【課題】本発明は、コンタクト電極の形状を改善し、コンタクト抵抗を低くすることがで
きる。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板上１０に形成されたゲート絶縁膜１１と、
半導体基板１０上にワード線方向に沿って配置され、ゲート絶縁膜１１を介して形成され
た浮遊ゲート電極１２と、浮遊ゲート電極１２上に第１ゲート間絶縁膜１３を介して形成
された制御ゲート１４を有する複数のメモリセルトランジスタＭＣと、ゲート絶縁膜１１
上に形成されたボトム電極３２と、ゲート絶縁膜１１及びボトム電極３２に形成された開
口ＥＩＩを通じて半導体基板１０に接するトップ電極３３と、開口ＥＩＩの下に形成され
、半導体基板１０と逆の不純物濃度の型である接続拡散層３１とを有するビット線コンタ
クトＢＣとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボイド、ディッシング、及びエロージョンの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に幅の異なる複数の開口部３６，３７を形成し、次いで、絶縁膜の上面、及び幅の異なる複数の開口部内にシード層３８を形成し、次いで、第１の成長速度により、シード層の表面を覆う第１のめっき膜７１を形成し、次いで、第１の成長速度よりも速く、かつボイドを生じさせない第２の成長速度により、第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜７２を形成し、次いで、第２の成長速度よりも速い第３の成長速度により、第２のめっき膜上に第３のめっき膜７３を形成し、その後、シード層及び第１乃至第３のめっき膜のうち、絶縁膜の上面よりも上方に形成された部分を研磨により除去することで、開口部内に少なくとも第１及び第２のめっき膜よりなる導電部を形成する。 （もっと読む）

本願は、半導体デバイス及びその製造方法に関するものである。本発明の半導体デバイスの製造方法は、半導体基板を提供する工程と、半導体基板に、該半導体基板に形成されたゲート絶縁層及び該ゲート絶縁層に形成された犠牲ゲートを含むゲート領域と、ソース／ドレイン領域とを含むトランジスタ構造を形成する工程と、第１の層間絶縁層を堆積し、犠牲ゲートを露出させるように該第１の層間絶縁層に対して平坦化を行う工程と、犠牲ゲートを除去して、リプレースメントゲートホールを形成する工程と、第１の層間絶縁層におけるソース／ドレイン領域に対応する位置に、第１のコンタクトホールを形成する工程と、第１のコンタクトホール及びリプレースメントゲートホールに第１の導電材料を充填して、ソース／ドレイン領域に接触する第１のコンタクト部と、リプレースメントゲートとを形成する工程とを含む。本発明によれば、リプレースメントゲートと第１のコンタクト部は、同一の工程で同じ材料を堆積して形成することができるため、製造プロセスを簡単化できた。
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【課題】本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。
【解決手段】半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。デバイス要素は誘電体材料及び誘電体中に形成されたくぼみを含む。くぼみ内の誘電体材料の表面は、制御されたパラメータ下で窒素に露出される。くぼみの内部に隣接した誘電体材料の部分は、シリコン窒化物に変換される。
耐熱性金属は次に、くぼみの側壁に沿って、適合して堆積される。次に、耐熱性金属薄膜上にシード層が堆積され、次にくぼみ内に導電性金属が堆積される。次に、くぼみの外の過剰の金属を除去し、デバイスを平坦化するため、デバイスを研磨する。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。また、固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供する。
【解決手段】第１の半導体ウェハ３１と、第２の半導体ウェハ４５とを、基板間配線６８で接続する構成とする。基板間配線は、第１の半導体ウェハ３１表面の第１の多層配線層に形成される接続孔６６と、第２の半導体ウェハ４５表面の第２の多層配線層に形成された貫通接続孔６５とに、導電材料が埋め込まれて形成されている。そして、貫通接続孔６５は接続孔６６の直径よりも大きく形成されている。これにより、貫通接続孔６５の構内に導電材料を埋め込む際のボイドの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの薄型化工程および分割工程における半導体デバイスの歩留まり低下を抑制し、基板両面に配線層を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１１０の製造方法は、基板１０１の一方の面に第１の半導体素子１０２を形成する工程と、第１の半導体素子１０２上に第１の配線層１０４を形成する工程と、支持基板上に保護樹脂層を形成する工程と、第１の配線層１０４と保護樹脂層とが接触するように、支持基板を基板１０１に支柱を介して固定する工程と、基板１０１の他方の面側に第２の配線層４０４を形成する工程と、基板１０１の一部及び支柱の一部又は全部を除去して基板１０１と支持基板とを分離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と第１のコンタクトプラグとが接触する接触幅を充分に確保する。
