【課題】４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。ネオジム塩化物は蒸気圧がアルミニウム塩化物に比べて低いが、２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度となるようプラズマエッチングすることで、アルミニウム塩化物と同時に蒸発させることができるため、フェンスの発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法による解像限界以下の溝（トレンチ）及び凹部（孔又はビア）のパターンをＣＤ値を高精度に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に、第１のハードマスク膜と、第２のハードマスク膜とを成膜する成膜工程Ｓ１１と、第１のピッチを有し、第２のハードマスク膜よりなるパターンであって、溝のパターンを形成する際のエッチングマスクとなる溝形成用マスクパターンを形成するための第１の溝形成用マスクパターン形成工程Ｓ１２〜Ｓ１４と、第４のピッチで設けられた開口部を有する第２のレジスト膜と、第２のレジスト膜の開口部と連通し、第２のレジスト膜の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を有する第１の有機膜とよりなる第２レジストパターンを用いて、第１のハードマスク膜をエッチングする第１の凹部形成用マスクパターン形成工程Ｓ１５〜Ｓ１８とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の方法は、基板（２０１）の選択的領域メッキを可能とする方法であり：前記基板に第一の電気的伝導層を形成し；前記第一の電気的導電性層（３０１）を抗−無電解メッキ層（４１０）で覆い；前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層とを通して延長する構造（５１０、５２０）を形成するために、前記基板をパターン化し；前記第一の電気的伝導層に隣接してかつ電気的に結合された、第二の電気的伝導層（６１０）を形成し；前記第二の電気的伝導層の上に第三の電気的伝導層（７１０）を形成し；及び前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層を除去することを含む。
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【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】パッケージサイズの拡大や製造プロセスを変更せずにＳＯＩ基板のシリコン基板層の電位固定を行うことができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板層１１の表面からＳＯＩ基板１０をエッチングし、電極パッド１６に達する第１のトレンチおよび半導体基板層１１内部で終端している第２のトレンチを形成する工程と、半導体基板層の表面および各トレンチを覆うように絶縁膜１９を形成する工程と、各トレンチ底面の絶縁膜１９を除去して電極パッド１６および半導体基板層１１を露出させる工程と、半導体基板層１１の表面上と各トレンチの側壁および底面に導電膜３１〜３３を形成して貫通電極３０を形成するとともに、コンタクト部５０を形成する工程と、半導体基板層１１上の導電膜にパターニングを施して外部電極４３およびコンタクト部５０に電気的に接続された電位固定用の外部電極４３ａを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン内のボイドの発生を抑制する。
【解決手段】下層配線３０に達するビアホール３３を形成し、バリアメタル層３４及びシード層３５ａを形成した後、電解めっき法により、ビアホール３３内をめっき層で埋め込む。その際、シード層３５ａ形成後に、ビアホール３３の間口にオーバーハング１０１ｂが形成されることを想定し、例えば開口径７０ｎｍ以下のビアホール３３であれば、シード層３５ａ形成後のビアホール３３の開口径Ｗ２を２０ｎｍ以上にする。これにより、そのシード層３５ａを用いた電解めっき時に、ビアホール３３内がめっき層で埋まる前にその間口が塞がってボイドが発生するのを回避する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対して、高選択比にシリコン窒化膜をエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いて、シリコン窒化膜５の上に設けられた層間絶縁膜６をドライエッチングする第一の工程と、第一の工程に引き続き、酸化性ガスを供給してプラズマを発生させて、サイドウォール４の上に設けられたシリコン窒化膜５をドライエッチングする第二の工程と、を含み、第二の工程は、フルオロカーボンガスを供給しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】疎部及び密部のそれぞれにおいて、所望の寸法のデバイスパターンを簡単にエッチングにより形成できるようにする。
【解決手段】金属層１２上に２層のマスク層１３，１４を形成する工程と、２層のマスク層１３，１４に対して、各層ごとに、デバイスパターンを疎に形成する疎部または密に形成する密部におけるＣＤシフト量を調整する１種類のエッチングパラメータを変更させてエッチングを行い、マスクパターン１３−１〜１３−４，１４−１〜１４−４を形成する工程と、マスクパターン１３−１〜１３−４を用いて金属層１２をエッチングし、ゲート電極１２−１〜１２−４を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。
【解決手段】導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 （もっと読む）

