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Fターム[5F033NN07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間構造の特徴点 (9,232) | コンタクトホールへの穴埋め構造 (6,462) | 介在層を有するもの (6,157) | バリア層を含むもの (2,805)

Fターム[5F033NN07]に分類される特許

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【課題】デュアルダマシン法を用いて層間絶縁膜内にCu配線を形成する際、硬度が低い層間絶縁膜および硬度が高い層間絶縁膜のそれぞれに形成されたビアホール内に配線材料を良好に埋め込むことができるようにする。
【解決手段】第2層間絶縁膜17には、配線溝30aとビアホール28aとが形成されている。また、ビアホール28aの開口部には、第2層間絶縁膜17を斜め下方に後退(リセス)させることによって、テーパ状の断面形状を有するリセス部31が形成されている。これにより、ビアホール28aの開口部の直径は、開口部よりも下方の領域の直径に比べて大きくなり、ビアホール28aの直径が微細な場合であっても、ビアホール28aの内部に配線材料を良好に埋め込むことができる。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第1の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第1の埋め込み膜よりも高密度のである第2の埋め込み膜と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高集積化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、相互に平行に延びる複数本の積層体であって、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、を有する積層体と、前記ゲート電極の上端部の側面を覆い、前記ゲート電極における前記ゲート絶縁膜に接する部分の側面は覆わない絶縁側壁と、前記半導体基板上に設けられ、前記積層体を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内における前記積層体の相互間に設けられ、前記半導体基板に接続されたコンタクトと、を備える。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた層間絶縁膜40に開口部48を形成する工程と、開口部48の側面上および底面上、ならびに層間絶縁膜40上に第1金属材料からなる第1膜10を形成する工程と、第1膜10上であって、開口部48内および層間絶縁膜40上に、第1金属材料よりも電気陰性度が小さい第2金属材料からなる第2膜20を形成する工程と、第2膜20上に、第2金属材料よりも電気陰性度が小さい第3金属材料からなる第3膜30を形成する工程と、熱処理する工程と、開口部48外に位置する第1膜10および第2膜20、ならびに第3膜30を研磨によって除去する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 金属部材の表面に、再現性よくバリア膜を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、下部バリア膜を形成する。下部バリア膜の上にシード膜を形成する。シード膜の一部の領域上に、導電部材を形成する。導電部材をエッチングマスクとして、シード膜をエッチングし、導電部材の形成されていない領域において、下部バリア膜を露出させる。下部バリア膜の表面には堆積しない条件で、導電部材の表面に選択的に上部バリア膜を成長させる。上部バリア膜をエッチングマスクとして、下部バリア膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】製造工程の増大を抑制し、コンタクト抵抗および界面抵抗の増大を防止する。
【解決手段】実施形態において、シリコン層は、ゲートラストスキームを用いた機能的ゲート電極の製造後に、形成される。初期的な半導体構造物は、半導体基板上に形成された少なくとも一つの不純物領域、不純物領域の上に形成された犠牲膜、犠牲膜の上に形成された絶縁層、絶縁層の上に形成された絶縁層を備える。ビアは、初期の半導体構造物の絶縁層へ、および、コンタクト開口部が絶縁層に形成されるように絶縁層の厚さを通り抜けて、パターン化される。次に、絶縁層の下にある犠牲膜は、絶縁層の下に空隙を残して除去される。次に、金属シリサイド前駆体は、空隙スペースに配置され、金属シリサイド前駆体は、アニールプロセスを通じてシリサイド層に変換される。 (もっと読む)


【課題】LSIチップの製造コストを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、第1の電源配線を含む第1の電源配線層を備える複数のLSI領域と、前記半導体基板に形成された第1の電源端子と、前記LSI領域の間のダイシングライン領域に、前記LSI領域と前記ダイシングライン領域とを区画するダイシングラインに沿って形成され、前記第1の電源配線と前記第1の電源端子とを電気的に接続する第2の電源配線を含む第2の電源配線層と、を備える。少なくとも前記LSI領域において、前記第1の電源配線と前記第2の電源配線との境界にバリアメタル膜が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ドレイン電極とドレイン層とのコンタクト抵抗を低減できる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、第1導電型のドレイン層と、ドレイン層上に形成された第1導電型のドリフト層と、ドリフト層上に選択的に形成された第2導電型のベース層と、ベース層上に選択的に形成された第1導電型のソース層と、ゲート絶縁膜を介して、ドリフト層、ベース層及びソース層に跨って形成されたゲート電極と、ベース層及びソース層に電気的に接続されたソース電極と、ドリフト層を貫通して、底部の少なくとも一部がドレイン層にまで達する第1のトレンチ内に形成され、ドレイン層と電気的に接続されたドレイン電極と、を備え、底部には、凹凸が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 より信頼性の高いCu−Cu接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置1を、第1の配線18を含む第1半導体部10と、第1半導体部10と貼り合わせて設けられ、第1の配線18と電気的に接合された第2の配線28を含む第2半導体部20とを備える構成とする。さらに、半導体装置1は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物17bを備える。そして、この金属酸化物17bを、第1の配線18及び第2の配線28の接合界面Sj、並びに、第1の配線18及び第2の配線28の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 (もっと読む)


