【課題】 少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、第１の硫酸濃度を有するめっき液で銅の導電層を形成する第１工程と、前記第１の硫酸濃度より薄い第２の硫酸濃度を有するめっき液で、前記導電層上に更に導電層を積層する第２工程と、前記半導体構造上に成膜された銅の導電層を研磨する研磨工程とを有する。これにより、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、アセナフチレンホモポリマー、アセナフチレンコポリマー、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリアミド、Ｂ−ステージ多官能性アクリレート／メタクリレート、架橋スチレンジビニルベンゼンポリマー、およびスチレンとジビニルベンゼンとマレイミドまたはビス−マレイミドとのコポリマーから成る群から選択されるガス層形成材料を提供するものである。形成されたガス層はマイクロチップおよびマルチチップモジュールにおいて使用される。
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【課題】本発明は、信頼性のあるトレンチのプロファイルを確保することができるデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のデュアルダマシン配線の製造方法は、（ａ）基板上に下部配線を形成する段階と、（ｂ）下部配線上に絶縁膜を形成する段階と、（ｃ）絶縁膜上にハードマスクを形成する段階と、（ｄ）ハードマスクをエッチングマスクで用いて絶縁膜内にビアを形成する段階と、（ｅ）ハードマスクをビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを規定するトレンチ用ハードマスクに再パターニングする段階と、（ｆ）トレンチ用ハードマスクをエッチングマスクとして用いて絶縁膜を一部エッチングしてビアと連結されるとともに配線が形成されるトレンチを形成する段階と、（ｇ）トレンチ用ハードマスクを湿式エッチングで除去する段階と、（ｈ）トレンチ及びビアを配線物質で充填して配線を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。めっき膜４を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハＷをめっき液から取り出す。そして、シード膜３及びめっき膜４に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜５を形成する。最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 積層された半導体チップの接合強度が高く、これにより高い信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置、並びに当該半導体装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０を貫通する電極２０，２１を有する半導体装置の製造方法であって、集積回路が形成された半導体基板１０の能動面１０ａから半導体基板１０の内部にかけて孔部Ｈ３を形成する工程と、孔部Ｈ３の内側に導電材料を充填して第一接続端子２０を形成する工程と、半導体基板１０を裏面側１０ｂから薄板化して、電極２０の先端部を露出させる工程と、先端部の周辺に導電材料を配置して第二接続端子２１を形成する工程と、を有する。
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【課題】接続孔の直径を小さくしても、接続孔に埋め込まれたプラグと、プラグ上の配線との接触抵抗を低くする。
【解決手段】第１の導電層４上に、絶縁膜８を形成し、絶縁膜８に、第１の導電層４上に位置する接続孔８ｃを形成する。接続孔８ｃの中及び絶縁膜上に導電膜を形成し、さらに、絶縁膜８ａ上に位置する導電膜をＣＭＰ法で除去することにより、接続孔８ｃに導電体９を埋め込む。接続孔８ｃに埋め込まれた導電体９の表層を、不活性イオンを用いたスパッタエッチングにより除去し、その後、絶縁膜８上に、導電体９に接続する第２の導電層１０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 十分なエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、絶縁材料からなる第１の層間絶縁膜が形成されている。第１の層間絶縁膜をビアホールが貫通する。ビアホール内に、銅または銅を主成分とする合金からなる導電プラグが充填されている。第１の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜が形成されている。第２の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。配線溝内に、銅または銅を主成分とする合金からなる配線が充填されている。導電プラグ中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計が、配線中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有した半導体装置の製造方法において、工程を簡略化して製造コストを極力低く抑えると共に、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を形成し、その一部をエッチングして、半導体基板１０の一部を露出する開口部１１ａを形成する。次に、開口部１１ａ内から第１の絶縁膜１１上に延びるパッド電極１２を形成する。半導体基板１０の裏面上には第２の絶縁膜１５を形成する。次に、開口部１１ａよりも大きい開口径を有したビアホール１６を形成する。そして、ビアホール１６内から第２の絶縁膜１５上に延びる第３の絶縁膜１７を形成し、ビアホール１６の底部の第３の絶縁膜１７をエッチングしてパッド電極１２を露出する。その後、ビアホール１６内に貫通電極１９及び配線層２０を形成する。最後に、半導体基板１０を複数の半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜をマスクにした被加工材料のドライエッチングにおいて、レジスト膜の荒れを抑制しパターン側壁のストライエーションを低減させる。