【解決手段】半導体基板１０の上に、エッチングストッパー膜１７、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜１９を順次形成する。次に、第１，第２の層間絶縁膜１８，１９を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜１７を露出する第１のホール２３を形成する。次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。次に、第１の変質層２５を除去して、第２のホール２７を形成する。次に、エッチングストッパー膜１７における第２のホール２７に露出する部分を除去して、第１のコンタクトホール２９を形成する。次に、第１のコンタクトホール２９に、第１のコンタクトプラグ３２Ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板２０と、シリコン基板２０の上方に形成された層間絶縁膜３８と、層間絶縁膜３８の上に互いに間隔をおいて複数形成されたヒューズ４１ａ、４１ｂと、層間絶縁膜３８の上であって、隣接するヒューズ４１ａ、４１ｂの間に形成されたダミーパターン４１ｘと、ヒューズ４１ａ、４１ｂのうちの少なくとも一部とダミーパターン４１ｘとを覆うと共に、下から順に塗布型絶縁膜４６と窒化シリコン膜４７とを備えたパシベーション膜４８と有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームが発生しにくい構造体とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】チップ面積が小さく、製造コストが低い集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路装置の製造方法において、複数の第１絶縁層及び複数の第２絶縁層を１層ずつ交互に積層させて積層体を形成すると共に、少なくとも２層の前記第２絶縁層内に少なくとも２本の配線を形成する工程と、前記積層体における前記積層体の積層方向から見て前記配線から離隔した位置に、前記積層方向に延びるコンタクトホールを形成する工程と、前記第２絶縁層における前記コンタクトホールと前記配線との間の部分を除去する工程と、前記第２絶縁層が除去された部分及び前記コンタクトホールの内部に導電材料を埋め込む工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるコンタクトホールを同時に形成することを可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の溝部７内に形成された第１の埋め込み配線１１と、第２の溝部１２内に形成された第２の埋め込み配線１４と、第１の埋め込み配線１１上に第１のコンタクトプラグ２４が形成される第１のコンタクト形成領域２３と、第２の埋め込み配線１４上に第２のコンタクトプラグ２６が形成される第２のコンタクト形成領域２５とを備え、第１のコンタクト形成領域２３の上面２３ａが第１の埋め込み配線１１の上面１１ａよりも高い位置にあり、第２のコンタクト形成領域２５の上面２５ａが第２の埋め込み配線１４の上面１４ａと同じかそれよりも高い位置にあり、第１のコンタクト形成領域２３の上面２３ａが第２のコンタクト形成領域２５の上面２５ａと同じかそれよりも高い位置にある。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 第１絶縁膜に設けた凹部の側壁に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の内側に順に第２絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、炭素を含有する第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設けるとともに、前記第１の導電性バリア層と前記第２の導電性バリア層との界面と、前記第２の導電性バリア層と前記第３の導電性バリア層との界面に炭素混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シェアードコンタクトを備えた半導体装置において、コンタクトホールの開口不良やコンタクト抵抗の増大を防止しつつ、接合リーク電流の発生に起因する歩留まりの低下を防止する。
【解決手段】半導体基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース／ドレイン領域１０６が形成されている。シェアードコンタクトは、ソース／ドレイン領域１０６とは接続し且つゲート電極１０３とは接続しない下層コンタクト１１３と、下層コンタクト１１３及びゲート電極１０３の双方に接続する上層コンタクト１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔となるべきアスペクト比が２０以上の深孔を埋め込む貫通電極金属としては、埋め込み特性が良好なタングステンが使用されることが多いが、通常のドライエッチングによる深孔は、ボッシュプロセスによるものに比べて寸法の大きなものとなる。この比較的大きな深孔を埋め込むためには、必然的にウエハの表面に成膜すべきタングステン膜の膜厚も厚くなり、その結果、ウエハの反りが、プロセスを正常に実行できる限界を超える程度にまで増加する。また、このような問題が許容できる限度内である場合にも、タングステン膜を堆積する際に、ウエハの周辺で下地膜の剥がれが発生する等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、貫通ビアを形成するための非貫通孔をタングステン部材で埋め込むに当たり、ウエハの周辺部において、下地のバリアメタル膜の外延部より内側に、タングステン部材の外延部を位置させるように成膜を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１の導電性材料からなる第１のコンタクトと、第２の導電性材料からなり、下端部が第１のコンタクトの上端部に接続された第２のコンタクトと、第３の導電性材料からなり、下面が第１のコンタクトの下面よりも上方に位置し、上面が第２のコンタクトの上面よりも下方に位置し、第１及び第２のコンタクトから離隔した中間配線と、を設ける。そして、第２の導電性材料に対する第１の導電性材料の拡散係数は、第２の導電性材料に対する第３の導電性材料の拡散係数よりも小さい。 （もっと読む）