【課題】バリアメタル膜の表面に形成される自然酸化膜の膜厚を薄くし、ボイドの発生を防止した多層配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法において、絶縁層に孔部４を形成する工程と、少なくとも孔部の内壁を覆うように、タンタルと窒素を主成分とするバリアメタル膜５を形成する工程と、バリアメタル膜の表面に形成された酸化膜６を除去する工程と、銅を含むめっき液にバリアメタル膜を浸漬してバリアメタル膜上に無電解銅めっき膜７を形成する工程とを含み、バリアメタル膜に含まれる窒素とタンタルの元素組成比（Ｎ／Ｔａ）を、０．３以上で、かつ１．５以下とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル２０₁ が、配線溝１６の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚１６ｎｍのＴａＮ_0.87膜３１と、ＴａＮ_0.87膜上に形成され、配線溝１６に埋め込み形成されたＣｕダマシン配線１７に接する膜厚４ｎｍのＴａＮ_1.19膜３２とから構成されている。 （もっと読む）

半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。
【解決手段】 Ｃｕ配線に対応した保護膜として、当該Ｃｕの拡散防止及びビア孔２３形成時のエッチングストッパーとしての機能を有し、しかも低誘電率を示す構造の保護膜１６を提案する。この保護膜１６は、水素化シリコンカーバイド膜（ＳｉＣ：Ｈ膜）２１上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）２２が積層されてなる２層構成のものである。 （もっと読む）

【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ板と基板３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるＣｌ₂ ガスのプラズマによりＣｕ板をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ₂ ガスとの前駆体であるＣｕＣｌを形成し、この前駆体が基板３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ₂ ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部３ａにＣｕを埋め込んだ。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に研磨パッド及び基板１００に付着した異物を同時に除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９に複数の配線用溝１１０を形成した後、各配線用溝１１０が完全に埋まるようにＦＳＧ膜１０９の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１１）及び配線用導電膜（銅膜１１２及び１１３）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１０の外側の銅膜１１２及び１１３を研磨により除去した後、各配線用溝１１０の外側の窒化タンタル膜１１１を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＦＳＧ膜１０９の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、銅膜１１３及び１１４の研磨工程と同じ種類の研磨剤を用いてＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 配線遅延を抑止し配線の微細化及び多層配線化を可能とする配線構造、及び当該配線構造の材料に固有の諸問題、例えば一方の材料の他方の材料への溶出等の不都合を解決して、信頼性の高い配線構造を実現する。
【解決手段】 Ｃｕ配線１０１と電気的に接続されるWプラグ１０２を形成するに際して、■ＷＦ₆ガスを一定時間連続して供給する工程、■。ＷＦ₆ガス雰囲気を一定時間連続して排気除去する工程、■ＳｉＨ₄ガスを一定時間連続して供給する工程、■ＳｉＨ₄ガス雰囲気を一定時間連続して排気除去する工程からなる一連工程（工程■〜■）を繰り返し行い、Ｗ核形成を行う。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】感光性絶縁膜を用いたダマシン配線法により、微細で信頼性の高い多層配線構造を形成する。
【解決手段】感光性ポリシラザンを主成分とした感光性絶縁膜で第１ビアホール６を有するビアホール用絶縁膜７を形成し、全面にスピン塗布法で第２の感光性絶縁膜８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法による露光／現像のみで上記第１ビアホール６の上部に配線溝９あるいは第２ビアホール１０を形成する。そして、この配線溝９および第２ビアホール１０に導電体材料を埋め込んでデュアルダマシン配線を形成する。ここで、感光性絶縁膜の下層に反射防止機能を有しそのまま層間絶縁膜として使用できる絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低コストにて歩留まり，信頼性，電気的特性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】 絶縁膜６０上の下層絶縁膜６１に銅の下層配線６２を形成（Ｓ６１）した後、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜６３，ストッパ膜６４を順次形成し、ストッパ膜６４における下層配線６２上に孔６４ａを形成してから、ドライエッチングして層間絶縁膜６３にコンタクトホール６３ａを形成する（Ｓ６２）。その後、上層絶縁膜６５を形成しマスク６６を介してドライエッチングすることにより、上層絶縁膜６５に溝部６５ａを形成すると共に、コンタクトホール６３ａ中の上層絶縁膜６５を除去する（Ｓ６３）。そして、バリア膜６７を形成（Ｓ６４）した後、Ｃｕ−Ｎｉ膜，Ｃｕ−Ｚｎ膜，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｎｉ膜のうち何れかを堆積してシード膜６８を形成する（Ｓ６５）。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを配線基板に積層しても、半導体チップを積層した半導体装置の厚みおよび基板面積の増大および半導体チップ間の配線長の増加を招かない半導体チップ、その製造方法および半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体基板１３と、半導体基板１３の第１の面１４に形成された第１の外部電極２１と、半導体基板１３の第２の面１７に形成された第２の外部電極２２と、半導体基板１３に形成された貫通孔１６とを有し、貫通孔１６は第２の面１７となす内角が鈍角をなして形成された斜面１５に設けられ、第１の外部電極２１と第２の外部電極２２とは、貫通孔１６の内壁および斜面１５を経由して形成された導電パターン１９により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）