【課題】微細でアスペクト比の高い孔や溝あるいは凹部等の内部に超臨界流体を用いて導電体を設ける際にその制御性を向上させることができる導電体の形成装置を提供する。
【解決手段】導電体形成装置１を反応容器２、供給装置３、排出装置４などから構成する。反応容器は、その内部に導電体が設けられる凹部が表面に形成された被処理体が収容されるとともに導電体の原料となる金属を含む金属化合物が溶解した超臨界流体が供給される。供給装置により超臨界流体を反応容器内に連続的に供給するとともに、排出装置により凹部内に導電体を設けるプロセスに供しない超臨界流体を反応容器の外部に連続的に排出して反応容器内の超臨界流体の量を調整しつつ、超臨界流体中の金属化合物を被処理体の表面に接触させて凹部内に導入する。凹部内の金属化合物を凝集させて金属化合物から金属を析出および固化させて凹部内に導電体を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで、かつデバイスへのダメージも少なく、微細化されたパターンの形状および膜厚を高精度に制御できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法は、凹凸の形状が設けられた版と仮基板を、インク３０を介して貼り合わせる工程と、版を剥離し、インクに凹凸の形状を設けてインク層を形成する工程と、インクの凸部と基板５０を貼り合わせる工程と、仮基板を剥離し、インク層を基板に転写する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】銅板の突起構造と半導体素子の電極とを対向させた状態で接続する際の位置合わせ精度を向上させるとともに、半導体モジュールの製造コストの低減を図る。
【解決手段】表面Ｓに半導体素子２の電極２ａとパターン部７ｂとを設けた半導体基板１を用意する。第１の主面Ｓ１とその反対側の第２の主面Ｓ２を有し、第１の主面Ｓ１に設けた突起部４ａと第２の主面Ｓ２に設けた溝部４ｂとを備える銅板４ｘを形成する。パターン部７ａとこれに対応する溝部４ｂが所定の位置関係になるように銅板４ｘの位置を調整することで突起部４ａと電極２ａとの位置合わせを行い、銅板４ｘの第１の主面Ｓ１側と半導体基板１とを絶縁層８を介して圧着し、突起部４ａが絶縁層８を貫通した状態で突起部４ａと電極２ａとを電気的に接続する。第２の主面Ｓ２側に所定パターンの再配線パターン４を形成する。 （もっと読む）

【課題】幅広い材料を使用することができ、しかも、描画速度が速い回路パターンの修復方法及び装置、並びに、それに用いる転写材を提供する。
【解決手段】レーザ光を透過させるガラス板４０の片面に導電性被膜３９を形成してなる転写板１８を、ガラス基板７のゲート電極４１の断線箇所に対向するように配置し、転写板１８とガラス基板７との間に窒素ガスを供給する一方、前記転写板１８のガラス板４０側からレーザ光４２を照射することにより、導電性被膜３９を、ガラス基板７の断線箇所に転写して修復するようにしている。また、転写板１８を保持するホルダ２３は、窒素ガスをガラス基板７に向けて噴射する噴射孔よりも転写板１８の外周側に延びて、レーザ光の光路となる開口を有している。 （もっと読む）

【課題】
本発明はパターン転写装置，パターン転写方法および転写用原版の構造と製造方法に係り、特に線幅が１０マイクロメーター以下の微細なパターンを転写する装置や方法に関する。
【解決手段】
被転写基板にパターンを転写する装置において、媒体を入れる液溜めと液溜め内部の圧力を高める圧力調整機構と液溜めに開口された第１のオリフィスと第１のオリフィスを一側面に有する気化室と気化室の一側面に開口された第２のオリフィスと被転写基板と被転写基板を二次元面内に移動させる駆動機構とを備え、気化した媒体が被転写基板上にパターンを描画するパターン転写装置によって達成される。
【効果】
表面張力の制約を受けずに微細なパターンを転写できるため、電子部品の製造を簡便にできる効果を得られる。 （もっと読む）

