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Fターム[5F033NN07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間構造の特徴点 (9,232) | コンタクトホールへの穴埋め構造 (6,462) | 介在層を有するもの (6,157) | バリア層を含むもの (2,805)

Fターム[5F033NN07]に分類される特許

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【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるCuにAlを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるCuにAlを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。そして、第二の銅合金配線のAlの濃度は、第一の銅合金配線の前記Alの濃度未満である。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にCuを埋め込むことができ、かつ低抵抗のCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202において、トレンチ203の表面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上に、加熱しつつ、PVDによりCuがマイグレーションするようにCu膜206を形成してトレンチ203を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金からなる配線との密着性が高いバリアメタル層を備え、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置では、半導体基板100の上方に配置された絶縁膜106と、絶縁膜106中の溝に配置され、銅又は銅合金からなる配線115とを備え、絶縁膜106と配線115との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、非晶質構造を有する第1のバリアメタル層109と第1のバリアメタル層109の上に配置された多結晶構造を有する第2のバリアメタル層110からなる積層構造であり、第2のバリアメタル層110には銅が含まれており、第2のバリアメタル層110中の金属に占める銅の割合は50at%以下である。 (もっと読む)


【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置1は、孔111が形成された絶縁性あるいは半導体の層11と、層11の孔111内に設けられた貫通電極12と、を備える。貫通電極12は、シード層121と、めっき層122と、を備える。シード層121は、孔111の底面111Aを覆う。また、シード層121は、孔111の側面111Bのうち、孔111の開口から、孔111の開口と孔111の底面111Aとの間の所定の位置までの第1の領域を未被覆とし、この第1の領域(未被覆領域)111B1を除いた第二の領域を被覆している。めっき層122は、シード層121と、未被覆領域111B1の少なくとも一部を覆う。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜を貫通するコンタクトプラグの抵抗を改善させられる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜を貫通して形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの内部に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトホール内で前記コンタクトプラグの上部側壁を部分的に覆うスペーサと、を含む。 (もっと読む)


【課題】従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。
【解決する手段】バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、単位結晶格子の最近接原子間距離(D)がルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離(DRu)に近い領域、具体的には、オングストローム(Å)単位で−0.200Å<(D―DRu)<0.12Åの関係にあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビン(K)以上である金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線及びビア間接続の信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の異なる高さに配置され、配線が形成された複数の配線層と、前記配線層の積層方向に延びる柱状に形成され、異なる複数の前記配線層の配線間を電気的に接続するビアとを備え、前記配線の一部は、前記ビアの中間部において前記ビアに接触する中間配線であり、所定の前記配線層の中間配線及びその他の所定の前記配線層の中間配線は、それぞれ前記ビアを前記積層方向に直交する方向で貫通し、且つ、前記ビア内において相互に交差していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】銅ヒューズに起因する故障または特性悪化を抑制または防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、銅ヒューズ4と、半導体基板1と銅ヒューズ4との間に配置された銅膜からなるシール膜7,8と、銅ヒューズ4よりも上の層に形成された銅以外の金属材料膜からなり、銅ヒューズ4の両端にそれぞれに接続された最上層配線501,502と、シール膜7,8に結合され、銅ヒューズ4の周囲を取り囲む筒状に形成された銅シールリング6とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】LDMOSと、LDMOSのソース領域と電気的に接続されるソースプラグP1Sと、ソースプラグP1S上に配置されるソース配線M1Sと、LDMOSのドレイン領域と電気的に接続されるドレインプラグP1Dと、ドレインプラグP1D上に配置されるドレイン配線M1Dと、を有する半導体装置のソースプラグP1Sの構成を工夫する。ドレインプラグP1Dは、Y方向に延在するライン状に配置され、ソースプラグP1Sは、Y方向に所定の間隔を置いて配置された複数の分割ソースプラグP1Sを有するように半導体装置を構成する。このように、ソースプラグP1Sを分割することにより、ソースプラグP1SとドレインプラグP1D等との対向面積が低減し、寄生容量の低減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてX線に対して回折ピークを持つ金属層にX線を照射して得られる回折ピークを入手するステップA、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップB、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップCを具備する。 (もっと読む)


【課題】 精度よく開口を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1の絶縁膜となる部材と、第1の絶縁膜となる部材と異なる材料からなる第2の絶縁膜となる部材と、第3の絶縁膜となる部材と、第3の絶縁膜となる部材と異なる材料の第4の絶縁膜となる部材とがこの順に積層された半導体基板の上に、複数の絶縁膜の開口を形成するための開口を有するマスクを形成する工程と、第3の絶縁膜となる部材のマスクの開口に対応する部分と第4の絶縁膜となる部材のマスクの開口に対応する部分を連続して除去する第1の工程と、第1の工程を行った後に、第2の絶縁膜となる部材のマスクの開口と対応する部分を除去する第2の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の性能と信頼性を向上させる。
【解決手段】nチャネル型MISFETQn1,Qn2を覆うように半導体基板1上に引張応力膜としての窒化シリコン膜5を形成する。窒化シリコン膜5は窒化シリコン膜5a,5b,5cの積層膜である。窒化シリコン膜5a,5bの膜厚の合計は、サイドウォールスペーサSW1とサイドウォールスペーサSW2との間の間隔の半分よりも小さく、窒化シリコン膜5a,5bは、成膜後に紫外線照射処理を行って引張応力を増大させる。窒化シリコン膜5a,5b,5cの膜厚の合計は、サイドウォールスペーサSW1とサイドウォールスペーサSW2との間の間隔の半分以上であり、窒化シリコン膜5cに対しては紫外線照射処理を行わない。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造方法において、異なる膜特性を有する絶縁膜に形成されるコンタクト形状の制御性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に素子領域を形成し、半導体基板の第1の領域上に、第1の絶縁膜を形成し、半導体基板の第2の領域上に、膜応力及びコンタクトの形成の際のエッチング加工時のエッチングレートが、第1の絶縁膜と異なる第2の絶縁膜を形成し、少なくとも第2の絶縁膜において、コンタクトが形成されるコンタクト領域に選択的にUV光を照射し、UV光を照射した後、第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜をエッチングして前記コンタクトを形成する。 (もっと読む)


