【課題】基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜に複数の凹部を形成するすることで、配線を形成する研磨時の絶縁膜剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に少なくとも２層以上の配線層を備えた多層配線を形成する工程を備え、配線層を形成する配線は、基板１１上に設けられた絶縁膜に配線用凹部（図示せず）を形成して配線用凹部内に導電膜４１を埋め込むように絶縁膜上に導電膜４１を形成する工程と、導電膜４１を研磨して配線用凹部内に導電膜４１を残すことで配線を形成する工程とにより形成される半導体装置の製造方法であって、絶縁膜は、第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２とを積層したものからなり、絶縁膜上に導電膜４１を形成する前に、基板周辺部における少なくとも第２絶縁膜２２に複数の凹部３１を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 配線の終端部におけるボイドの爆発により配線に損傷が生じるのを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜１１上に、複数の配線１３ａを互いに並ぶように形成すると共に、複数の配線１３ａの端部１３ｃ近傍に、複数の配線１３ａと交わる方向にダミーパターン１３ｂを形成する。次いで、絶縁膜１１上、複数の配線１３ａ上、及びダミーパターン１３ｂ上に、第２の絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜１１、複数の配線１３ａ、ダミーパターン１３ｂ及び第２の絶縁膜を加熱し、配線１３ａ相互間のボイドが膨張しても、ダミーパターン１３ｂが設けられているため、配線端部の近傍でボイドが爆発するのを防止でき、それにより配線が損傷することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅配線層３０と、銅配線層３０に比べ酸素による腐食の少ないアルミ配線層３２を銅配線層３０の上に形成した積層構造の配線層３３を形成する。したがって、配線層３３が銅配線層３０を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。また、配線層３３形成後に配線層３３が露出した状態で酸素を含む雰囲気中における処理を行なう場合でも、配線層３３が腐食されにくい。すなわち、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線層３３を得ることができる。 （もっと読む）

【目的】 ポーラス状に形成される多孔質低誘電率（ｐ−ｌｏｗｋ）膜内へのバリアメタルに用いたメタルの拡散を抑制することを目的とする。
【構成】 ｐ−ｌｏｗｋ膜を基体上に形成するｐ−ｌｏｗｋ膜形成工程（Ｓ１０２）と、前記ｐ−ｌｏｗｋ膜表面側に形成される空孔が前記ｐ−ｌｏｗｋ膜内部側の空孔へ連結する連結位置における開口サイズより大きい分子（Ｔａ−Ｒ１）を前記ｐ−ｌｏｗｋ膜表面に吸着させるＴａ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_５供給工程（Ｓ１０６）と、前記分子（Ｔａ−Ｒ１）と反応するＮＨ_３を供給し、ＴａＮ膜を形成するＮＨ_３供給工程（１１０）と、前記開口サイズより小さい分子（Ｔａ−Ｒ２）を吸着させるＴａＣｌ_５供給工程（Ｓ１１４）と、前記分子（Ｔａ−Ｒ２）と反応するＮＨ_３を供給し、ＴａＮ膜をさらに形成するＮＨ_３供給工程（１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、層間絶縁膜１と、層間絶縁膜１内に形成された下部配線５と、層間絶縁膜１上に形成されたライナー膜１１と、ライナー膜１１上に形成された層間絶縁膜１２とを備えている。下部配線５に下部孔８が開口しており、ライナー膜１１および層間絶縁膜１２には下部孔８に繋がる上部孔１０が開口しており、下部孔８の口径ｄ₂は上部孔の口径ｄ₁よりも大きくなっている。さらに、下部孔８の内壁面に形成された導電膜１５と、上部孔１０の内壁面に沿って形成されたバリアメタル１３と、上部孔１０内および下部孔８内を埋めるように形成されたＣｕ膜１９とを備えている。導電膜１５はバリアメタル１３と同じ物質を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を少ない面積で高密度に設ける。
