【課題】 微細且つ電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜１０をマスクとしたストッパー膜９のドライエッチングによって、拡散層領域８に至るコンタクトホール１１を形成する。この際、ストッパー膜９のオーバーエッチングによって、コンタクトホール１１の底面をシリコン基板１の表面よりリセスする。続いて、シリコン基板１の表面を洗浄した後、コンタクトホール１１の内面を覆うようにして層間絶縁膜１０の上にポリシリコン膜１２を形成する。ポリシリコン膜１２の膜厚は、コンタクトホール１１の底面がシリコン基板１の表面に対してリセスした深さより大きく、シリサイド化で消費されるシリコンの厚さより小さくなるようにする。これにより、オーバーエッチングおよびシリサイド化によってシリコン基板１から消失するシリコンの量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ライナによって確実に導体が低ｋ誘電体内に拡散するのを防ぐ集積回路構造を提供する。
【解決手段】 論理および機能デバイスを含む少なくとも第１の層を形成し、第１の層の上に少なくとも１つの相互接続層を形成する集積回路構造を形成するための方法および構造を開示する。相互接続層は、論理および機能デバイス間に電気的接続を形成するように構成されている。相互接続層は、まず誘電体層を形成することによって作成される。誘電体層は、第１の材料および第２の材料を含み、第２の材料は、製造環境条件（例えば以下で論じる処理条件）における安定性が第１の材料よりも低い。「第２の材料」はポロゲンを含み、「第１の材料」はマトリックス・ポリマを含む。そして、本発明は、誘電体層における導電性フィーチャを形成し、誘電体層から第２の材料を（例えば加熱によって）除去して、相互接続層内で第２の材料が位置していた場所に空気ポケットを生成する。
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【課題】層間絶縁膜上のハードマスク膜に配線溝パターンを段差のない状態で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の層間絶縁膜１２上にハードマスク膜１３を形成し、ハードマスク膜１３の配線溝パターンを除く領域に表面処理を行うことで変質層２１を形成する工程と、ハードマスク膜１３上にレジストを塗布し、接続孔１４を形成するためのレジストパターンＲ２を形成する工程と、レジストパターンＲ２をマスクとしたエッチングにより、ハードマスク膜１３を貫通する状態で、層間絶縁膜１２に接続孔１４を形成する工程と、変質層２１をマスクとしてハードマスク膜１３の配線溝パターン領域を選択的にエッチング除去することで、ハードマスク膜１３をパターンニングする工程と、このハードマスク膜１３をマスクに用いて、層間絶縁膜１２に接続孔１４に連通する配線溝を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 配線上に良好なカーボンナノチューブを形成する。
【解決手段】 下層Ｃｕ配線１上にＭｏを堆積して接続層２を形成し、この接続層２上にＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブ６を成長させる。Ｍｏからなる接続層２を形成することにより、カーボンナノチューブ６を成長させるＣＶＤの際に熱が加えられても、下層Ｃｕ配線１からのＣｕの熱拡散が抑制され、触媒金属５の活性低下が抑えられる。さらに、Ｍｏはカーボンナノチューブ６との間の接触抵抗が低いため、下層Ｃｕ配線１との低抵抗接続を確保しつつ、良好なカーボンナノチューブ６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】一部を除去した配線パターンを利用して、ワード線に対するボーダーレスコンタクト或いは、ビット線に対するビアコンタクト等を歩留まり良く形成する。
【解決手段】メモリセルアレイ上の列方向に延伸する複数の活性領域パターンＡＡ_i，ＡＡ_i+1，…，ＡＡ_nと、行方向に延伸すると共に、非一様に配置される複数のワード線パターンＷＬ１，ＷＬ２…と、複数のワード線パターンに平行に配列される複数の選択ゲート線パターンＳＧ１，ＳＧ２…と、メモリセルアレイ上のワード線パターンの終端部分近傍において配置され、メモリセルアレイ端から引き出された配線の一部分に接触し、配線の隣の配線とは接触していないボーダーレスコンタクト１４と、複数のワード線パターン及び選択ゲート線パターンの内の一部を２重露光により除去して形成したコンタクト形成予定領域内に配置されたビット線コンタクト（ＣＢ）１１とを備える半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ束の密度を向上し、電気抵抗や熱抵抗の低減を図るカーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。カーボンナノチューブ束２５は、第１配線層２１の凹部２８の側面および底面に形成された触媒層２９から成長させ、側面から成長したカーボンナノチューブ２５ａによりカーボンナノチューブ束２５の密度を向上する。 （もっと読む）

金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】
基準電圧発生回路の占有面積を縮小できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上の回路素子３を被覆する第１絶縁膜５を形成する工程と、互いに電気的に分離される共に第１絶縁膜５内に埋め込まれた導電材料７を介して前記回路素子３にそれぞれ電気的に接続される一対の第１配線９を第１絶縁膜５上に形成する工程と、前記第１配線９を被覆する第２絶縁膜１１を形成する工程と、前記第１配線９を露出させる一対の開口部１３を第２絶縁膜１１に形成する工程と、前記開口部１３を介して前記第１配線９を所定の抵抗値で互いに電気的に接続させる第２配線１５を第２絶縁膜１１上に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】凹部内の配線におけるボイドを減少させることが可能であり、かつ配線の信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜４上に、めっき膜４を構成している金属の熱膨張率に対して６０％以下の熱膨張率を有する物質からなる圧縮応力印加膜５を形成し、圧縮応力印加膜５によりめっき膜４に圧縮応力を印加しながら熱処理を施す。 （もっと読む）

