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Fターム[5F033PP17]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜の成膜方法 (14,896) | PVD(物理的気相成長法) (5,261) | スパッタ (4,083) | バイアススパッタ (67)

Fターム[5F033PP17]に分類される特許

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【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】複雑な配線構造であっても、電極パターン同士を簡単な構造で接続できると共に、配線パターンの強度をも確保できるような配線構造、およびこうした配線構造を製造するための有用な方法を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に形成された少なくとも第1の配線パターンと第2の配線パターンを有する配線構造であって、前記第1の配線パターンと第2の配線パターンとの間は、金属ワイヤーによる空中配線部によって接続されると共に、少なくとも金属ワイヤー表面には、金属ワイヤーと同じ若しくは異なる素材からなる金属めっきが施されたものである。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【課題】配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板10を覆う第1の層間絶縁膜上に設けられる配線60と、配線60の上面上に設けられるキャップ層68と、配線60と第2の層間絶縁膜との間に設けられるバリア膜62と、を含む。配線60は高融点導電層を含み、配線60の配線幅W1は、キャップ層68の幅W2よりも小さい。バリア膜62は、高融点導電層60が含む元素の化合物からなり、配線60を覆う層間絶縁膜69,70に起因する不純物が配線60内に拡散するのを抑制する。 (もっと読む)


【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層11と層間絶縁膜12とが順に形成され、層間絶縁膜12にトレンチ溝13とトレンチ溝13中に配線層11に達するビア孔14とが形成され、トレンチ溝13内、ビア孔14内および層間絶縁膜12上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜15が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔14の底部の金属膜15をエッチングするとともに、トレンチ溝13の底部および側壁とビア孔14の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜16が成膜されて、さらに、ビア孔14の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔14とトレンチ溝13とを導電性材料17aで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 (もっと読む)


【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 密着性を低下させることなく切削性を向上させることが可能な半導体装置及びその配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板1上に開口部を形成するように絶縁樹脂4を形成する工程と、前記絶縁樹脂4上と、前記開口部の側壁面5aと底面とに第1配線層7を形成する工程と、前記第1配線層7上に第2配線層8を設ける工程と、前記開口部の前記側壁面5a上に形成された前記第1配線層7を露出するように切削して平坦化する工程とを含み、前記第1配線層7を形成する工程では、前記開口部の前記側壁面5aに形成される前記第1配線層7の厚さより前記底面に形成される前記第1配線層7の厚さの方が厚くなるように形成することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にCuを埋め込むことができ、かつ低抵抗のCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202において、トレンチ203の表面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上に、加熱しつつ、PVDによりCuがマイグレーションするようにCu膜206を形成してトレンチ203を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したCu膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜10に配線形成用溝31を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝31が形成された層間絶縁膜10上の全面にバリアメタル膜14を形成する。Cu膜形成工程では、配線形成用溝31間の層間絶縁膜10上の膜厚に比して配線形成用溝31内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜14上にCu膜15を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜14上のCu膜15をリフローさせ、配線形成用溝31内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝31間の層間絶縁膜10上のバリアメタル膜14をCMP法によって除去する。 (もっと読む)


【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、被処理体306と接する電極301に第1のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体306の上にTiNxからなる第1のバリア層404を成膜する手順と、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、電極301に第1のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第2のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第1のバリア層の上にTiNxからなる第2のバリア層405を成膜する手順と、第2のバリア層405の上に、Tiからなる第3のバリア層409を成膜する手順と、第3のバリア層409の上に低融点金属406を充填する手順と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層BMは、処理対象物Wを一方の導電層CL1を有するものとし、この処理対象物と、例えばTi製のターゲット2とを真空処理室1a内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第1金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第1金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第2金属層を形成してなる。 (もっと読む)


【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜15に形成された凹部16、17内にバリアメタル層20を形成した後、凹部16、17内にCu配線層23を形成する。バリアメタル層20の形成工程は、凹部16、17内にTi含有量が50原子%を超える第1のTiNx膜18を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ti含有量が第1のTiNx膜18より多い第2のTiNx膜(またはTi膜)19を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器22内でプラズマにより金属のターゲット76から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部4が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜90を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜92を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】より低コストで、より信頼性の高いMIMキャパシタを有する、より信頼性の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体基板SUBを準備する工程と、半導体基板SUBの一方の主表面上に、アルミニウム層AC1を有する第1の金属電極LEL1と、第1の金属電極LEL1上の誘電体層DECと、誘電体層DEC上の第2の金属電極UELとを形成する工程とを備える。第1の金属電極LEL1を形成する工程においては、表面がRmax<80nm、Rms<10nm、Ra<9nmの関係を満たすように、アルミニウム層AC1が形成される。第1の金属電極LEL1を形成する工程には、少なくとも1層の第1のバリア層T1を形成する工程と、第1のバリア層T1上に、アルミニウム層AC1を形成する工程と、アルミニウム層AC1を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 1μm以上の開口径を有する高アスペクト比のTSVホールHがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ1内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット2とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、200〜600Wの範囲とする。 (もっと読む)


【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
2つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第1金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第1金属層の表面に第1金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第2金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 (もっと読む)


【課題】バリアメタル膜の酸化を十分に抑制することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】基板1の上方に導電膜5を形成し、導電膜5を覆う絶縁膜7を形成し、絶縁膜7のエッチングを行って、絶縁膜7に導電膜5の少なくとも一部を露出する開口部51を形成する。また、還元ガス雰囲気中で開口部51に紫外線を照射し、開口部51内に絶縁膜7及び導電膜5に接するバリアメタル膜9を形成し、バリアメタル膜9上に導電膜10を形成する。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗(配線抵抗)も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、450〜600℃の加熱処理を行なったとき、下記(1)の要件を満足する表示装置用Al合金膜である。
(1)Alと、X群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第1の析出物について、円相当直径20nm以上の析出物が500,000個/mm2以上の密度で存在する。 (もっと読む)


【課題】貫通電極の基板からの抜け落ちを防止する。
【解決手段】半導体装置は、基板80と、基板80に設けられた1又は複数のビアホール91と、1又は複数のビアホール91内にそれぞれ設けられた貫通電極TSVとをそれぞれ有する複数のコアチップと、貫通電極TSVを通じて各コアチップと電気的に接続するインターフェースチップとを備え、ビアホール91は、両端部の径r1,r3に比べて中央部r2の径が大きいボーイング形状部分91aを有する。 (もっと読む)


【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのAl材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置100は、Alからなるターゲット35Bおよび開口部が形成された基板34Bを格納可能なスパッタリングチャンバ30と、カソードユニット41およびアノードA間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン40と、プラズマガン40から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段24A、24Bと、を備える。シートプラズマ27は、スパッタリングチャンバ30内の基板34Bとターゲット35Bとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ27中の荷電粒子によってターゲット35BからスパッタリングされたAl材料が基板34Bの開口部に堆積する際に、Al材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流IDおよび基板バイアス電圧VAに基づいて調整されている。 (もっと読む)


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