【課題】孤立パターンに銅の化合物が析出するのを抑制する半導体装置の製造方法と、半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置では、素子・基板層ESLの低誘電率膜LOW1、ファイン層FLの極低誘電率膜ELK1等およびセミグローバル層SGLの低誘電率膜LOW2等のそれぞれの開口部に形成されるアライメントマークAMおよび重ね合わせ検査マークKMが、半導体基板SUBに形成された所定の導電型の不純物領域IRに電気的に接続されて、アライメントマークAMおよび重ね合わせ検査マークKMが接地電位に固定されている。 (もっと読む)


【課題】配線及び絶縁膜へダメージを与えることなく、絶縁膜上の導電性の不純物によるめっきの異常成長を抑制することができる表面被覆方法、並びに該方法を用いて製造される半導体装置、及び実装回路基板の提供。
【解決手段】水溶性樹脂、有機溶剤、及び水を含有する表面被覆材料を、表面に露出した絶縁膜及び表面に露出したパターニングされた金属配線を有する積層体の少なくとも前記絶縁膜の表面を覆うように塗布し、前記絶縁膜の表面に被膜を形成する表面被覆方法である。 (もっと読む)


【課題】配線加工時のエッチングレートの極端な上昇を抑え、プロセスを安定化させる。
【解決手段】炭化珪素基板1上に形成された炭化珪素層20の上に、ソース電極8、ゲート電極9、層間絶縁膜10、層間絶縁膜10上に形成されたソース電極上部配線11およびゲート電極上部配線12とが形成され、ソース電極上部配線11とゲート電極上部配線12の下には、これらの上部配線を構成する金属が炭化珪素層20に拡散することを抑制するためのバリアメタル16が形成されている。層間絶縁膜10には、炭化珪素層20上に形成されたソース電極8およびゲート電極9に到達するようにコンタクトホール13、15が形成されており、バリアメタル16はコンタクトホール内の電極と上部配線との界面、層間絶縁膜10の側壁と上部配線との界面、および側壁の上端部近傍と上部配線との界面にのみ形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の小型化、特に、狭ピッチ化に対する技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ1C上に設けられたパッド2と、プローブ領域10Aおよび接続領域10Bのパッド2上に開口部11を有し、半導体チップ1C上に設けられたパッシベーション膜3と、接続領域10Bのパッド2上に開口部12を有し、パッド2上およびパッシベーション膜3上に設けられたパッシベーション膜5と、パッド2と電気的に接続され、接続領域10B上およびパッシベーション膜5上に設けられた再配線7とを備える。接続領域10Bより半導体チップ1Cの外周部側に設けられたプローブ領域10Aのパッド2にプローブ痕100が存在し、接続領域10Bから半導体チップ1Cの中央部側に延びて再配線7が存在している。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールの形成領域が素子分離領域と重複しても、素子特性の劣化を抑制できるSOI基板とこのSOI基板を用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体基材11と埋め込み絶縁膜12と半導体層16とを有するSOI基板と、このSOI基板上に形成された半導体素子構造とを備える。埋め込み絶縁膜12は、半導体基材11から半導体層16を電気的に絶縁分離する機能を有し、窒化膜14を有する。 (もっと読む)


【課題】特性の良好な半導体装置を製造する。また、スループットを向上させ、製造コストを低減する。
【解決手段】開口部OA1および絶縁膜(21、23)上に銅のCuシード層27を形成する工程と、Cuシード層上に、フォトレジスト膜を形成する工程と、Cuシード層上に、メッキ成長により銅膜31aを形成する工程と、銅膜上に、Ni膜31bを形成する工程と、により、再配線31を形成する。この後、再配線31上の開口部(OA2、パッド領域)にAu膜33bを形成した後、フォトレジスト膜を除去し、Ni膜31bに不動態化処理を施す。この後、再配線31の形成領域以外のCuシード層27をエッチングする。かかる工程によれば、Ni膜31bの表面に不動態化膜35が形成され、上記エッチングによるNi膜31bの膜減りを低減できる。また、膜減りを考慮したNi膜の厚膜化による基板の歪みによる不具合を低減できる。 (もっと読む)


【課題】論理回路の動作特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、多層配線層と、第1能動素子3a、容量素子19および周辺回路を有する記憶回路200と、第2能動素子3bを有する論理回路100と、記憶回路領域200に形成されており、能動素子3aと容量素子19とを電気的に接続する容量コンタクト13cと、論理回路領域100に形成されており、能動素子3bと第1配線8aとを電気的に接続する接続コンタクト13aと、を備え、第1配線8aは、容量素子19が埋め込まれた配線層のうち最下層の配線層の層間絶縁膜7aに位置しており、接続コンタクト13aは、容量コンタクト13cと同一層に設けられており、第1配線8aと接続コンタクト13aは、デュアルダマシン構造を有している。 (もっと読む)


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