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Fターム[5F033PP12]の内容

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Fターム[5F033PP12]に分類される特許

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【課題】実施形態は、多層グラフェンの配線及び多層グラフェン配線を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態にかかる配線は、基板と、基板上に設けられた金属膜と、記金属膜上に設けられた金属部と、金属部に形成されたグラフェン配線とを有し、前記グラフェン配線は、前記金属膜と電気的に接続し、金属膜と金属部は、異なる金属または合金であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体装置の設計フローは、プラグPGに接続された配線M1を含むチップレイアウトを設計するステップと、設計されたチップレイアウトにおけるプラグPGに対する配線M1のマージンを、プラグPGに対する配線M1のリセス量に応じて修正するステップとを有している。この修正ステップは、テストウエハに試験用プラグとそれに3次元的に接続された試験用配線とを含むテストパターンを形成するサブステップと、試験用配線の配線幅および配線密度と試験用プラグに対する試験用配線のリセス量との相関を調べるサブステップを有している。更に、得られた相関に基づいてプラグPGに対する配線M1のリセス量を予測するサブステップと、予測されたリセス量に応じてプラグPGに対する配線M1のマージンを修正するサブステップを有している。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜上に良質のグラフェンを形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板上に触媒金属膜を形成する工程と、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを形成する工程と、グラフェン上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、第2の基板上に、第2の金属膜を形成する工程と、第1の金属膜の表面と第2の金属膜の表面とを対向させ、第1の金属膜と第2の金属膜とを接合する工程と、第1の基板を除去する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ100nm未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から20nmまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第1の電極層および第2の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 (もっと読む)


【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が200nm以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも1種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも1種よりなる金属材
料とが、混合及び/又は積層されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第1の触媒金属膜と、前記第1の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した第2の触媒金属膜と、前記第2の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第1の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供と、さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、3次元高集積化を図る。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが1nm以下である半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 (もっと読む)


【課題】基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、シリコン基板24と、シリコン基板24上に少なくともNiCoパターン31とアルミ電極30とを含んで形成される回路部3と、シリコン基板24上に回路部3のNiCoパターン31と同工程において形成される低反射パターンとしてのNiCoパターン22と、NiCoパターン22上に形成され、回路部3のアルミ電極30と同工程において形成される高反射パターンとしてのアルミパターン20とを有する。 (もっと読む)


【課題】特性が良好であり、信頼性の高い半導体チップ、半導体チップの製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体チップは、第1主面と第2主面とを有し、第1主面側に、素子および配線が配置された回路部と回路部を取り囲むガードリング機構部とが設けられた半導体基板と、第1主面側から第2主面側まで通じるビアホール内に設けられたビアと、第1主面側から第2主面側まで通じる第1トレンチ内に設けられた絶縁層と、を備える。第1主面に対して垂直な方向からみて、ビアホールは、回路部が設けられた回路領域に配置されている。第1トレンチは、回路部を取り囲みガードリング機構部が設けられた外周領域に配置されている。第1主面に対して平行な方向における第1トレンチの幅は、この平行な方向におけるビアホールの幅よりも狭い。 (もっと読む)


【課題】 ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面側及び裏面側を有するデバイス基板、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、n層数の金属層を有する相互接続構造、及び前記相互接続構造を通過して延伸し、前記n層数の金属層の前記第n番目の金属層に直接接触するボンディングパッドを含む半導体デバイス。半導体デバイスは、前記デバイス基板の前記裏面側に配置された遮蔽構造、及び、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、前記デバイス基板の前記裏面側から前記放射線検出領域に向けて投射された放射線を検出することができる放射線検出領域をさらに備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造後におけるチャージ蓄積用素子からのチャージの放電を防止してデバイス機能素子のチャージダメージを低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成されたデバイス機能素子と、半導体基板上に形成されたチャージ蓄積用素子と、半導体基板上に形成され、デバイス機能素子とチャージ蓄積用素子との間に接続され、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリトランジスタにより形成された分離用素子とを有する。 (もっと読む)


【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第1の表面214及び対向する第2の表面216を有する基板212を設け、基板の第1の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも1つのブラインドビア218を形成する。酸化材料によって前記少なくとも1つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料228を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第1の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料230を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第2の表面に研磨平坦化を実施する。 (もっと読む)


【課題】3層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板201上に3層以上のn層の導電層202〜204が積層して形成され、n層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、(n−1)個の導電層202,203を接続する(n−1)個の接続領域211,212を有し、(n−1)個の導電層のうち基板201に対する積層方向(基板201の主面に対する法線方向)において第1層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンCPTNの縁の一部に臨むように形成され、(n−1)個の導電層は、第n層の導電層により電気的に接続されている。第n層の導電層は、コンタクトパターンCPTNであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 (もっと読む)


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