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Fターム[5F033PP11]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜の成膜方法 (14,896) | CVD(化学的気相成長法) (3,065) | MOCVD(有機金属CVD) (177)

Fターム[5F033PP11]に分類される特許

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【課題】成膜時に生じる反りを緩和しうる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、4H−SiC基板10の第1面10aの上に、第1タングステン膜11を堆積する。堆積は、基板温度を400℃〜600℃に保持した状態で、スパッタによって行われる。スパッタ後に室温まで冷却すると、基板全体が上方に凹になるように反る。その後、4H−SiC基板10の第2面10bの上に、同じ材質、厚さの第2タングステン膜12を堆積する。4H−SiC基板10に対する,第1,第2タングステン膜11,12の収縮による応力が互いに釣り合い、反りがなくなる。その後、平坦な基板上にレジスト膜Reを形成して、第1タングステン膜11から注入マスク11aを形成する。正確な注入マスク11aを用いて、高い精度で不純物拡散領域15を形成する。 (もっと読む)


【課題】追従性が高く良好なステップ・カバレージ及び低い抵抗率を有する窒化チタン障壁層を形成する方法を提供する。
【解決手段】部分的に製作された電子デバイスに窒化チタン障壁層を形成する方法であって、前記部分的に製作された電子デバイスの上に第1の温度で、第1の抵抗率を有する第1の窒化チタンサブレーヤ40を堆積させる工程と、前記第1の窒化チタンサブレーヤの上に第2の温度で、第2の抵抗率を有する第2の窒化チタンサブレーヤ42を堆積させる工程とを備えており、前記第2の温度は前記第1の温度よりも高く、第2の抵抗率は第1の抵抗率よりも低いことを特徴とする窒化チタン障壁層の形成方法。 (もっと読む)


【課題】基板の表裏を導通する導通部における電流損失を低減した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板100は、表裏を貫通する貫通孔104を有する基板102と、貫通孔104内に充填される金属材料を含む導通部106と、を備え、導通部106の金属材料は、結晶粒径が29μm以上の結晶粒を含む。また、導通部106の金属材料は、面積重み付けした平均結晶粒径が13μm以上である。 (もっと読む)


【課題】生産性を極端に落とすことなく、開口の形状悪化を抑止するエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に絶縁層2を介して形成されたパッド電極3を被覆するように前記半導体基板1の表面に支持体5を接着する工程と、前記半導体基板1の裏面から前記パッド電極3の表面に到達するようにビアホールを形成する工程とを有するものにおいて、前記半導体基板1に対して前記絶縁層2が露出しない位置まで第1の開口を形成する第1のエッチング工程と、前記半導体基板1に対して前記絶縁層2が露出する位置まで第2の開口8を形成する第2のエッチング工程とを、全ての開口に対して行うと共に、前記第2のエッチング工程は前記第1のエッチング工程よりも前記半導体基板に印加される交流電圧の周波数を低くする。 (もっと読む)


【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び/又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板30の上方に、下部電極61、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜62と、上部電極63とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に層間絶縁膜71を形成する工程と、層間絶縁膜71に、上部電極63に達するホール59aを形成する工程と、ホール59aの内面、及びホール59aから露出する上部電極63の表面に第1のバリア膜67を形成する工程と、第1のバリア膜67上に、第1のバリア膜67よりも酸素濃度が高い第2のバリア膜68を形成する工程と、第2のバリア膜68の上方に導電膜74を形成して、ホール59aを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】 本発明の課題は、ルテニウム微粒子を下層金属膜とした、平坦な連続金属含有薄膜及び連続銅含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体を化学気相蒸着法により金属含有薄膜を形成させることにおいて、当該ルテニウム含有薄膜がルテニウム微粒子であることを特徴とするルテニウム微粒子によって解決される。 (もっと読む)


【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板1上に触媒層2を形成し、その上にサポート層3を形成しておく。触媒層2としてCo層を形成し、サポート層としてTiN層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱CVD処理を行う。この結果、触媒層2が絶縁基板1及びサポート層3に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層3を透過して触媒層2まで到達するので、グラファイト11が絶縁基板1と触媒層2との間に成長する。 (もっと読む)


【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板1上に強誘電体キャパシタ37を形成する際、下部電極膜25の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜26を形成する。酸化導電膜26を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜27の初期層27Aの形成時に酸化導電膜26を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第2の導電膜26Aを形成する。強誘電体膜27は、MOCVD法により形成し、その初期層27Aは第2の導電膜26Aの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜27の表面モフォロジが良好になる。 (もっと読む)


本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス(たとえば、CVDまたはALD)中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン(CCTBA)および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および/またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
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【課題】例えばCu膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持することができる層構造を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器132内で、表面に凹部2を有する被処理体Wの表面に成膜処理を施す成膜方法において、遷移金属含有原料ガスを用いて熱処理により遷移金属含有膜210を形成する遷移金属含有膜形成工程と、元素周期表のVIII族の元素を含む金属膜212を形成する金属膜形成工程とを有するようにする。これにより、例えばCu膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持する。 (もっと読む)


