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Fターム[5F033NN07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間構造の特徴点 (9,232) | コンタクトホールへの穴埋め構造 (6,462) | 介在層を有するもの (6,157) | バリア層を含むもの (2,805)

Fターム[5F033NN07]に分類される特許

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【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ(半導体装置)において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 (もっと読む)


【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Gを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 (もっと読む)


【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路50と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路50は、半導体基板1に形成された半導体素子2を備えている。該能動素子回路は、半導体基板1の上方に形成された拡散絶縁膜7−1の上に形成された半導体層8−1、8−2を用いて形成されたトランジスタ21−1、21−2を備えている。この能動素子回路がロジック回路50により制御される。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を効率良く形成する。
【解決手段】シリコン基板1にビアホール25を形成し、絶縁膜22を形成した後、ビアホール25に低誘電率膜31を埋め込む。ビアホール25内の低誘電率膜31の膜厚を異方性ドライエッチングによって所望の値に減少させる。この異方性ドライエッチングによって、絶縁膜22上の低誘電率膜31が除去される。続いて、ビアホール25内に導電材を埋め込み、トランジスタT1,T2上に多層配線を形成する。この後、シリコン基板1の裏面側を研磨して導電材を露出させると、貫通電極が形成される。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることができる高集積化された半導体チップ及びこれを含む半導体パッケージが提供される。
【解決手段】本発明にしたがう半導体チップは、基板と、前記基板を貫通している貫通ビアと、前記貫通ビアと前記基板との間に介在されたウェッティング膜と、前記ウェッティング膜と前記貫通ビアとの間に介在されたシード膜と、を含む。本発明の実施形態による半導体チップは突出された貫通ビアをウェッティング膜が覆っているので、導電パッドを追加に形成する必要がない。したがって、半導体チップの厚さを減らすことができ、構造が単純化されて半導体装置の高集積化により有利である。また、工程を単純化することができるので、生産収率を増大させ得る。 (もっと読む)


【課題】Low−k膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】ダイシング領域側の各層にダミービア125,135,145,155,165を形成する。ダミービア125,135,145,155,165は上面からみて、縦横に等間隔に配置、あるいは千鳥配置されるように形成する。ダイシング時にクラックが発生しても、ダミービア125,135,145,155,165によって、クラックがシールリング部190にまで伝播するのを抑制することができる。その結果、回路形成領域の吸湿耐性を向上させ、信頼性の劣化を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】アライメント光によるアライメントマークの検出感度を向上させて、低コストで貫通孔の位置合わせを行う。アライメントマークの誤検出を防ぐ。また、アライメントマーク検出時のアライメント光の露光マージンを大きくして、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の非有効ショット領域において、半導体基板の主面又は主面よりも上方にアライメントマークを形成する。半導体基板の裏面の方から、アライメントマークが形成された位置に対応する開口を形成する。半導体基板内に形成されている半導体装置の構成パターンと露光用マスクパターンとの位置合わせをして、有効ショット領域の半導体基板内に貫通孔を形成する。 (もっと読む)


【課題】実施形態は、一括して形成することが可能なメモリセルを有し、その直下に制御回路を設けた構成を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、基板上に設けられたメモリアレイと、前記基板と前記メモリアレイとの間の前記基板の表面に設けられた制御回路と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記制御回路のp形半導体領域およびn形半導体領域を覆う絶縁層に、前記p形半導体領域に連通する第1のコンタクトホールを形成する工程と、前記第1のコンタクトホールの内部に、前記p形半導体領域に接したコンタクトプラグを形成する工程と、を備える。さらに、前記n形半導体領域に連通する第2のコンタクトホールを前記絶縁層に形成する工程と、前記コンタクトプラグと、前記第2のコンタクトホールの内部に露出した前記n形半導体領域と、に接する配線を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子の下方の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】半導体基板1の主面上には複数の配線層が形成されている。この複数の配線層のうちの最上の配線層MHの直下の第5配線層M5において、最上の配線層MHのボンディングパッドPDのプローブ接触領域PAの直下には、導体パターン(第5配線5F、ダミー配線およびプラグ6C)を形成しない。上記第5配線層M5において、最上の配線層MHのボンディングパッドPDのプローブ接触領域PAの直下以外の領域には、導体パターン(第5配線5F、ダミー配線およびプラグ6C)を形成する。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、埋設導電部間のショートが起き難くすること。
【解決手段】半導体素子を有する素子領域と貫通電極が形成される貫通電極領域とを有する基板の上に第1絶縁膜を形成し、前記素子領域上の前記第1絶縁膜に凹部を形成し、前記貫通電極領域上の前記第1絶縁膜にダミー凹部を形成し、前記第1絶縁膜上、前記凹部内、および前記ダミー凹部内に第1導電材を形成し、前記第1導電材および前記第1絶縁膜の上部を研磨して、前記凹部内に導電部を形成すると共に前記ダミー凹部内にダミー導電部を形成し、前記貫通電極領域上の前記第1絶縁膜および前記貫通電極領域をエッチングして前記基板内に至る貫通電極ホールを形成した後、前記貫通電極ホール内に第2導電材を形成し、前記貫通電極ホール内に形成された第2導電材が露出するまで前記基板の裏面を研磨して、前記貫通電極を形成すること。 (もっと読む)


【課題】良好な電気的特性が得られる不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の配線103と、第1の配線103上に形成され、第1の配線103に接続される第1のプラグ107及び第2のプラグ108と、第1電極109、第2電極113、及び抵抗変化層112を有し、第1のプラグ107上に形成され、第1電極109が第1のプラグ107と電気的に接続されている抵抗変化素子114と、抵抗変化素子114上に形成され、第2電極113と電気的に接続されている第2の配線119と、第2のプラグ108上に形成され、第2のプラグ108と電気的に接続されている第3の配線121とを備え、第1のプラグ107の上面と第2のプラグ108の上面とが略同一平面内に形成され、かつ第2の配線119の上面と第3の配線121の上面とが略同一平面内に形成されている。 (もっと読む)


【課題】低抵抗の微細配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1配線420は、半導体基板100上に設けられている。第1ビア440は、第1配線420上に設けられている。また、第1ビア440の底面は、第1配線420に接している。第1絶縁層330は、半導体基板100上に設けられ、少なくとも第1配線420の上面および第1ビア440の側面と接している。第1配線420および第1ビア440のうち各々の側面の少なくとも一部は、各々の金属の結晶粒を分断している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る2以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び/又はC4以上のモノアルコールのうち少なくとも1種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【課題】VLSI技術及びULSI技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 (もっと読む)


【課題】基板を貫通する電極の形成に適用できる新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、半導体基板に孔を形成する工程と、半導体素子の上方と孔の内壁および底を覆うように絶縁膜を形成する工程と、異方性エッチングにより、半導体素子の上方と孔の底の絶縁膜を除去する工程と、孔の底に金属拡散防止膜を形成する工程と、孔に導電膜を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ダマシン構造のCu配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるCF膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 (もっと読む)


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