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【課題】従来技術ではデュアルダマシン構造Via工程のLow−K膜エッチング後の孔底部のエッチングにおいて、ストッパ膜のエッチングが進行しない課題があった。
【解決手段】本発明はプラズマエッチングするデュアルダマシンプロセスにおいて、デュアルダマシンプロセスのVia加工方法は、Viaパターニングされた上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする第1ステップと、上層レジスト膜及び反射防止膜をマスクとして下層レジスト膜をエッチングする第2ステップと、下層レジスト膜をマスクとして前記Low−K膜をエッチングする第3ステップと、ストッパ膜のエッチング前にプラズマ処理を行う第4ステップと、ストッパ膜をエッチングする第5ステップとを有することである。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜5に開口部6を形成したとき、保護膜5の開口部6を介して露出された接続パッド2の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜5の上面側に凸凹構造の変質層Aが形成される。次に、開口部4、6を介して露出された接続パッド2の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Aがさらに変質して網目構造の変質層Cが形成される。次に、チタンなどからなる第1の下地金属層7を成膜する。この場合、第1の下地金属層7は網目構造の変質層Cの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 (もっと読む)


【課題】ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】バリアメタルのステップカバレッジを向上させるボーダレスコンタクト構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】低抵抗金属層と高融点金属元素を含む第1のバリアメタル膜を順次積層した構造の配線パタ―ン42Aと、配線パタ―ンを覆う層間絶縁膜43と、層間絶縁膜中に形成され、配線パタ―ンの上面の一部と側壁面の一部を露出し、さらに配線パタ―ンに、露出上面および露出側壁面を連結して形成された斜面をも露出斜面42dとして露出するビアホール43Aと、ビアホールの側壁面、露出上面および露出側壁面、さらに前記露出斜面に形成された、少なくとも低抵抗金属層の構成元素および高融点金属元素を含む導電性側壁膜43bと、導電性側壁膜を覆い、高融点金属元素を含む第2のバリアメタル膜と、前記第2のバリアメタル膜を介して充填し、前記第2のバリアメタル膜に接する導電性プラグと、を含む。 (もっと読む)



【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】(A)3,3,3−トリフルオロプロピンと、(B)O、O、CO、CO、COCl、及びCOFからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もCFやCFH等のPFC類やHFC類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 (もっと読む)


【目的】プラズマプロセスによる半導体集積装置の各製造段階において、所望のエッチング工程で生じたチャージアップの度合いのみを測定することが可能な半導体集積装置の評価システム及び評価用半導体チップを提供することを目的とするものである。
【構成】評価用半導体チップにプラズマエッチング処理を施している間にこの評価用半導体チップ内に生じたチャージアップに伴って流れる電流を、評価用半導体チップから外部に導出されている第1リード線及び第2リード線を介して計測する。評価用半導体チップは、シリコン基板上にゲート酸化膜、ゲート電極、プラズマによる電子電流の流入を部分的に遮断するパターンを有するレジストが積層された構造を有する。この際、レジスト上面側からシリコン基板の表面までを貫通する第1のコンタクトホールを介して上記第1リード線がシリコン基板の表面と電気的に接続されていると共に、上記レジストを貫通する第2のコンタクトホールを介して第2リード線がゲート電極の表面と電気的に接続されている。 (もっと読む)


マスク層の下にアンダーカット形状を形成するエッチングプロセスによって基板にビアが形成される。ビアはコンフォーマルな絶縁層で覆われ、この構造にエッチングプロセスを実施して水平面から絶縁層を取り除くと共にビアの垂直な側壁の絶縁層を残す。ビアの上部領域はエッチバックプロセスの際、アンダーカットハードマスクによって保護される。
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【課題】レジスト膜のスリミング時にその膜厚の消費を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基体11上に複数の絶縁層25と複数の導電層WLとを交互に積層して積層体を形成する工程と、積層体上にレジスト膜50を形成する工程と、レジスト膜50をマスクにして絶縁層25及び導電層WLをプラズマエッチングする工程と、ホウ素、リン及びヒ素の少なくとも1つを含むガスを用いたプラズマ処理により、レジスト膜50の上面に、ホウ素、リン及びヒ素の少なくとも1つを含む硬化層51を形成する工程と、レジスト膜50の上面に硬化層51が形成された状態で、酸素を含むガスを用いたプラズマ処理によりレジスト膜50の平面サイズをスリミングする工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】配線の導通信頼性を損なうことなく、エアギャップを形成でき、配線間容量Cが低減した配線膜構造を有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】 半導体装置の製造方法において、第1絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、前記第1絶縁膜に配線膜を形成する配線膜形成工程と、前記配線膜が形成されてない箇所の前記第1絶縁膜にドライエッチングで溝を形成するドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程の後、前記溝が埋め尽くされることが無いよう、前記配線膜および前記溝上に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を160℃以上に加熱する加熱工程を有する。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜であるSiCOH膜とCu配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。
【解決手段】SiCOHを含む層間絶縁膜4とCuを含む配線2との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層15及び酸フッ化層16が夫々形成されたウエハWに対して、H2ガスの供給とシリコン及び炭素を含むTMSDMAガスの供給とを同一の処理容器51においてこの順番で連続して行うことによって、酸フッ化層16の還元処理及びダメージ層15の回復処理を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】CF3CF=CH2を含むドライエッチングガス。CF3CF=CH2の含有率は、流量比5〜100%であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜14を低誘電率層間絶縁膜3の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜6を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 (もっと読む)


