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Fターム[5F033QQ12]の内容

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【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第1の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第2の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第3の層からなる3層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第2の層の上面及び下面は第1及び第3の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 (もっと読む)


【課題】はんだ直接付けとワイヤボンディングとを両立できるアルミ電極を半導体チップ上に具備した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ1に設けられたAl電極4上に生成したAl酸化皮膜5の適当な箇所に、該皮膜5を貫通してAl電極4まで届く微小金属11を形成させており、酸化物貫通微少金属を具備した一種類のAl電極をはんだ直接付け及びワイヤボンディング両用とすることが出来る。 (もっと読む)


【課題】比誘電率の低い層間絶縁膜を用いた半導体装置において、プラズマ処理時の層間絶縁膜へのダメージを軽減でき、ダメージ層を除去する際に形成されるアンダーカットを抑制する。
【解決手段】基板上に比誘電率の低い材料からなる絶縁膜4を形成する。次に、前記絶縁膜上にチャンバ内でSiOCH膜5を形成し、前記チャンバ内にプラズマを発生させた状態で徐々に膜中のカーボン濃度を減らし、前記SiOCH膜上に連続的にSiO膜6を形成する。前記SiOCH膜と前記SiO膜をハードマスクに用いて前記絶縁膜をプラズマ処理し、前記絶縁膜に溝7,8を形成する。その後、前記絶縁膜に形成した溝のエッチング表面をウェットエッチングし、プラズマ処理によるダメージ層と加工残渣物を除去する。 (もっと読む)


【課題】工程数の増加を抑えながら、ビア間の耐圧の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線2上に低誘電率膜5及び6を形成した後、低誘電率膜5及び6上にハードマスク7、8及び9を形成する。ハードマスク7〜9上にレジストマスクを形成する。レジストマスクを用いて低誘電率膜5及び6にビアホール11を形成する。レジストマスクをアッシングする。このとき、レジストマスクから生じる飛散物をビアホール11の少なくとも側面に付着させて保護膜12を形成する。その後、ビアホール11を配線2まで到達させ、ビアホール11内に導電材を埋め込む。 (もっと読む)


【課題】形状性良くかつ高いエッチングレートで被エッチング膜をエッチングして高アスペクト比のホールを形成することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成し、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第1条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させ、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第2条件とを交互に繰り返し、第1条件によりプラズマ中の正イオンによりエッチングを進行させ、第2条件により負イオンを生成し、直流電圧により負イオンを前記ホール内に供給することによりホール内の正電荷を中和する。 (もっと読む)


【課題】同一の処理室で、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板の界面の酸素を確実に除去する。
【解決手段】NH及びN及びNFを導入し、シリコン基板5の酸化表面にNHxFyを作用させることで(NHSiFを生成し、シリコン基板5を所定温度に制御することにより(NHSiFを昇華させてシリコン基板5の表面の酸化膜を除去し、続けてNH及びN及びNFを導入し、温度が維持された状態でシリコン基板の表面にFラジカルを作用させてシリコン層をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】基板の外観特性を改善できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極21と、上部電極21と向かい合って配置される下部電極23とを有し、上部電極21と下部電極23との間の空間35内に反応性ガス(例えば、CF、CHF等)を供給するRIE装置50の、下部電極23上にウエーハWを配置してパシベーション膜をエッチングする際に、排気スペース33の高さhを調整する。これにより、空間35内において、反応性ガスの含有量を調整することができる。 (もっと読む)


【課題】貫通孔(接続孔)内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板11の一方の面上に第1の絶縁層12を介して位置する第1の配線層13と、半導体基板の他方の面から第1の配線層に至る接続孔19を形成する。接続孔の側面から他方の面に亘って半導体基板上に位置し、接続孔内で第1の配線層に接する第2の絶縁層14を形成する。接続孔の側面上から他方の面上に亘って第2の絶縁層上に位置し、接続孔内で第1の配線層に接する第2の配線層16を形成する。この形成において、第2の絶縁層を、膜質の異なる2種の絶縁膜14a、14b又はそれ以上の絶縁膜の積層体から構成する。 (もっと読む)


【課題】開口面積の広いガードリング(GR)や開口面積の小さいビアホール(Via)を同時に且つ均等深さにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置のサセプタ16に印加される第2の高周波電力を、ウエハWのLow−k膜又はフォトレジスト膜にデポが堆積する第1のパワーと、ウエハWのLow−k膜をエッチングする第2のパワーとの間でパワー変調させると共に、第2の高周波電力を変調する際のデューティー比(第2のパワー時間/1周期全体の時間)を25〜80%、好ましくは25〜50%としてウエハWのLow−k膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】プロセスの自由度が大きい配線の形成方法を提供する。
【解決手段】配線層25上に絶縁層31を形成する工程と、絶縁層31上に第1マスク層32と第2マスク層33とを形成する工程と、第2マスク層33上にレジスト層42を形成する工程と、レジスト層42をパターニングする工程と、レジスト層42をマスクとして第2マスク層33をパターニングする工程と、レジスト層42及び第2マスク層33をマスクとして第1マスク層32を途中までエッチングする工程と、レジスト層42を取り除く工程と、第2マスク層32をマスクとして第1マスク層32の残りをエッチングして第1マスク層32をパターニングする工程と、パターニングされた第1マスク層33をマスクとして絶縁層31をエッチングして配線溝36を形成する工程と、配線溝36に導電体37を埋め込んで、配線層25に接続する埋め込み配線層38を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置を構成する膜質によらず製造可能であり、製造過程に要する時間を短縮させることが可能な半導体装置の製造方法及び電気泳動表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ曝露によって第1レジスト層を除去し、剥離によって第2レジスト層及び第3レジスト層をそれぞれ除去することとしたので、エッチング工程を要することなく第1導電層及び第2導電層を形成することができる。これにより、第1絶縁層及び第2絶縁層の膜質によらず製造可能となる。加えて、エッチングを行う際に必要な耐性評価を行わずに済むため、製造過程に要する時間を短縮させることができる。 (もっと読む)