配線金属は、銅（Ｃｕ）を主成分とする多結晶とＣｕ以外の添加元素とを含有し、添加元素の濃度が、Ｃｕ多結晶を構成する結晶粒の結晶粒界及び結晶粒界近傍において、その結晶粒内部よりも高い。添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることが好ましい。このＣｕ配線は、Ｃｕ多結晶膜を形成し、そのＣｕ膜の上に添加元素の層を形成し、この添加元素を前記添加元素の層からＣｕ膜中に拡散させることにより形成される。この配線用銅合金は、半導体装置に形成される金属配線として好適である。
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【課題】貫通電極を有した半導体装置において、保護膜や絶縁膜の剥離を防止し、半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】半導体装置１００のコーナー部に、絶縁膜１７、保護層２３の剥離を防止するための剥離防止層３０を形成する。剥離防止層３０はコーナー部以外の半導体装置１０の空きスペース、例えば、ボール状の導電端子２４の間に配置することでさらに剥離防止効果を高めることができる。その断面構造は、半導体基板１０の裏面に形成された絶縁膜１７上に剥離防止層３０が形成され、この絶縁膜１７及び剥離防止層３０を被覆するようにソルダーレジスト等から成る保護層２３が形成される。剥離防止層３０は、電解メッキ法により形成する場合には、バリアシード層２０と上層の銅層２５からなる積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰの間に浸食も樹状突起も発生させない銅相互接続部を提供すること。
【解決手段】 不純物含有銅シード層（４４０）を備える相互接続部によって、後工程半導体デバイスの銅相互接続部の縁の欠陥が緩和される。不純物含有銅シード層（４４０）が障壁層（２３０）を覆い、障壁層（２３０）が開口部を有する絶縁層（１１５）を覆う。電気めっき銅が絶縁層（１１５）の開口部を埋める。化学的機械研磨により、障壁層（２３０）と、電気めっき銅浴から得られた不純物含有銅シード層（４４０）と、電気めっき銅とが、絶縁層（１１５）に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる第２の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。このスパッタターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の高い平坦性を有する半導体装置を製造する方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】 下層配線３および上層配線１０が層間絶縁膜４を介在させて設けられ、かつ下層配線３と上層配線１０がビアホールプラグ８ａを介して電気的に接続されている半導体装置の製造方法にかかる。下層配線３を覆うように半導体基板１の上に層間絶縁膜を４形成する。層間絶縁膜４中に、下層配線３の表面を露出させるビアホール６ａを形成し、同時に、ビアホール６ａの存在しない層間絶縁膜４の領域に、下層配線３の深さに到達しない、ダミービアホール７ａを、ビアホール６ａが形成される領域から、徐々にその密度を減少させて形成する。ビアホール６ａとダミービアホール７ａを埋め込むように金属層８を半導体基板１の上に形成する。半導体基板１上を研磨して、ビアホールプラグ８ａとダミービアホールプラグ８ｂを形成する。ビアホールプラグ８ａに接触するように上層配線１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 熱化学気相成長プロセスにおけるルテニウム金属層の堆積を提供することである。
【解決手段】 基板にＲｕ金属層を堆積させる方法は、示される。方法は、処理チャンバに基板を提供することと、キャリヤガス、ルテニウム-カルボニルプリカーサ、および水素を含むプロセスガスを処理チャンバに導入することとを含む。方法は、熱化学気相成長プロセスによって基板にＲｕ金属層を堆積させることを更に含む。本発明の１つの実施形態では、ルテニウム-カルボニルプリカーサは、Ｒｕ₃（ＣＯ）_１２を含むことができる。および、Ｒｕ金属層は、主にＲｕ（００２）結晶方位を有しているＲｕ金属層をもたらす基板温度で堆積されることができる。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】 第１の目的：半導体の配線幅を狭く設計しても該配線幅に対応する凹部に確実に埋め込むことのできる半導体配線用金属薄膜を提供する。第２の目的：上記半導体配線用金属薄膜を半導体基板に設けられた凹部に埋め込むことにより形成される半導体配線を提供する。第３の目的：こうした半導体配線を製造する方法を提供する。
【解決手段】 上記第１の目的を解決できる半導体配線用金属薄膜とは、凹部を有する半導体基板の表面に積層される金属薄膜であって、前記金属薄膜は、Ｃｕ系金属で構成される薄膜が、Ｃｕ系以外の金属で構成される１つ以上の薄層で分断されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、埋め込み性、下地層との密着性に優れた銅配線形成方法の提供。
【解決手段】ホールや溝が形成された基板表面上に、金属原料としてテトラキスジエチルアミノバナジウム、テトラキスジメチルアミノバナジウム、テトラキスエチルメチルアミノバナジウム、テトラキスジエチルアミノチタン、テトラキスジメチルアミノチタン、テトラキスエチルメチルアミノチタンを、還元性ガスとしてターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６を用いて、ＣＶＤ法によりバナジウムまたはチタン含有膜からなる下地層を形成し、この上に、ＣＶＤ法により銅含有膜を形成し、ホールや溝を埋め込み、配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 第１の目的：半導体装置に使用される配線用Ｃｕ合金であって、半導体の配線幅を狭く設計しても該配線幅に対応する凹部に確実に埋め込むことのできる半導体配線用Ｃｕ合金を提供する。第２の目的：半導体基板に設けられた凹部に上記半導体配線用Ｃｕ合金を埋め込むことによりＣｕ合金からなる配線を形成する製法を提供する。第３の目的：上記製法で得られるＣｕ合金配線を有する半導体装置を提供する。第４の目的：半導体のＣｕ合金配線を形成する際に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 第１の目的を解決できる半導体配線用Ｃｕ合金とは、Ｓｂ：０．１０〜１０原子％、Ｂｉ：０．０１０〜１．０原子％、および、Ｄｙ：０．０１〜３原子％よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる半導体配線用Ｃｕ合金である。 （もっと読む）