半導体装置（１０）は、例えば、炭素などのナノチューブから形成される横方向導体又は配線を備える。犠牲層（１６）は、基板（１２）の上方に形成される。誘電体層（１８）は、犠牲層の上方に形成される。横方向開口（３４）は、二つの金属性触媒柱の間に位置する誘電体層の一部と犠牲層とを除去することによって形成される。横方向開口は、首部分と、ナノチューブを成長させる制約スペースとして用いられる空洞部分とを含む。プラズマ（３６）は、ナノチューブの形成方向を制御する電場を形成する電荷を加えるために用いられる。ナノチューブ（４２，４４）は、各金属性触媒柱から横方向に成長すると共に、隣接するか、或いは一つのナノチューブに合体する。ナノチューブは、首部分（２４）又は金属性触媒柱（２０，２２）と接触することができる。
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【課題】フォトリソグラフィ工程の回数を削減し、製造工程を簡略化し、低いコストで歩留まり良く製造すること可能となる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜し、レーザビームを遮蔽する遮蔽物を有するフォトマスクを通してレーザビームを照射し、半導体膜中の、フォトマスク中の遮蔽物が形成されない領域を介してレーザビームが照射された領域は昇華し、フォトマスク中の遮蔽物が形成された領域によりレーザビームが照射されなかった領域は昇華せずに島状半導体膜が形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方である第１の電極と、ソース電極またはドレイン電極の他方である第２の電極が形成され、ゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成される半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】下地の材質に拘らず、微細でアスペクト比の高い孔や凹部あるいは溝等の内部に超臨界流体を用いて導電体を効率よく選択的に、かつ、容易に設けることができる導電体の選択形成方法を提供する。
【解決手段】導電体２１を設ける凹部１５が形成された被処理体１６および導電体２１の主成分となる金属２０を含む金属化合物１８を超臨界流体を含む雰囲気下に配置するとともに、金属化合物１８の少なくとも一部を超臨界流体中に溶解させる。超臨界流体中に溶解した金属化合物１８ａを被処理体１６の表面に接触させて凹部１５内に選択的に導入するとともに、凹部１５内に導入された金属化合物１８ａを凹部１５内で凝集させて金属化合物１８ａから金属２０を析出させる。凹部１５内に析出した金属２０を固化させることにより凹部１５内に導電体２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅膜の表面にマンガン化合物膜を残すことにより、歩留まりおよび配線信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１上に層間絶縁膜４を形成する工程と、層間絶縁膜４に開口部４ａ，４ｂを形成する工程と、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第１マンガン含有銅膜を形成する工程と、層間絶縁膜４の表面に、マンガン化合物膜８を形成する第１アニール処理を行う工程と、マンガン化合物膜８上であって、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第２マンガン含有銅膜６−２を形成する工程と、開口部４ａ，４ｂを埋め込む銅膜７−２を形成する工程と、層間絶縁膜４上に形成された銅膜７−２を除去する工程と、銅膜７−２と層間絶縁膜４の界面および銅膜７−２の表面に、マンガン化合物膜８，１０を形成する第２アニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】コンタクトホールまたはビアホール内に、ＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を形成する。その後、ＷＦ₆ガスをＢ₂Ｈ₆ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線やビアの構成材料として銅を含む半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、その上に形成された第１の絶縁層１０２と、第１の絶縁層１０２上に形成され、銅を主成分として含むビア１０４（第１の金属膜１０８）と、第１の絶縁層１０２上に第１の金属膜１０８に接して設けられ、Ｒｕ、ＴａまたはＴｉを含む第４の層１１８ａ、Ｗを含む第５の層１１８ｂ、およびＲｕ、ＴａまたはＴｉを含む第６の層１１８ｃがこの順で形成された第２のバリアメタル膜１１８と、第２のバリアメタル膜１１８上に第６の層１１８ｃに接して設けられ、銅を主成分として含む第２の金属膜１２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

