シード層１７表面にマンガン酸化物１９を析出させる析出工程と、マンガン酸化物１９を除去する除去工程とを備えた製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の作製工程におけるプラズマ工程による問題、ゲイト電極等におけるヒロック等の問題、液晶パネルの取り出し部におけるコンタクト不良の問題のうち、少なくとも一つを解決する。
【解決手段】 本発明に係る、液晶パネル内に薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法は、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれたアルミニウム膜を有するゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極に電気的に接続される、パルス電流が放電しやすい形状を有する第１の配線を形成し、前記薄膜トランジスタの不純物領域に接続される第２の配線を形成し、前記第２の配線から延在した前記液晶パネルの取り出し部に、透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造を含む半導体装置のマイグレーション耐性を高めて歩留まりを向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上の第１の層間絶縁膜１０６中に設けられた第１の配線１１２と、第１の配線１１２上に、第１の配線１１２に接続して設けられたビア１２８と、第１の配線１１２の上部において、ビア１２８の底部との接続箇所に選択的に形成され、第１の配線１１２を構成する主成分の金属と当該金属と異なる異種元素とを含む異種元素含有導電膜１１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、開口部５を形成するためのマスク３を、酸化物系層間絶縁膜２上に形成する工程と、前記マスク３を形成した後、異方性エッチングによって前記酸化物系層間絶縁膜２に開口部５を形成する工程と、前記開口部５を形成した後、マスク３をエッチングすることで前記酸化物系層間絶縁膜２の開口部５周囲上面５３を露出させる工程と、露出させた後、少なくとも前記酸化物系層間絶縁膜２の開口部５の側壁部５１に、保護膜４を形成する工程と、前記保護膜４を形成した後、前記酸化物系層間絶縁膜２の開口部５周囲上面５３を所定の深さまで異方性エッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＮＯＲ型のメモリセルに形成するワード線の抵抗を低減する。
【解決手段】シリコン基板１は、ＳＴＩ２により活性領域３が分離形成される。活性領域３を直交するようにゲート電極４が所定間隔で形成される。ワード線としてのゲート電極４は、コントロールゲート電極としての多結晶シリコン膜、ＷＳｉ膜が積層され、その上の上面には、シリコン窒化膜１７が形成されるが、これには開口部が形成され、タングステンなどの導体が溝配線５として埋め込まれる。この構成により、微細化が進んでも、ワード線の高抵抗化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 銅配線の信頼性を高める。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板１５０と、半導体基板１５０上に形成された下層絶縁膜１０２と、下層絶縁膜１０２表面に形成された凹部を埋め込んで設けられ、銅を主成分として含む配線金属膜１０６と、下層絶縁膜１０２上に形成された上層絶縁膜１１０と、下層絶縁膜１０２と上層絶縁膜１１０との間に形成され、銅とは異なる金属を含む金属含有層１０８とを含む。金属含有層１０８は、配線金属膜１０６と接する第１の領域１０８ａと、下層絶縁膜１０２と接するとともに第１の領域１０８ａと組成の異なる第２の領域１０８ｂとを含み、少なくとも第１の領域１０８ａにおいて窒素を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】導電プラグの酸化を抑止し、コンタクト抵抗の安定化された信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】下部電極１０１と上部電極１０３とで強誘電体膜１０２を挟持してなる強誘電体キャパシタ構造１００と、導電プラグ１１０（プラグを構成する導電物は例えばタングステン（Ｗ））との間に、シリサイド膜１１１を形成する。ここでは、導電プラグ１１０の下地膜をシリサイド膜１１１とする場合を例示する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、タングステン膜とバリアメタル膜との電気的接続を安定させることができるとともに、配線層の成膜性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された開口部１０２ａを有する層間絶縁膜１０２と、開口部１０２ａ内を埋設するタングステン膜（Ｗプラグ１０８）と、タングステン膜の表面に形成された、Ｔｉ膜以外の第１バリアメタル膜１１０と、第１バリアメタル膜１１０上に形成された、Ｔｉ含有膜である第２バリアメタル膜１１１と、第２バリアメタル膜１１１の表面に形成された金属配線膜１１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
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【課題】 半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に、多孔質構造からなる絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に配線形成用の凹部を形成する工程（Ｓ１０６）と、絶縁膜上全面に、凹部内を埋め込むように金属層を形成する工程（Ｓ１０８）と、凹部外部の余剰金属層を除去して配線を形成する工程（Ｓ１１０）と、絶縁膜を改質して、当該絶縁膜の表面に改質層を形成する工程（Ｓ１１２）と、改質層を形成する工程の後に、めっき液を用いて配線上に選択的に金属膜を形成する工程（Ｓ１１４）とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の一部にされる金属特徴を定めるための方法およびシステムが提供される。この方法は、ガラス基板に対して施され、ガラス基板は、ガラス基板上にまたはガラス基板の層上に定められたブランケット導電性金属層（例えば障壁層）を有する。ブランケット導電性金属層の上には、反転フォトレジストマスクが塗布される。次いで、反転フォトレジストマスクの上に、めっきメニスカスが形成される。めっきメニスカスは、少なくとも電解液およびめっき化学剤を含み、めっきメニスカスは、ブランケット導電性金属層の上の、反転フォトレジストマスクによって覆われていない領域内に金属特徴を形成する。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗、寄生容量を低減する。