【課題】有機金属材料で構成された導電性の有機金属膜を、容易にパターニングすることができ、所望の形状の有機金属膜を効率よく安価に形成可能な有機金属膜のパターニング方法、有機金属膜を介して基材と被着体とを部分的に効率よく接合可能な接合方法、この接合方法により接合された接合体、および、前記有機金属膜をマスクとして、基材の所望の領域を選択的にエッチングするエッチング方法を提供すること。
【解決手段】第1の基材21上に有機金属膜3を形成する工程と、有機金属膜3の一部に設定した加圧領域310を圧子4により膜厚方向に加圧する工程と、有機金属膜3にエッチング処理を施す工程とを有する。加圧領域310の有機金属膜3には、加圧に伴い、加圧されない非加圧領域311との間に疎密差が生じる。この疎密差は有機金属膜3におけるエッチング速度に反映されるため、これにより有機金属膜3をパターニングすることができる。 (もっと読む)


【解決手段】半導体素子の製造方法および半導体素子。接続パッド(7)がSOI基板(1)の絶縁層(2)に配置される。接続パッドの上部に形成されるコンタクトホール開口部(9)は、その側壁及び接続パッド上に、上縁が頂部金属(12)に接触する金属膜(11)を備える。 (もっと読む)


【課題】ダマシン法によるCu配線構造の形成において、Cu−Mn合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Mnの拡散によるCu配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上方に形成された酸素を含む絶縁膜21と、前記絶縁膜に形成された凹部21Tと、凹部の内壁に形成された高融点金属膜22と、高融点金属膜上に形成された銅とマンガンと窒素を含む金属膜23と、金属膜上に形成され、凹部を充填する銅膜24Aと、を含む構造とする。 (もっと読む)


【課題】サイズが小さいだけでなく、自己共振周波数が高く、損失及び漏れ電磁場を低減したスパイラルインダクタを実現できるようにする。
【解決手段】スパイラルインダクタは、基板11の上に形成された絶縁層21とインダクタコイル31とを備えている。絶縁層21は、凸部24を有し、インダクタコイル31は凸部24の側壁上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することのできるマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】基板2上に並列するように設けられた第1導電型の複数の半導体層6と、複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第2導電型のソース/ドレイン領域60a、60bと、複数の半導体層のそれぞれに、ソース領域とドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜8と、チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜9と、チャネル領域のそれぞれの両側面にゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともにチャネル領域のそれぞれの上面に保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極10と、複数のゲート電極のそれぞれの側面を覆うように基板上に設けられた層間絶縁膜20と、複数のゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部23と、接続部に接続されたゲート配線24と、を備えている。 (もっと読む)


サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するCLD又はALDプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された1以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式MRnを有し、Mは金属、Rは上述のリガンド、nは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Mは、Ti、Ta、W、Nb、Mo、Pr、Cr、Co、Ni又は他の遷移金属である。
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【課題】低抵抗でかつ信頼性の高いコンタクトプラグを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、コンタクトホール103が設けられた半導体基板100上に絶縁膜102を形成する工程と、基板全面上に第1の導電膜104を形成する工程と、第1の導電膜104上に窒化金属膜106を形成する工程と、窒化金属膜106上にコンタクトホール103を埋める第2の導電膜107を形成する工程と、第2の導電膜107、窒化金属膜106、および第1の導電膜104の一部を除去することで、コンタクトプラグ109を形成する工程(e)とを備える。(コンタクトホールの底面上に設けられた窒化金属膜の膜厚)/(コンタクトホールの底面上に設けられた第1の導電膜の膜厚)の値は0.8より大きく2.5より小さい。 (もっと読む)


【課題】多層配線間の接続抵抗を低く保ちEMに対する高い耐性を持ちつつ配線部から外部への配線材の拡散を抑制する。
【解決手段】基板上に絶縁体膜が設けられ該絶縁体膜に第1の孔が設けられ該第1の孔に配線材であるCuが充填された半導体装置に対して、Cuを除く絶縁体膜上面にCuの拡散を防止する第1のバリア膜を形成する工程と、Cu及び該第1のバリア膜上に第2のバリア膜、層間絶縁膜をこの順に形成する工程と、第2のバリア膜を残して層間絶縁膜にCuへ接続するための第2の孔を形成する工程と、基板の表面全体にCuの拡散を防止するための第3のバリア膜を形成する工程と、第2の孔の側面以外の第3のバリア膜を除去する工程と、第2の孔の底面に存在する第2のバリア膜を除去してCuを露出させる工程と、第2の孔に配線材であるCuを充填して第1の孔に充填されたCuと接続する工程とを実施する。 (もっと読む)


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