集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。このように、シード銅膜を形成する前に、上面の第２のバリアメタル膜を除去してしまうことにより、この第２のバリアメタル膜と銅との電池効果で、銅がスラリー中に溶出することを防ぐ。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】積層された各半導体チップが備える導体ポスト同士の接合が、低温下の処理でも、導電性に優れ、かつ、高い寸法精度で強固に行われている信頼性の高い半導体装置、かかる半導体装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インターポーザー２と、第１の電気配線３４および厚さ方向に貫通して設けられた第１の導体ポスト３３とを有する第１の半導体チップ３と、第２の電気配線４４および厚さ方向に貫通して設けられた第２の導体ポスト４３とを有する第２の半導体チップ４とを備える。第１の導体ポスト３３と第２の導体ポスト４３とは、接合膜４３３を介して接合されている。この接合膜４３３は、導電性を有し、かつ、所定の処理を施すことにより接着性を発現する特定の材料で構成されており、その表面に発現した接着性によって、これら導体ポスト３３、４３同士を接合している。 （もっと読む）

【課題】新しい低抵抗率タングステン積層膜スキーム、および、低抵抗率タングステン積層膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】積層膜は、タングステン・カーバイド、または、窒化タングステンなどの低抵抗率タングステン化合物と混合されたタングステンを有するタングステンリッチ層３７１を、タングステン核生成３７３および／またはバルク層３７５を堆積するベースとして有する。これらのタングステンリッチ層は、タングステンコンタクトのメタライゼーション、および、ビットラインにおけるバリアおよび／または接着層として用いられうる。タングステンリッチ層の堆積は、基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質にさらすことを含む。タングステンとタングステン・カーバイドとの混合層は、優れた接着性を有する薄い低抵抗率の膜であり、次なるタングステンプラグまたはライン形成の優れたベースとなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体装置における信頼性向上を図るものである。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極５３と、前記半導体チップの第１の主面に接着されたガラス基板５６と、前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極５３の表面に貫通するビアホール８１と、前記ビアホール８１の側壁及び前記半導体チップの側端部に形成されたＣＶＤ膜から成る側壁絶縁膜５９Ａと、前記ビアホール８１を通して、前記パッド電極５３と電気的に接続された配線層６３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】内部に貫通電極を容易に形成することができ、製造歩留を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体シリコン層上に、導電性ポリシリコンから構成される第１コンタクトパッドを有する第１絶縁層、第２コンタクトパッドを有する第２絶縁層を形成する。この後、貫通電極用のビアホールを、少なくとも半導体シリコン層および第１コンタクトパッドを貫通して第２コンタクトパッドに到達するまで形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線上のコンタクトプラグを導通不良なく形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板上に配線を形成する工程と、配線上に第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、第２の膜上に第２の膜よりもエッチング耐性が低い材料によって第３の膜を形成する工程と、配線上の第２の膜上に第３の膜の端部を有し端部の膜厚と配線上の他部分の膜厚が異なる形状を有する領域を形成する工程と、第２の膜又は第３の膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、形状を有する領域において配線に接続するコンタクトプラグを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗をより一層低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホール２２の側面及び下面並びに層間絶縁膜２１上にバリアメタル膜２３を形成する。次に、バリアメタル膜２３を覆うニッケル膜２４をスパッタリング法により形成する。次に、ニッケル膜２４を覆うと共に、コンタクトホール２２を埋め込むタングステン膜２５を熱ＣＶＤ法により形成する。そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜２１上のバリアメタル膜２３、ニッケル膜２４及びタングステン膜２５を除去する。 （もっと読む）

【課題】開孔歩留まりの低下を抑制可能なコンタクトプラグを有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の表面に形成された拡散層１６を有するトランジスタ１５、トランジスタ１５の上方に配置された強誘電体キャパシタ３０、強誘電体キャパシタ３０の上方に配置された配線部５０、拡散層１６と強誘電体キャパシタ３０と配線部５０とをそれぞれ接続するコンタクトプラグ２５、４１、４３、及び、強誘電体キャパシタ３０を保護する下部の水素バリア膜２１、上部の水素バリア膜３７を有して、拡散層１６と配線部５０とを接続するコンタクトプラグ４３は、上部の層間絶縁膜３９、及び、下部の半導体基板１１の表面に接して連続して形成された水素バリア膜２１、３７が開孔されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が改善された、共形性の高い拡散バリアの、インシチュウによる構築を遂行する。
【解決手段】本発明の一態様では、処理チャンバと、シャワーヘッドと、ウエハ支持体と、ＲＦシグナル手段とを有していてもよい。シャワーヘッドを具備することにより、処理チャンバ内にガスを供給する。ウエハ支持体は、処理チャンバ内でウエハを支持するために具備される。シャワーヘッドに第１のＲＦシグナルを供給しまたウエハ支持体に第２のＲＦシグナルを供給するために、ＲＦシグナル手段がシャワーヘッドとウエハ支持体の両方に結合していてもよい。あるいは、ＲＦシグナル手段は、ウエハ支持体にＲＦシグナルを供給するためにウエハ支持体だけに結合していてもよい。本発明の態様を実施することによりアルミニウムや銅等のコンタクトメタルの拡散を防止する拡散バリアの能力を、向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】トラップ機構の回収物の処理を安全かつ迅速に行うことができる成膜装置の排気系構造を提供すること。
【解決手段】成膜装置の排気系構造は、処理容器１１内の排ガスを排出する排気管５１と、排気管５１の処理容器１１の近傍に設けられた自動圧力制御器５２と、排気管５１の自動圧力制御器５２の下流側に設けられた真空ポンプ５４と、排気管５１の自動圧力制御器５２の下流側位置に酸化剤を供給する酸化剤供給部５７と、排気管５１の酸化剤供給位置の下流側に設けられ、排ガス中の有機金属原料ガス成分および副生成物が前記酸化剤と反応して生成された生成物を回収するトラップ機構５３と、排気管５１のトラップ機構５３の下流側に設けられた除害装置５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】単一のチャンバーで多様な工程を行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のパターンを有する半導体基板に対して、互いに異なる多数の工程が行われる工程チャンバー６００、各工程を行うための工程ガスを工程チャンバーの内部に独立して提供されるガス供給部７１０、ガス供給部と連結され工程チャンバーの上部に配置される多数の上部電極７２０及び上部電極と一対一で対応するように工程チャンバーの下部に配置され上面に前記基板が搭載される多数の下部電極７３０及び上部電極に電源を供給する第１電源及び下部電極に電源を供給する第２電源を具備する電源供給部７４０を含む。このような構成を採用したことにより、真空断絶なしに互いに異なる工程を行うことにより工程欠陥を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造にも適用出来る好ましくはカーボンで作られるナノチューブによるビアの形成法を提供する。
【解決手段】底部と、側壁とを備える、少なくとも１つのビアを、金属材料の２つの層４及び１２を隔てる絶縁材料層５の中に形成する。次いで接着層７及び／又は保護層８の上に触媒層９を堆積する。さらに抑止層１１を、前記ビアの前記底部における前記触媒層９の部分を除く、前記ビアの前記ビアの側壁の上と、前記絶縁材料層５の上に方向性堆積によって形成する。ナノチューブを前記抑止層１１のない前記ビア底部の前記触媒層９の部分から成長させて前記金属材料の２つの層４及び１２を電気的に接続する。 （もっと読む）