本発明は、半導体デバイスの製造方法に関するものである。この方法では、半導体デバイスは、基板（１０）を具え、この基板（１０）は、表面（２５）を有する低−ｋの前駆物質層（２０）で覆われている。この工程の後、部分硬化工程が行われ、前記低−ｋの前駆物質層（２０）の表面（２５）またはその近くに緻密層（３０）が形成される。この緻密層（３０）は、保護層（３０）として作用することができる。前記低−ｋの前駆物質層（２０）は、未硬化、または部分的に硬化された状態で適用できる特性を有する材料の群から選択される。この方法の主な利点は、前記緻密層（３０）が、前記低−ｋの前駆物質層（２０）自体から形成されるため、別個の保護層（３０）を低−ｋの前駆物質層（２０）に設ける必要がない点である。したがって、前記緻密層（３０）は、前記低−ｋの前駆物質層（２０）に対して良好な接着性を有する。
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処理容器内の被処理基板に成膜する成膜方法であって、ハロゲン元素を含まない有機金属化合物からなる第１の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第１の原料ガスを前記処理容器内から除去する第１の工程と、水素または水素化合物を含む第２の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第２の原料ガスを前記処理容器内から除去する第２の工程とを繰り返してなる第１の膜成長工程と、金属ハロゲン化物からなる第３の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第３の原料ガスを前記被処理基板から除去する第３の工程と、水素または水素化合物を含む第４の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第４の原料ガスを前記処理容器内から除去する第４の工程とを繰り返してなる第２の膜成長工程からなる成膜方法を用いた。
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【課題】開口径が微細化され、高アスペクト比化されたコンタクトホールに対して、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜の機能を保持したまま、Ｗ膜の埋め込み特性を向上させる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の上面にＮｉＳｉ層１０２を形成し、半導体基板１０１の上に層間絶縁膜１０３を堆積した後、層間絶縁膜１０３にコンタクトホール１０４を形成する。次に、層間絶縁膜１０３上に、コンタクトホールを覆うようにＴｉ膜１０５を形成し、プラズマ窒化の処理を行う。これにより、Ｔｉ膜１０５における層間絶縁膜１０３の上面とコンタクトホールの底面にＴｉＮ膜１０６が形成される。次に、Ｔｉ膜１０５の上にコンタクトホールを埋め込むようＷ膜１０７を形成する。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｌｏｗｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、表面にメチル（ＣＨ_３）基が結合している絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜表面に、イミド系の高融点金属化合物を原料として、バリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（１１４）と、を備えたことを特徴とする。そして、前記バリアメタル膜形成工程において、原子層気相成長法によりバリアメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散防止膜との密着力が良好であり、微細バターンに成膜が可能なＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に、Ｃｕ膜を形成する成膜方法であって、前記Ｃｕ拡散防止膜上に、当該Ｃｕ拡散防止膜と前記Ｃｕ膜との密着膜を形成する第１の工程と、前記被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサが溶解した処理媒体を供給し、前記密着膜上に前記Ｃｕ膜を形成する第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法 （もっと読む）

【課題】テンプレートを必要としない酸化イリジウム（ＩｒＯｘ）ナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基板を提供すること、（メチルシクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）前駆物質を導入すること、前駆物質反応ガスとして酸素を導入すること、１から５０Ｔｏｒｒの範囲内の最終圧力を確立すること、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）処理を使用することにより、基板の表面からＩｒＯｘ中空ナノチューブを成長させることとを包含する。代表的には、（メチルシクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）前駆物質がアンプルの中で６０から９０℃の範囲内の第１の温度に初期加熱され、前駆物質を導入する移送ラインの中においては第１の温度に保たれる。前駆物質はＡｒなどの不活性搬送ガスと混合され得、または前駆物質反応ガスである酸素が搬送ガスとして使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 受動素子の基板表面への投影面積の縮小化と受動素子の高機能化たとえば容量素子の大容量化とが両立された素子形成基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１に、一方の表面部側から半導体基板１１の厚み方向に延びる２つの凹所を形成し、この凹所に導電体を充填して第１導電体層１５および第２導電体層１７を形成する。次いで、第１導電体層１５と第２導電体層１７との間に残存する半導体基板１１を除去して新たな凹所を形成し、この凹所に誘電体を充填して誘電体層１６を形成することによって、半導体基板１１に形成される凹部１８の内方に、第１導電体層１５、誘電体層１６および第２導電体層１７が半導体基板１１の厚み方向に略垂直な方向に積層されてなる容量素子１４を形成する。これによって、半導体基板１１の一方の表面部に対する投影面積を増加させることなく、容量素子１４の容量を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