【課題】静電気防止素子のノーマルコンタクトと半導体素子のブランケットコンタクトを同時に形成する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、基板上に静電気防止素子に対するアクティブ領域と、第1ポリゲート及び半導体素子に対するアクティブ領域と、ブランケットトレンチ形態の第2ポリゲートとを形成する段階と、前記基板上に第1絶縁膜と第2絶縁膜を含む層間絶縁層を形成する段階と、前記層間絶縁層に平坦化工程を行う段階と、前記第1ポリゲート上に形成された層間絶縁層の一部を開口させたコンタクトパターンを形成する段階と、前記コンタクトパターンの下の第2絶縁膜を第1エッチングして第1ポリゲート上のトレンチを形成する段階と、第2エッチングを行って前記第1ポリゲート上のトレンチ内部の第1絶縁膜を除去し、前記第2ポリゲートを除いた前記半導体素子のアクティブ領域上の第1絶縁膜を除去する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程、及びその工程を容易に適用しうる構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子であって、基板上で第1方向に延長される第1ライン部分と該第1ライン部分の一端から前記第1方向とは異なる第2方向に延長される第2ライン部分とを含む複数の導電ラインと、前記複数の導電ラインの各々の前記第2ライン部分の一端と一体に接続されている複数のコンタクトパッドと、前記複数のコンタクトパッドのうち、選択された一部のコンタクトパッドから前記第2方向に沿って前記第2ライン部分と平行に延長される第1ダミー部分を各々有する複数のダミー導電ラインとを有する。 (もっと読む)


【課題】段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程及び該工程を容易に適用可能な構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、第1方向に相互平行に延びている複数のラインパターンを含む。複数のラインパターンのうちから選択される複数の第1ラインパターンは、第2方向に沿って交互に選択されて両側で各々隣接している2つのラインパターンの両端部のうち、素子領域の第1端部にさらに近い各端部に比べて、第1端部からさらに遠く位置する第1端部を有する。複数のラインパターンのうちから選択される複数の第2ラインパターンは、第2方向に沿って交互に選択され、両側で各々隣接している2つのラインパターンの両端部のうち、第1端部にさらに近い各端部より、第1端部からさらに近く位置する第2端部を有する。 (もっと読む)


【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、CVD法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、CMPにおいてコアリング(coring)が発生しにくくなる。 (もっと読む)


【課題】 相互接続構造内にガウジング・フィーチャを導入することなくエレクトロマイグレーション耐性を向上させる相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この構造は、バイア開口の底部に存在する金属界面層(または金属合金層)を含む。バイア開口は、第1の導電材料が埋め込まれた第1の誘電材料の上に位置する第2の誘電材料内に位置する。バイア開口の底部に存在する金属界面層(または金属合金層)は、第1の誘電体内に埋め込まれた下にある第1の導電材料と第2の誘電材料内に埋め込まれた第2の導電材料との間に位置する。また、エレクトロマイグレーション耐性が向上した相互接続構造を製造する方法も提供する。 (もっと読む)


半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、3〜100Torrの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるRF電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 (もっと読む)


【課題】 誘電率の増加を抑制しながら、しかも平滑な底面を有するトレンチを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板上に第1の絶縁膜64を形成する工程と、第1の絶縁膜64上に有機薄膜65を形成する工程と、有機薄膜65上に第2の絶縁膜66を形成する工程と、第1の絶縁膜64と有機薄膜65と第2の絶縁膜66を貫通するビアホール71aを形成する工程と、第2の絶縁膜66上にビアホール71aが埋められように無機系材料からなる犠牲膜68を形成する工程と、犠牲膜68上に所定のパターンを有するレジスト膜69を形成する工程と、レジスト膜69のパターンにしたがって有機薄膜65の上面に達するトレンチ71bを形成する工程と、レジスト膜69および有機薄膜65のうちトレンチ71bに露出した部分を被処理基板から同時に除去する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】400℃程度の耐熱性を有するNd添加量2at%のAlNd層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を250nm/分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。ネオジム塩化物は蒸気圧がアルミニウム塩化物に比べて低いが、250nm/分以下のエッチング速度となるようプラズマエッチングすることで、アルミニウム塩化物と同時に蒸発させることができるため、フェンスの発生を抑えることが可能となる。 (もっと読む)


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