【解決手段】 下層配線１上に第１エッチングストッパー層２、Ｌｏｗ−ｋ膜３、キャップ層４を積層して形成し、上記キャップ層４上にＡＲＣ膜５、および配線溝パターン７を有するレジストマスク６を形成する。そして、少なくとも炭素およびフッ素を含むガスであって上記炭素に対するフッ素の原子比率が４以上になるガスをプラズマ励起し、レジストマスク６をエッチングのマスクにして層間絶縁膜になるキャップ層４およびＬｏｗ−ｋ膜３をドライエッチングして、上記層間絶縁膜に配線溝８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造における上層配線の下層配線に対する接続部の形成にあたり、その接続導体の接続部の清浄化処理において問題となる特性劣化を確実に回避する。
【解決手段】 下層配線溝(第１配線溝)１１ｇ内の埋込み配線（第１埋込み配線）１１ｂに上層配線(第２埋込み配線)１２ｂが接続導体１２ｃを介して接続される構成において、接続導体１２ｃの形成時の第１埋込み配線１１ｂ表面の水素ラジカルないしは水素ブラズマによる清浄化に耐性を有する保護膜７を、この清浄化の雰囲気にさらされ侵食される第２埋込み配線１２ｂが埋め込まれる配線溝１２ｇ、接続導体１２ｃが充填される配線接続孔１２ｈの内表面に形成することによって、上述した清浄化に際して絶縁層が侵食されることを回避し、充分な洗浄を行うことができるようにして特性劣化の改善を図る。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 パッド電極１１に対応した位置で半導体基板１０を貫通するビアホール１６を形成する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に絶縁膜１７を形成する。次に、半導体基板１０の裏面上に、ビアホール１６の開口部の縁でオーバーハング部１８ａを有する補強用絶縁膜１８を形成する。そして、補強用絶縁膜１８をマスクとして、ビアホール１６の側壁の絶縁膜１７を残存させつつ、当該底部の絶縁膜１７をエッチングして除去する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面に、貫通電極２１、配線層２２、及び導電端子２４を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング工程、ＣＭＰ工程、熱応力等による機械的衝撃やウエハの変形によるビアの変位を小さく制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１配線２２と、第１配線２２の上に配置された低誘電率絶縁膜３１０と、低誘電率絶縁膜３１０の中に第１配線２２と接続するように埋め込まれ、第１配線２２の長手方向に測った第１長さＬｘ、第１配線２２が配置された平面で第１配線２２に直交する方向に測った第２長さＬｙ、第１配線２２が配置された平面に垂直な高さＨに対する第１及び第２長さＬｘ，Ｌｙの少なくとも一方との比が１以上である複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂと、低誘電率絶縁膜３１０の上に配置され、複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂにそれぞれ接続された第２配線３２とを備える。 （もっと読む）

【目的】 不純物の残留を抑制し、バリアメタルを高純度に成膜することを目的とする。
【構成】 基体上にＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５を供給するＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５供給工程（Ｓ１０２）と、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５におけるＴａとは異なるＣを除去するＨ_２供給工程（Ｓ１０６）と、前記Ｃが除去された前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５の吸着分子に基づいて前記ＴａＮ膜を生成するＮＨ_３供給工程（Ｓ１０８）と、を備え、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５工程とＨ_２供給工程とＮＨ_３供給工程とを繰り返すことで、前記基体上にＴａＮ膜を堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅を含む導電性コア領域と界面領域とを有する導電性材料及び該導電性材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】銅と、０．００１原子百分率から０．６原子百分率までの、イリジウム、オスミウム、及びレニウムから選択された１つ又はそれ以上の金属とを含む導電性コア領域、及び界面領域を備える導電性材料である。界面領域は、少なくとも８０原子百分率又はそれ以上の１つ又はそれ以上の金属を含む。界面領域は、銅と、イリジウム、オスミウム、及びレニウムから選択された１つ又はそれ以上の金属とを含むシード層を形成し、その上に銅からなる導電性層を形成し、導電性層を研磨して、研磨された銅の表面材料を構成し、シード層から研磨された表面への１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションを引き起こすのに十分な温度で該研磨された銅の表面材料をアニールして形成される。 （もっと読む）