【解決手段】 半導体装置１００は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１を貫通する断面矩形の貫通孔中に充填された構造体１２０を設ける。構造体１２０は、筒状貫通電極１０３と、ストライプ状貫通電極１０７と、シリコン１０５と、第一の絶縁膜１０９と、第二の絶縁膜１１１と、第三の絶縁膜１１３と、を備える。筒状貫通電極１０３を、シリコン基板１０１を貫通する筒状の導電体とする。また、ストライプ状貫通電極１０７を、シリコン基板１０１を貫通し、筒状貫通電極１０３の内側に筒状貫通電極１０３から離間して設ける。筒状貫通電極１０３の内側の領域に、複数の貫通電極１０７を互いに略平行に設ける。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】下部電極形成工程を別途設けることなく、少ない占有面積で大きな容量を持つＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＩＭキャパシタ形成領域Ａの第２の絶縁膜６には、Ｔａ／ＴａＮのようなバリア膜からなる下部電極１２とＡｌ₂Ｏ₃のような金属酸化膜からなる容量絶縁膜１３とＴｉＮのようなバリア膜からなる上部電極１４とを有するＭＩＭキャパシタ１５が形成されている。一方、配線形成領域Ｂの第２の絶縁膜６には、上部に設けられた第２配線部Ｗ２と下部に設けられた第２プラグ部Ｐ２が一体化形成されたバリア膜８ｂと導電膜９ｂからなる第２層配線１０ｂが形成されている。そして、ＭＩＭキャパシタ１５の下部電極１２と第２層配線１０ｂのバリア膜８ｂは共通のバリア膜を用いて同時に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 溝とビアを有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前のビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマによる絶縁膜ダメージのない半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 溝とビアを有する低誘電率絶縁膜１０２上にバリアメタルを成膜する前に、ビア底の高抵抗層１０４を、還元性のガスを用いた熱還元法にて除去し、真空保持のまま、バリアメタル１０５、めっきのシード層としての銅を形成する。 （もっと読む）

【課題】
酸化シリコン層、窒化シリコン層の積層ライナを備えたＳＴＩを有し、帯電を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチの内壁を覆う酸化シリコン層の第１ライナ層と、前記第１ライナ層の上に形成された窒化シリコン層の第２ライナ層と、前記第２ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、前記活性領域に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタと、前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタを覆って，前記シリコン基板上方に形成され，紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、を有する。 （もっと読む）

基板を処理する方法であって、フェニル基を含む有機シリコン化合物を含む処理ガスを処理チャンバに供給するステップと、処理ガスを反応させて低ｋ誘電物質によるダマシン又はデュアルダマシン適用においてバリヤ層として用いられる低ｋシリコンカーバイドバリヤ層を堆積させるステップとを含む、前記方法が提供される。低ｋシリコンカーバイドバリヤ層上に酸素を含まない有機シリコン化合物を含む処理ガスからのシリコン原子にフェニル基がほとんど結合されていないシリコンカーバイドキャップ層を堆積する方法が提供される。
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【課題】 多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜の誘電率を実効的に低減させ、微細で高信頼性のダマシン配線を有する半導体装置の実用化を容易にする。
【解決手段】 下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。そして、ビアホール３内にビアプラグ５が埋め込まれる。同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に配線用の微細凹部を形成した後の一連の配線形成処理を、ドライ処理とウェット処理の混合した処理を経ることなく連続的に安定して行えるようにする。
【解決手段】 表面に堆積した絶縁膜６２の内部に配線用の微細凹部６４を形成した基板Ｗを用意し、この基板Ｗの表面にウェット処理によりバリア層６８を形成し、このバリア層６８の表面にウェット処理によりシード層７０を形成し、このシード層形成後の基板の表面にウェット処理により配線層７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の更なる微細化に対応可能な、微細化されたコンタクトが確実に形成された素子特性に優れ、歩留まりの良い半導体装置、およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うエッチング保護膜を形成する工程と、前記エッチング保護膜を覆うように前記半導体基板上にバリアメタル層を形成する工程と、前記バリアメタル層上に導電性材料を堆積して導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをエッチングマスクとして前記導電性膜を選択的にエッチング除去してコンタクトを形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、前記半導体基板上における前記導電性膜がエッチング除去された領域に絶縁性材料を堆積して層間絶縁膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 