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Fターム[5F033PP20]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜の成膜方法 (14,896) | PVD(物理的気相成長法) (5,261) | イオンビーム蒸着、イオンプレーティング (95)

Fターム[5F033PP20]に分類される特許

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【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 (もっと読む)


【課題】 ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面側及び裏面側を有するデバイス基板、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、n層数の金属層を有する相互接続構造、及び前記相互接続構造を通過して延伸し、前記n層数の金属層の前記第n番目の金属層に直接接触するボンディングパッドを含む半導体デバイス。半導体デバイスは、前記デバイス基板の前記裏面側に配置された遮蔽構造、及び、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、前記デバイス基板の前記裏面側から前記放射線検出領域に向けて投射された放射線を検出することができる放射線検出領域をさらに備える。 (もっと読む)


【課題】Cuめっきを用いることなくPVDのみでトレンチまたはホールCuを埋め込んでCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202の全面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上にPVDによりCuがマイグレーションする条件でトレンチ203内に第1のCu膜206を形成する工程と、第1のCu膜206の上に、第1のCu膜206よりも大きな成膜速度でPVDにより第2のCu膜207を形成する工程と、CMPにより全面を研磨する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板及び/又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理の後も低い電気抵抗率を有する新規なCu合金膜を提供すること。
【解決手段】表示装置用Cu合金膜であって、前記Cu合金膜は、Cu−Mn−B合金で構成されており、前記Cu合金膜の基板側の界面(I)から、前記Cu合金膜の最表面に向って50nm(II)までの深さ方向のMn量およびB量をそれぞれ、Mn量(MnI−II)およびB量(BI−II)とすると共に、前記Cu合金膜の深さ50nm(II)から、前記Cu合金膜最表面(III)までの深さ方向のMn量およびB量をそれぞれ、Mn量(MnII−III)およびB量(BII−III)とし、前記Mn量のMnI−IIとMnII−IIIとの関係が、2.0≦(MnI−II/MnII−III)であると共に、前記B量のBI−IIとBII−IIIとの関係が、1.5≦(BI−II/BII−III)であること。 (もっと読む)


【課題】半導体基板と貫通電極との絶縁を確実とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10の一方の面14から他方の面16に形成された電極パッド24の裏面に到達する貫通電極13を形成した半導体装置10であって、他方の面16側には第1の絶縁膜20を介して電極パッド24が設けられ、貫通電極13を構成する貫通孔21と第1の絶縁膜20との境界面に、一方の面14側の開口よりも大きい開口を有し、貫通電極13を形成する際、他方の面16側の貫通孔21開口部内周に貫通電極13を構成する導電材料と電極パッド24との間に第2の絶縁膜23を備え、貫通孔21内壁面および第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜22が設けられる。 (もっと読む)


【課題】駆動時の発熱温度を低下させる。
【解決手段】基板12の熱伝導率をNsub(W/mK)とし、熱拡散層14の熱伝導率をNkaku(W/mK)とし、熱拡散層14の膜厚をT(mm)とし、熱拡散層14の平面開口率をR(0≦R≦1)とし、S=T×Rとしたとき、例えば、基板12の熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8の条件を満たし、熱拡散層14の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>3.0×S^(−0.97×e^(−1.2×Nsub))且つNkaku≧Nsubの条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】単膜でCu拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Cuとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ti膜を成膜する工程(STEP1)、Ti膜上にCo膜を形成する工程(STEP2)、Ti膜及びCo膜を熱処理してCoTi合金を含む金属薄膜を形成する工程(STEP3)を備えている。CoTi合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とCu拡散バリア性を有し、Cuとの格子不整合が0.15%と非常に小さいため、Cu配線と優れた密着性が得られる。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にCuを埋め込むことができ、かつ低抵抗のCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202において、トレンチ203の表面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上に、加熱しつつ、PVDによりCuがマイグレーションするようにCu膜206を形成してトレンチ203を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第1の波面と第2の波面とを有する基体と、第1の波面上に形成された、2層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第1の波面および第2の波面が、0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≦1.8(但し、Am1:第1の波面の振動の平均幅、Am2:第2の波面の振動の平均幅、λm1:第1の波面の平均波長、λm2:第2の波面の平均波長)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Mn0.05〜20wt%を含有し、Be,B,Mg,Al,Si,Ca,Ba,La,Ceの総計が500wtppm以下、残部がCu及び不可避的不純物であることを特徴とするCu−Mn合金スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン酸や酸化剤からなるエッチング液において、高微細パターンのエッチング入りを向上させ、エッチング残りおよびオーバーエッチングのない恒常的に安定して高精細・高輝度のフラットディスプレイに対応した高微細精度の透明導電膜の回路パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも下記(a)群から選ばれる少なくとも1種のハロゲン酸および/または下記酸化剤(b)とを水に含有してなる透明導電膜用エッチング液において、下記の一般式(1)で表される化合物(W)を含有することを特徴とする透明導電膜用エッチング液。
・(a)群;塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸
・酸化剤(b);塩化第二鉄または硝酸
(Rf1SO2)(Rf2SO2)NX (1) (もっと読む)