【目的】 ＣＶＤ法により形成された多孔質ｌｏｗ−ｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 基体上に、有機物質原料を用いてＣＶＤ法により多孔質絶縁膜を形成するポーラスｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、前記ポーラスｌｏｗ−ｋ膜表面に結合されるＣＨ_３基をエッチングするエッチング工程（Ｓ１１２）と、前記ＣＨ_３基がエッチングされた前記ポーラスｌｏｗ−ｋ膜表面にＡＬＤ法によりバリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を招くことなく、接続孔形成の際のリソグラフィにおける露光マージンを広げることが可能で、これにより歩留まり向上およびさらなる微細化が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた下層配線３と、下層配線３を覆う第２層間絶縁膜５と、下層配線３に達する状態で第２層間絶縁膜５に設けられた接続孔５ａ内を導電性材料で埋め込んでなるビア７と、ビア７に接続された状態で第２層間絶縁膜５上にパターン形成された上層配線９とを備えた半導体装置において、接続孔５は、上層配線９の延設方向に長い開口形状を有しており、また上層配線９側から下層配線３側にかけて連続した傾斜角度θを有して開口径が狭くなるテーパ形状に整形されている。 （もっと読む）

【課題】 安定した低抵抗のシリサイド膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上にゲート絶縁膜５を形成する工程、ゲート絶縁膜５上にシリコン膜７を形成する工程、シリコン膜７と半導体基板１との表面にＢＦ₂イオンおよびＢイオンを注入し、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＱｐのゲート電極１１ｐと高濃度ｎ型半導体領域１５からなるソース／ドレインとを形成する工程、ゲート電極１１ｐの上部に第１コバルトシリサイド膜を形成し、ソース／ドレインの上部に第２コバルトシリサイド膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜に複数の凹部を形成するすることで、配線を形成する研磨時の絶縁膜剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に少なくとも２層以上の配線層を備えた多層配線を形成する工程を備え、配線層を形成する配線は、基板１１上に設けられた絶縁膜に配線用凹部（図示せず）を形成して配線用凹部内に導電膜４１を埋め込むように絶縁膜上に導電膜４１を形成する工程と、導電膜４１を研磨して配線用凹部内に導電膜４１を残すことで配線を形成する工程とにより形成される半導体装置の製造方法であって、絶縁膜は、第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２とを積層したものからなり、絶縁膜上に導電膜４１を形成する前に、基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜２２に複数の凹部３１を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 配線の終端部におけるボイドの爆発により配線に損傷が生じるのを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜１１上に、複数の配線１３ａを互いに並ぶように形成すると共に、複数の配線１３ａの端部１３ｃ近傍に、複数の配線１３ａと交わる方向にダミーパターン１３ｂを形成する。次いで、絶縁膜１１上、複数の配線１３ａ上、及びダミーパターン１３ｂ上に、第２の絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜１１、複数の配線１３ａ、ダミーパターン１３ｂ及び第２の絶縁膜を加熱し、配線１３ａ相互間のボイドが膨張しても、ダミーパターン１３ｂが設けられているため、配線端部の近傍でボイドが爆発するのを防止でき、それにより配線が損傷することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅配線層３０と、銅配線層３０に比べ酸素による腐食の少ないアルミ配線層３２を銅配線層３０の上に形成した積層構造の配線層３３を形成する。したがって、配線層３３が銅配線層３０を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。また、配線層３３形成後に配線層３３が露出した状態で酸素を含む雰囲気中における処理を行なう場合でも、配線層３３が腐食されにくい。すなわち、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線層３３を得ることができる。 （もっと読む）