配線間の絶縁膜を可能な限り除去して十分に低誘電率化を図り、エアギャップ形成時に配線にダメージを与えない構造を設けることで信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線を内部に形成した絶縁膜６の上下層に当該絶縁膜６よりウェットエッチング耐性が高い絶縁膜５，９を形成してなる配線層部と、絶縁膜６よりウェットエッチング耐性が高い材料からなり、配線を被覆するようにその周囲に形成された絶縁膜７と、上下層の絶縁膜５，９及び絶縁膜７と配線が内部に形成された絶縁膜４とのエッチング耐性の違いに基づいて、上下層の絶縁膜５，９及び絶縁膜７で囲まれた配線間の絶縁膜４を選択的にエッチング除去してなるエアギャップ部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッド部に流れる過電流が抑制されてパッド部におけるＥＳＤ耐性が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２上に第１の電位が与えられた第１のパッド８と、パッド８に電気的に接続された第１の導電層５が設けられている。基板２との間に少なくとも１層の第１の導電層５を挟んで第１の電位とは異なる第２の電位が与えられている第２のパッド１３が設けられているとともに、少なくとも１層の第２の導電層１０がパッド１３に電気的に接続されてパッド８，１３と基板２との間に設けられている。基板２上には、複数層の絶縁層４が積層されて設けられている。各絶縁層４は、パッド８および導電層５の少なくとも一方とパッド１３および導電層１０の少なくとも一方との間で容量絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライン形成技術によりセルフアライン形成領域の絶縁膜に形成されたコンタクトホールの径に比較してさらに開孔幅の大きな穴部を絶縁膜の上部に形成するためセルフアライン形成領域を再度エッチング処理する必要があったとしても、セルフアライン形成領域内のセルフアラインマスク膜に悪影響が及ぼされることなく、さらにセルフアライン形成領域に対して複数回に分けて接続配線を埋込み形成する必要をなくす。
【解決手段】 領域ＣＢ２に対して第１のコンタクトホール１６を形成した後、フォトレジスト３８、塗布型酸化膜３９、フォトレジスト４０の３層構造の多層レジスト構造４１を形成し、第５のシリコン酸化膜２３の上部に穴部２４および２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記問題を解決するためになされたもので、空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、低誘電率絶縁膜（１０２）上にバリアメタルを成膜する前に、ビア底の高抵抗層（１０４）を除去してなる半導体装置の製造方法において、前記ビア底の高抵抗層（１０４）を、熱を加えながら、還元性のガスを用いた熱還元法にて除去し、真空保持のまま、バリアメタル（１０５）、めっきのシード層としての銅を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に形成された絶縁膜（６）と、絶縁膜（６）中に形成された埋め込み金属配線（１０）と、絶縁膜（６）と金属配線（１０）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６）が存在している側から金属配線（１０）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（７）、金属化合物膜（８）及び金属膜（９）よりなる。金属化合物膜（８）の弾性率は、金属酸化物膜（７）の弾性率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置において、少ない面積で高密度に貫通電極を設ける。
【解決手段】 半導体装置１００において、シリコン基板１０１を貫通する孔に充填された多重貫通プラグ１１１を設ける。多重貫通プラグ１１１は、円柱状で中実の第一の貫通電極１０３、第一の貫通電極１０３の円筒面を覆う第一の絶縁膜１０５、第一の絶縁膜１０５の円筒面を覆う第二の貫通電極１０７、および第二の貫通電極１０７の円筒面を覆う第二の絶縁膜１０９からなり、これらは同じ中心軸を有する。また、第一の絶縁膜１０５、第二の貫通電極１０７および第二の絶縁膜１０９の上断面は円環状とする。 （もっと読む）