【課題】高抵抗回路の面積の狭小化を図り、集積率の高い半導体装置への高抵抗回路の形成を容易とする。
【解決手段】配線層2に形成された下層配線20および下層配線22と、配線層2上に形成された層間絶縁膜12と、層間絶縁膜12に形成され、下層配線20と接続するビア30と、層間絶縁膜12に形成され、下層配線22と接続するビア32と、層間絶縁膜12上に形成され、ビア30とビア32とを接続する上層配線24と、を備え、ビア30およびビア32の抵抗値は、上層配線24の抵抗値よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】切削刃の磨耗を抑制して切削刃の寿命を延ばすことが可能なウエハレベルパッケージ製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハレベルパッケージ製造方法は、例えば、基板450の表面に、配線が形成される溝462を含む絶縁性の第1の樹脂460を形成する樹脂形成工程400と、第1の樹脂460の表面に、配線の一部となる第1の金属470を、物理気相成長によって成膜する第1の成膜工程410と、第1の金属470の表面に、配線の一部となる、第1の金属470より硬度が低い第2の金属480を、更に成膜する第2の成膜工程420と、溝462の側面において第1の金属470が成膜されていない場所または薄くなっている場所に該当する高さH0、H1に切削刃490を設置する設置工程430と、切削刃490を走査することにより、少なくとも第1の樹脂460を切削する切削工程440とを含む。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1に第1電極3及び第2電極7が形成される。第1電極3及び第2電極7を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜9を形成してコンタクトホール2を形成する。この配線基板100の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第1溝領域4が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第2溝領域5が形成される。このように区分けした溝領域4,5のうち、第2溝領域5に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜9を形成する。 (もっと読む)


【課題】優れたスループットを実現できる導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第1の波面および第2の波面を有する基体と、第1の波面上に形成された導電層とを備える。導電層は、導電パターン部を形成し、第1の波面および第2の波面が、0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≦1.8(但し、Am1:第1の波面の振動の平均幅、Am2:第2の波面の振動の平均幅、λm1:第1の波面の平均波長、λm2:第2の波面の平均波長)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Cu配線上の第2層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のTi膜、TiN膜、第2のTi膜、第1のAl膜、及び第2のAl膜をこの順に形成する。第1のTi膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第1の部分と第2層間絶縁膜上の第2の部分の膜厚の比(第1の部分)/(第2の部分)を0.05以下とする。また、第2のAl膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第2のTi膜及び第1のAl膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 (もっと読む)


【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材5は、第1金属層21と第2金属層22とを含む金属層2を支持基体1の一面上に設けた構造になっている。第1金属層21は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第2金属層22は、その融点が第1金属層21の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材5の一面側を、微細空間30の開口する基板3の一面上に重ねる。そして、充填用基材5を加熱し、かつ、加圧F1して、金属層2の溶融物を微細空間30内に充填する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成され、表面が疎水性を示す疎水性層上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、上記フォトレジストパターンが形成された上記疎水性層の表面にエネルギーを照射して親水化し、親水性領域を形成する親水化工程と、上記フォトレジストパターンを剥離し、上記疎水性層表面に、上記親水性領域と上記親水化工程にて上記フォトレジストパターンで覆われていた疎水性領域とがパターン状に形成された親疎水パターンを形成するフォトレジストパターン剥離工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】例えば、開口部101を介してチップ取り出し電極2を含む基板1の一部表面が露出するようメタルマスク100を基板1に被せ、イオン化された被着金属に、0.01eVから250eVの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク100を剥離することによって、基板1の一部表面に形成された金属導体からなる配線層21を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層21を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。更に、その回路基板とその他のチップとを積層して、それらをボンディングワイヤで絶縁基板に支持されないリードへ接続する。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までCu埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器100内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス(金属ガスクラスタCg)を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 (もっと読む)


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