【課題】生産性を極端に落とすことなく、開口の形状悪化を抑止するエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁層２を介して形成されたパッド電極３を被覆するように前記半導体基板１の表面に支持体５を接着する工程と、前記半導体基板１の裏面から前記パッド電極３の表面に到達するようにビアホールを形成する工程とを有するものにおいて、前記半導体基板１に対して前記絶縁層２が露出しない位置まで第１の開口を形成する第１のエッチング工程と、前記半導体基板１に対して前記絶縁層２が露出する位置まで第２の開口８を形成する第２のエッチング工程とを、全ての開口に対して行うと共に、前記第２のエッチング工程は前記第１のエッチング工程よりも前記半導体基板に印加される交流電圧の周波数を低くする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法において、キャパシタの品質を向上させること。
【解決手段】第１の導電膜１９、誘電体膜２０、及び第２の導電膜２１をこの順に形成する工程と、第２の導電膜２１をパターニングして、複数の上部電極２１ａを形成する工程と、レジストパターン２７の側面２７ｂが後退するエッチング条件を用いて、該レジストパターン２７をマスクにしながら誘電体膜２０をエッチングし、キャパシタ誘電体膜２０ａを形成する工程と、第１の導電膜１９をパターニングして下部電極１９ａを形成する工程と、上部電極１９ａの上の層間絶縁膜３３にホール３３ａを形成する工程と、ホール３３ａに導体プラグ３７を埋め込む工程とを有し、端部の上部電極２１ａ上のホール３７の形成予定領域が、側面２７ｂが後退した後のレジストパターン２７により覆われる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に、下部電極６１と、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜６２と、上部電極６３とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に第１の保護膜７０を形成する工程と、第１の保護膜７０に、上部電極６３に達する第１の開口７０ａを形成する工程と、第１の開口７０ａを形成した後に、第１の保護膜７０及び第１の開口７０ａから露出する上部電極６３の上方に層間絶縁膜７１を形成する工程と、層間絶縁膜７１に、第１の開口７０ａの内側で上部電極６３に達する第１のホール７１ａを形成する工程と、第１のホール７１ａに第１の導体プラグ７７ａを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング処理工程を含まず、塩素系ガスの専用処理設備を必要としない、安価な装置構成で処理可能な、クロム膜のパターニング方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にクロム膜１１’を形成するクロム膜形成工程と、クロム膜１１’の上に、後のパターニング工程における酸素プラズマ条件で除去されないマスク材料膜１２’を形成するマスク材料膜形成工程と、マスク材料１２’膜をパターニングして所定のマスクパターン１２を形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターン１２が設けられていない部分のクロム膜を、載置されるステージを加熱して酸素プラズマ条件の温度範囲とし且つ塩素原子を含まない酸素プラズマに晒して酸化クロムとして昇華除去するパターニング工程と、を有するように構成して、所定のクロムパターン１１を得る。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート形成において、ペアスペースパターンの位置ずれの生じないパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工層１上に、第３〜第１マスク層１３，１２，１１を順次積層する。第１マスク層上に第４マスク層を形成し、第４マスク層をマスクにして第１マスク層をラインパターン形状に成形する。第１マスク層のライン幅方向両側に、サイドウオール層２１ａを形成してから第１マスク層を除去する。一対のサイドウオール層をマスクにして第２マスク層を一対のラインパターン形状に成形する。第３マスク層上に第５マスク層を形成し、第５マスク層をマスクにして一対の開口部を第３マスク層に設ける。第３マスク層をマスクにして被加工層に一対の溝部を設ける。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層２０３と、第一の絶縁層上の第一の配線層２０４と、半導体基板２０１を貫通し、底部に第一の絶縁層を厚さ方向に除去した部分的なエッチ部を備えた貫通孔２０１ａと、貫通孔の部分的なエッチ部の底部を除く内壁部から半導体基板の第二の面までを覆う第二の絶縁層２０６と、貫通孔の底部に、第一の配線層が露出するように第一の絶縁層に形成された開口部２０３ａと、該開口部で第一の配線層と接すると共に貫通孔の第二の絶縁層上から半導体基板の第二の面の第二の絶縁層上に亘る第二の配線層２０２とを有し、開口部に接する第一の絶縁層が、半導体基板に接する第一の絶縁層より小さい厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率、高機械強度および高耐熱性を示す膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む絶縁膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、またはハロゲン原子を、Ｒ^２は置換基を表す。ａは１〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を表す。＊は、結合位置を表す。） （もっと読む）