【課題】配線部を通じた信号伝搬速度を向上できるようにした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された、前記第1絶縁膜より比誘電率が高い第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜と隣接する側面が順テーパ形状を有し、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を貫通して形成された複数の縦柱状プラグと、前記第2絶縁膜上に形成された、前記第2絶縁膜よりも比誘電率が低い第3絶縁膜と、前記複数の縦柱状プラグの上部に到達するように前記第3絶縁膜に形成された複数の溝と、前記複数の溝内にそれぞれ形成され、前記複数の縦柱状プラグの上部に一部がそれぞれ接触する金属からなる複数の配線部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥が可及的に少なく、従来よりも抵抗率の低い高質のグラフェンを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられた配線とを具備する。前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の(111)面もしくは前記六方最密構造の(002)面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向しているか、または、前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、アモルファス構造もしくは微結晶構造を有する。前記触媒層は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の(111)面もしくは前記六方最密構造の(002)面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向する。 (もっと読む)


【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 (もっと読む)


【課題】微細配線においてボイドの発生を確実に防ぐ。
【解決手段】層間絶縁膜102、103に形成された開口部12の底面及び側壁、並びに、開口部12以外の層間絶縁膜103上にあるフィールド部に、第一の金属を含むシード膜を形成し、シード膜上にレジストを形成して、開口部12をレジストで埋め込んだ後、開口部12の底面上に形成されたシード膜にレジストを残しつつレジストの一部を除去して、開口部12の側壁202A、Bの上部からフィールド部203にわたって形成されたシード膜を露出させ、開口部12の側壁の上部、及び、フィールド部203に位置するシード膜上に、第一の金属よりも抵抗率が高い第二の金属を含むカバー膜を形成した後、レジストを除去してシード膜を露出させ、露出させたシード膜に、第一の金属を含むめっき膜を形成するものである。 (もっと読む)


【課題】 変性処理およびその後の溶解処理によるダメージにより低誘電率膜のk値が上昇した場合にも十分にk値を回復させることができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 低誘電率膜をエッチング処理して所定パターンを形成し(ステップ3)、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性し(ステップ8)、ステップ8の後、パターンが形成された低誘電率膜の表面にシリル化剤を供給し、ステップ8の際に低誘電率膜に入ったダメージを回復するためのシリル化処理をし、変性された物質を溶解除去し(ステップ9)、ステップ9の後、パターンが形成された低誘電率膜の表面にシリル化剤を供給し、ステップ9の際に低誘電率膜が受けたダメージを回復するためのシリル化処理をし(ステップ10)、ステップ10の後、基板をベークしてシリル化処理後の低誘電率膜の比誘電率を下げる(ステップ11)。 (もっと読む)


【課題】マイグレーションの問題を生じることなく、微細でアスペクトの高く絶縁特性に優れた絶縁膜を備えた貫通電極を有する素子付き基板、赤外線センサーおよび貫通電極形成方法を提供する。
【解決手段】予め、素子回路形成前のベース基板にビアホールを形成し、前記ベース基板の素子回路形成面と前記ビアホールの内面に熱酸化により絶縁膜を形成する熱酸化を行なう。前記熱酸化工程後に前記ビアホール形成部に導電部を有する素子回路を形成した後、前記素子回路形成工程後に前記ビアホールに導電体を埋め込み形成するようにしている。 (もっと読む)


【課題】ダマシンプロセスによる銅の充填において、銅シード層の完全性を失わないように行う。
【解決手段】誘電体層に半導体結線形状を形成するための方法は、誘電体層上に形成された形成されたバリア層上、および誘電体層のエッチング形状内に、銅シード層を蒸着する工程を含む。次いで、銅シード層は、酸化された層を銅シード層から除去するために処理を施される。次いで、その方法は、処理された銅シード層上に銅充填層を電気メッキする工程に進む。銅充填層は、誘電体層のエッチング形状を満たすよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第1の配線層と、第2の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第2の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 (もっと読む)


【課題】対向するバンプ、パッド等を良好に接続し、接続部分の水平強度を高めるための半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板2の上方に形成される第1絶縁膜15と、第1絶縁膜15内に形成される導電パターン19と、第1絶縁膜15上に形成される第2絶縁膜21と、第2絶縁膜21内に形成され、導電パターン19に接続されるビアプラグ24と、記ビアプラグ24の上に接続され、開口部25aを有する電極パッド25と、第2絶縁膜21内でビアプラグ24の周辺に形成される内部空間21aとを有し、電極パッド25上面及び開口部25a内には外部の突起状電極58が接続される。 (もっと読む)


【課題】Niシリサイドを用いてSiC上で信頼性の高い低抵抗の電極を低コストで得る。
【解決手段】n型SiC層11上にNi層12が形成される(図1(a))。熱処理を行うことによってNi層12のNiとn型SiC層11のSiとを反応させ、Niシリサイド層13を形成させる(図1(b))。この状態で酸化雰囲気中で熱処理を行う(図1(d))。還元雰囲気中で例えば300〜400℃で熱処理を行う(図1(f):還元処理工程)。これにより、酸化層15は還元され、Ni等で構成された還元層16となる。この還元層16は、ウェットエッチングで除去することができる(図1(g):エッチング工程)。その後、Niシリサイド層13の上に配線層となるTi/Al層30を形成する(図1(h))。 (もっと読む)


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