【解決手段】基板に、第１配線層１１１と、前記第１配線層１１１の上層に層間絶縁膜１３２と、前記層間絶縁膜１３２の上面に開口部を有し前記層間絶縁膜にホール１１２Ａと、前記ホール１１２Ａ内壁面を被覆する第１金属層１１２と、前記第１金属層１１２で被覆されたホール１１２Ａ内に第２金属層１１３と、前記第１金属層１１２の上層に誘電絶縁膜１３５と、前記誘電絶縁膜１３５の上層に第２配線層１１４−１１６と、を備え、前記ホール１１２Ａ内壁面を被覆する第１金属層１１２が前記誘電絶縁膜１３５下層の下部電極の少なくとも一部を形成し、前記第２配線層１１４−１１６の前記下部電極に対向する部分が前記誘電絶縁膜上層の上部電極Ｐ１を形成し、前記下部電極、誘電絶縁膜１３５および上部電極Ｐ１によってコンデンサ１６０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】表面凹凸が少なく電気抵抗が低い配線構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基体１上に金属層４を形成する第１工程と、金属層４にフラッシュランプから発せられる光を照射してアニールを行う第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 チップの金属ラインから外向き方向の、銅の所望されない輸送を低減することである。別の目的は、ビアと金属ラインとの間の界面における空隙の発生を回避又は低減することである。
【解決手段】 相互接続構造体及びその製造方法が提供される。相互接続構造体は、パターン形成された開口部を有する誘電体層と、パターン形成された開口部内に配置された金属構造と、金属構造の上に重なる誘電体キャップとを含む。誘電体キャップは、内部引張応力を有し、この応力は、特に金属ラインが引張応力を有する場合に、金属ラインから離れる方向のエレクトロマイグレーションが発生することを回避するのに役立つ。 （もっと読む）

【課題】 導電部の膨張破壊や電極断線、及び基板の破壊等を生じることが無く、耐熱性等に優れた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の一方の面２ａに配され、該面内にある機能素子５と電気的に接続された電極４と、基板２の他方の面２ｂから一方の面２ａに配した電極４が露呈するように、基板２内に開けられた貫通孔３と、該貫通孔３内の側面３ａ及び電極４の露呈部４ａを覆うように配され、電極４と電気的に接続された導電部と、該導電部に接するように配された補強材とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部接続用のパッド電極が損傷を受けることを防止する。
【解決手段】半導体基板１上に電子回路３０と、電子回路３０と接続された第１のパッド電極３と、第１のパッド電極３と接続された第２のパッド電極４とが形成される。また、第１のパッド電極３を被覆するとともに、第２のパッド電極４上にのみ開口部を有する第１の保護膜５が形成される。そして、半導体基板１を貫通するビアホール８を通して第１のパッド電極３の裏面に接続され、ビアホール８から半導体基板１の裏面に延在する配線層１０が形成される。 （もっと読む）

金属ベースの相互接続線に対して導電性キャッピング層（１０６）を設けることで、エレクトロマイグレーションに対するパフォーマンスを強化することができる。さらに、銅ベースの材料などの下方の金属（１０５ｂ）を露出せずにビア開口部（１１０）をキャッピング層（１０６）に確実にエッチングし、これによりエレクトロマイグレーションパフォーマンスを具体的には銅線とビアの間の遷移において強化することができる。
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【課題】金属配線同士の間の絶縁膜の実効的な比誘電率を低減すると共に、金属配線と有機絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１００の上に金属配線パターン１０１を形成した後、Ｃ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第１の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１００の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第１の密着層１０２を堆積する。次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上にフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、有機絶縁膜１０３の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第２の密着層１０４を堆積する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に非常に小さいトレンチを形成する方法を提供する。
【解決手段】これら小さいトレンチの形成は、第１誘電体層の特性を局部的に化学的に変換することに基づいており、前記第１誘電体層内のパターニングされた穴の側壁が局部的に変化させられ、第１エッチング物質によりエッチング可能となる。その後、パターニングされた構造内に第２誘電体層が積層され、小さいトレンチが得られるように第１誘電体材料のダメージを受けた部分が除去される。誘電体層の特性を化学的に変化させることにより得られた小さなトレンチは、（１０−３０ｎｍ単位の）非常に小さいトレンチ内でのバリアーの積層、銅メッキ及びシード層の積層の研究をするための試験手段として用いることができる。 （もっと読む）