配線金属は、銅（Ｃｕ）を主成分とする多結晶とＣｕ以外の添加元素とを含有し、添加元素の濃度が、Ｃｕ多結晶を構成する結晶粒の結晶粒界及び結晶粒界近傍において、その結晶粒内部よりも高い。添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることが好ましい。このＣｕ配線は、Ｃｕ多結晶膜を形成し、そのＣｕ膜の上に添加元素の層を形成し、この添加元素を前記添加元素の層からＣｕ膜中に拡散させることにより形成される。この配線用銅合金は、半導体装置に形成される金属配線として好適である。
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【課題】 ＣＭＰの間に浸食も樹状突起も発生させない銅相互接続部を提供すること。
【解決手段】 不純物含有銅シード層（４４０）を備える相互接続部によって、後工程半導体デバイスの銅相互接続部の縁の欠陥が緩和される。不純物含有銅シード層（４４０）が障壁層（２３０）を覆い、障壁層（２３０）が開口部を有する絶縁層（１１５）を覆う。電気めっき銅が絶縁層（１１５）の開口部を埋める。化学的機械研磨により、障壁層（２３０）と、電気めっき銅浴から得られた不純物含有銅シード層（４４０）と、電気めっき銅とが、絶縁層（１１５）に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、埋め込み性、下地層との密着性に優れた銅配線形成方法の提供。
【解決手段】ホールや溝が形成された基板表面上に、金属原料としてテトラキスジエチルアミノバナジウム、テトラキスジメチルアミノバナジウム、テトラキスエチルメチルアミノバナジウム、テトラキスジエチルアミノチタン、テトラキスジメチルアミノチタン、テトラキスエチルメチルアミノチタンを、還元性ガスとしてターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６を用いて、ＣＶＤ法によりバナジウムまたはチタン含有膜からなる下地層を形成し、この上に、ＣＶＤ法により銅含有膜を形成し、ホールや溝を埋め込み、配線を形成する。 （もっと読む）

集積回路中のデュアルダマシン（ｄｕａｌ ｄａｍａｓｃｅｎｅ）構造、特に多孔質材料中に形成された開口部のコンフォーマリティの裏張り（ｌｉｎｉｎｇ）のための方法及び構造が提供される。トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）及びコンタクトビア（ｃｏｎｔａｃｔ ｖｉａ）が絶縁層中に形成される。これらのトレンチ及びビアの側壁上のポアがブロックされ、次いでこの構造は、所望のライニング材料の単層を形成するために交互に化学物質に曝される。例示的なプロセスフローにおいて、シーリング層の化学または物理気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｏｒ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＣＶＤまたはＰＶＤ）により、不完全なコンフォーマリティに起因してポアをブロックする。交互のプロセスも、自己飽和（ｓｅｌｆ−ｓａｔｕｒａｔｉｎｇ）、自己制御（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＤ）プロセスと比較して減少されたコンフォーマリティを達成するようなパルス間隔及びパルス幅の選択によって構成され得る。なお別の構成において、異方性多孔質構造を有する層が、上部表面を選択的に溶融することによってシールされ得る。次いで、自己制御、自己飽和原子層堆積（ＡＬＤ）反応により、有意にポアを充填することなくブロッキングが行われる。
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【課題】 金属集積回路構造を好適に電気鋳造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明による方法は、中間絶縁体を貫通するビアまたはラインといった開口部（１０８）を形成して基板（１０２）の表面（１０４）を露出し、中間絶縁体（１０６）と基板の表面との上にあるベース層（１１０）を形成し、ベース層の上にあるストライク層（１１２）を形成し、ストライク層の上にある最上層を形成し、選択的にエッチングすることにより基板の表面の上にある最上層を除去してストライク層（１１２）の表面を露出し、ストライク層の表面の上にある金属構造（１１４）を電気鋳造する。電気鋳造された金属構造（１１４）は、電気メッキまたは無電解堆積プロセスを用いて堆積される。典型的には、この金属はＣｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、ＰｔまたはＡｇである。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。ＴＣＶＤプロセスは、金属層を堆積させるように金属−カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。本発明の１つの実施形態では、金属−カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２の少なくとも１つから選ばれることができる。本発明の別の実施形態では、約４１０℃の基板温度および約２００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で、Ｗ（ＣＯ）_６プリカーサを含むプロセスガスよりＷ層を堆積させる方法は、提供される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル２０₁ が、配線溝１６の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚１６ｎｍのＴａＮ_0.87膜３１と、ＴａＮ_0.87膜上に形成され、配線溝１６に埋め込み形成されたＣｕダマシン配線１７に接する膜厚４ｎｍのＴａＮ_1.19膜３２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）