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Fターム[5F033PP31]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜の成膜方法 (14,896) | エネルギービームを用いるもの (44)

Fターム[5F033PP31]に分類される特許

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【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Inと、Gaと、Znとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第1の導体パターンを形成し、第1の導体パターンより微細な第2の導体パターンを形成し、前記第2の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第2の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。 (もっと読む)


【課題】駆動時の発熱温度を低下させる。
【解決手段】基板12の熱伝導率をNsub(W/mK)とし、熱拡散層14の熱伝導率をNkaku(W/mK)とし、熱拡散層14の膜厚をT(mm)とし、熱拡散層14の平面開口率をR(0≦R≦1)とし、S=T×Rとしたとき、例えば、基板12の熱伝導率Nsubが、Nsub<1.8の条件を満たし、熱拡散層14の熱伝導率Nkakuが、Nkaku>3.0×S^(−0.97×e^(−1.2×Nsub))且つNkaku≧Nsubの条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に、接着層等を形成するための別の工程を加えることなく、基板との密着性の高い導電性配線を簡単に形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂基板1上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層3を形成する工程と、レーザ光6を塗布層3の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線4を形成する工程と、導電性微細配線4以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層3の厚さをd、塗布層3の光吸収係数をα、レーザ光6の入射光強度をI0、樹脂基板1上に到達するレーザ光6の透過光強度をI1とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。
log(I1/I0)=−αd (もっと読む)


【課題】半導体装置の所望部を容易に測定するために、半導体装置内の配線層と接続する配線構造を提供すること。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置30は、リード線11と、リード線11が接続された面P1の対向面P2が半導体装置本体20の外面に接着された接続部13と、少なくとも一部が半導体装置本体20の外面上に形成され、一端12aが半導体装置本体20内の配線層21に接続され、他端12bが接続部13に接続される配線12と、接続部13を半導体装置本体20の外面に接着して立設する接着部14と、を有する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の照射部を局所的に真空排気する局所加工部を備え、差動排気により局所加工部を被加工物上に浮上するレーザ加工装置において、被加工物表面の異物をレーザ光照射部との間に挟みこむことを防ぐ。
【解決手段】差動排気によってレーザ照射による局所加工部40を被加工物(基板11)から浮上させるにあたって、その浮上量Dを、圧縮ガス供給部63によるガス供給量と圧縮ガス排気部65によるガス排気量とのバランスを制御することで変化させ、ガス排気量を小さくして浮上量Dを高くした状態で、加工位置間の移動を行う。 (もっと読む)


【課題】塗布プロセス(印刷やIJ)により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びon/off比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも1部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て90°より大きく180°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 (もっと読む)


【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第1の薄膜と金属材料の第2の薄膜とを2層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第5の薄膜と金属材料の第6の薄膜とを2層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第7の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】 加工処理を行なうための加工位置を精度よく特定することができる半導体チップを提供する。
【解決手段】 複数の半導体回路素子が形成され、それら半導体回路素子上に層間絶縁膜と配線層とが交互に積層されてなる半導体チップ10において、この半導体チップ10を構成する最上層の配線層であるダミーメタル13に、半導体チップ10上のX座標の位置を表わすX座標用コードパターン13_1およびY座標の位置を表わすY座標用コードパターン13_2を付加した。 (もっと読む)


【課題】微小金属構造を製造すること。
【解決手段】導電率が高められたパターン形成された領域を生成し、または露出させ、次いでこの領域上に、電着を使用して導体を形成することによって、微小金属構造が製造される。いくつかの実施形態では、基板上に微小金属構造が形成され、次いで基板からこの構造を除去するために、基板がエッチングされる。いくつかの実施形態では、付着前駆体ガスを含まない集束ガリウム・イオン・ビームが、シリコン基板上をあるパターンで走査して、導電パターンを生成し、次いでこの導電パターン上に、1種または数種の金属の電気化学付着によって銅構造が形成される。エッチングによってこの構造を基板から取り出すことができ、またはその場で使用することができる。ビームを使用して、トランジスタの活性層にアクセスすることができ、導体を電着させて、トランジスタが機能している間にその動作を感知しまたは変化させるためのリードを形成することができる。 (もっと読む)