【課題】容易にかつ安価に多層配線構造を構築することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの薄膜担持面に、予めシートフィルムに塗布形成した金属薄膜を押し付け、該金属薄膜を転写する。その金属薄膜に凹凸パターンを型押しすることによって該パターンを転写し、エッチングによって配線１および隣接する配線１間の溝部を形成する。続いて、その上にシートフィルムに塗布形成した絶縁薄膜を押し付け、該絶縁薄膜８を転写する。そして、その絶縁薄膜８に凹凸パターン有するスタンパ３１を押し付けることによって該パターンを転写する。このような転写形成による成膜、凹凸面を有するスタンパを使用したパターンニングおよびエッチングを金属層および絶縁層の双方について繰り返すことによって多層配線構造を構築する。 （もっと読む）

【課題】短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ（ＷＢＣＳＰ）を提供する。
【解決手段】本発明のＷＢＣＳＰは、シリコン基板上に配線用パッド３２及びバンプ用パッドが形成され、バンプ用パッド上にはポストを介してバンプ電極３６が形成され、このシリコン基板上には銅再配線層３７が、この銅再配線層３７の上方にはボンディングワイヤ３８がそれぞれ配設され、この銅再配線層３７とボンディングワイヤ３８は１つのバンプ電極３６に接続され、１つのパッド３２と２つのバンプ電極３６はそれぞれボンディングワイヤ３８により接続されている。 （もっと読む）

【課題】ウェットメッキによらないで導電体層を形成する。
【解決手段】半導体基板１０の表面に導電性薄膜２５の主成分物質２４を打ち込んでから（図１（ｃ））、その上に導電性薄膜２５を真空雰囲気中で重ね（図１（ｄ１））、これらを重ねたままで高圧雰囲気に曝す（図１（ｄ２））。これにより、導電性薄膜２５が下層物１１，１２の表面に密着する。 （もっと読む）

ナノ転写印刷法の既知の方法は、厚さ１０ｎｍ未満の金属層（４０）でコーティングしたスタンプ（１０）を使用して、スタンプ（１０）の凸部（２５）から第二の表面（４５）へ層（４０）を転写する。本発明によれば、スタンプ（１０）の側壁（３５）および凹部（３０）の残りの層は、材料（６０）の層（６５）への電荷印刷（ｃｈａｒｇｅ ｐｒｉｎｔ）に使用するか、または化学的測定および生物学的測定における電極として使用することができる。
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【課題】多数回の複雑な工程を行うことなく、簡易なプロセスで、低コストに配線基板及び半導体装置を作製する方法を提案する。さらに、低コストで環境への悪影響が少ない配線基板の作製方法及び該配線基板を利用した半導体装置の作製方法を提案する。
【解決手段】第１の基板上に導電性材料からなるパターンを形成し、前記パターン上に電解めっき処理により導電膜を形成し、前記パターンと前記導電膜とを分離し、第２の基板上に薄膜トランジスタを有するＩＣチップを形成し、前記導電膜とＩＣチップとを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 深さの異なるコンタクトホールを同時に形成する場合にも、高抵抗化や接続不良等を無い高品質なコンタクトホールを形成する。
【解決手段】 半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。第２層膜１９のエッチングは、Ｃ４Ｈ８系のガスで行うと、エッチングは第１層膜１８と第２層膜１９の界面で止まる。次にエッチングガスをＮＨ３系のガスに切り替えて、第１層膜１８のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザを提供する。
【解決手段】空き空間を含む半導体基板３１と、前記半導体基板３１の前記空き空間内部に位置する金属配線３２と、を備え、前記半導体基板３１の前記空き空間は、絶縁エアーギャップ３３を形成することによって前記金属配線を絶縁させ、金属配線ライン、前記金属配線３２の周囲をエアーギャップ３３で絶縁させた、絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成された半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接触手段を固定させたインターポーザ３０。 （もっと読む）