【課題】モリブデン系金属膜上の絶縁膜をドライエッチングする際に、選択比を比較的大きくする事ができる方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングにより、レジスト膜45の開口部46に対応する部分つまりソース電極9上におけるオーバーコート膜13にコンタクトホール14を形成し、また同時に、レジスト膜45の開口部47に対応する部分つまり金属膜21a上におけるオーバーコート膜13およびゲート絶縁膜4にコンタクトホール22を形成し、さらに同時に、レジスト膜45の開口部48に対応する部分つまり金属膜31a上におけるオーバーコート膜13にコンタクトホール32も形成する場合、エッチングガスとしてフッ素系ガス(SF、CF)、酸素ガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを用いる事で窒化シリコン等からなるオーバーコート膜13とモリブデン系金属からなる金属膜31aとの選択比を大きくする。 (もっと読む)


【課題】 貫通穴の開口寸法が小さく小型化や微細化を容易にでき、貫通穴全体の金属層形成速度を向上する事が容易で、金属層形成工程に要する時間を短縮する事が容易な貫通穴形状を構成した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板の表面と裏面とを接続する貫通穴内に金属層を設けた半導体装置において、貫通穴側壁に表面と裏面とを結ぶ向きに複数の突起を設けた事を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供する。
【解決手段】銅ダマシン配線プロセスのバリアメタル膜のタンタル系積層膜に関し、スパッタリング成膜チャンバ内のシールド内面に、比較的薄い窒化タンタル膜およびタンタル膜が交互に成膜されるが、この連続成膜プロセスを断続的に繰り返すと、膜の内部応力により剥がれて、異物やパーティクルの原因となる。この異物やパーティクルの防止のため、繰り返し、成膜するに際して、所定の間隔を置いて、厚い膜厚を有する異物防止用タンタル膜をチャンバの実質的な内壁に成膜する工程を設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のパッド構造を提供する。
【解決手段】半導体装置200は、半導体基板202、相互接続構造、複数のダミーメタルビア235及びパッド構造を備える。半導体基板202は、内部に複数の微小電子素子が設けられている。相互接続構造は、半導体基板202上に設けられ、複数の金属層210a〜210iと、金属層を隔離する複数のIMD層220とを有する。金属層210a〜210iは、最上金属層210iと、最下金属層210aと、最上金属層210iと最下金属層210aとの間に設けられた少なくとも2層の金属層とを含む。複数のダミーメタルビア235は、少なくとも2層の金属層間に設けられた1層又は2層以上のIMD層220内に形成される。パッド構造は、ダミーメタルビア235の上に直接設けられている。 (もっと読む)


【課題】 デュアルダマシンプロセスを同一チャンバ内で行っても、再現性よくビアホールを貫通させる技術が望まれる。
【解決手段】 層間絶縁膜上の第1のマスク膜及び層間絶縁膜に、層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するビアホールを形成する。第1のマスク膜の上に、下層レジスト膜を形成し、その上に、配線溝に対応する開口を有する第2のマスク膜を形成する。チャンバ内において、OとCOとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。下層レジスト膜の開口の平面形状が転写された開口を、第1のマスク膜に形成するとともに、下層レジスト膜を除去し、ビアホールをさらに掘り下げて、下層配線を露出させる。層間絶縁膜を厚さ方向の途中までエッチングして配線溝を形成する。配線溝及び前記ビアホール内を、導電部材で埋め込む。 (もっと読む)


【課題】高密度のカーボンナノチューブを容易に配線に用いることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜7にビアホール9を形成し、ビアホール9内及び絶縁膜7上に触媒部12を形成する。絶縁膜7上の触媒部12を不活化し、ビアホール9内の触媒部12を起点としてビアホール9内にカーボンナノチューブを成長させる。 (もっと読む)


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