【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程(S102)と、絶縁膜に開口部を形成する工程(S104)と、開口部内に光触媒膜を形成する工程(S110)と、Cuを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程(S112)と、開口部内に電解めっき法によりCuを埋め込む工程(S114)と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】均一な膜を成膜することを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第1の基板を用い、第1の基板の材料層が形成された面と、第2の基板の被成膜面とを対向させ、第1の基板の他方の面側から周波数10MHz以上、パルス幅100fs以上10ns以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第2の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、式(1)または式(2)を満たす条件で成膜する。


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【課題】 半導体集積回路等の微細な集積回路の修正等を行う際、配線を低抵抗で形成することができる集積回路の配線形成方法を提供する。
【解決手段】 集積回路2上の配線を必要とする部分2cxを集束イオンビーム10aにより掘出す工程と、掘出し工程によって掘出された部分に対し、銀40をコートした走査トンネル顕微鏡探針21に電圧パルスを印加して該探針から銀原子を移動させる走査トンネル顕微鏡法により、銀配線4cを形成する工程とを有する集積回路の配線形成方法であって、配線を必要とする部分の線幅が1μm以下である場合は走査トンネル顕微鏡法を用い、線幅が1μmを超える場合は、集積回路上の配線を必要とする部分に対し、非サーマル方式のインクジェット装置から銀粒子を含むインクを噴射した後に、レーザー又は加熱した走査プローブ顕微鏡の探針でインクを乾燥させるインクジェット法により銀配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリックス型表示装置の製造プロセスを短縮化し、投資効率、生産効率と生産歩留りを向上させ、かつ大幅なアクティブマトリックス素子の高性能化を実現する。
【解決手段】アクティブマトリックス型薄膜トランジスタ素子基板の製造工程において、ゲート電極をパターンニング後、ゲート絶縁膜を成膜する。
次に半導体層としてポリシリコン半導体層を成膜後アモルファスシリコン半導体層を真空をやぶらずに連続成膜する。その後nアモルファスシリコン半導体層を成膜してから、映像信号配線とドレイン電極を形成するための金属電極層を成膜する。その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を1回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】平面表示装置100及びその製造方法において、信号線方向に隣り合う画素電極同士を導通させる方式での補修(タンデムリペア)を、画素ドット欠陥の位置に拘わらず容易に行うことができ、また、画素開口率の低下を最小限としつつ、リペア箇所での補助容量比のズレを防止できるものを提供する。
【解決手段】信号線31方向での画素電極6間の中間領域のうち、信号線方向及び走査線方向のいずれから見ても一つ置きに、導電層フロートパターン12Aと、これに重なり合う補助容量線延在部22Aと、この切り欠きに対応するリペア接続用パターン32Aとを設けておく。タンデムリペアの際、リペア接続用パターン32Aにレーザー光を照射して導電層フロートパターン12Aに達する導通部82を作成する。そして、レーザーCVDによる画素電極6間のブリッジ配線81が、リペア接続用パターン32Aを直接覆うようにする。 (もっと読む)


【課題】高速ショットキーデバイス及びpn接合デバイスにおける寄生容量を低減すると共にボンディング強度を改善する。
【解決手段】基板303と、基板303の上に配置される半導体デバイス300、302、及び半導体デバイス300、302との電気的接触を行うボンディング用パッド307を有し、ベンゾシクロブテンの層304が半導体デバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド307がベンゾシクロブテンの層304の頂面に設けられる。 (もっと読む)


【課題】有機スイッチングデバイスまたは部分有機スイッチングデバイスを形成する方法である。
【解決手段】前記方法は、少なくとも1つのパターニング層を含む電気デバイスを基板上に形成する方法であって、前記基板上の第1の材料層を光ビームに露光して、前記第1の層の物理的特性を改変するように、前記第1の層のパターニングを行う工程を含み、前記光ビームの一部は、前記基板上の事前堆積されたパターンによってブロックまたは減衰され、これにより、前記光がブロックまたは減衰されない領域においてのみ前記基板上の第1の層を改変する、方法である。 (もっと読む)


【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をFIB加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、FIB加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をFIBCVDにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、FIBCVDにより形成するものである。 (もっと読む)


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