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【課題】ウエハ等の基板に設けられた縦孔内に、脱落、抜け等を生じることなく、完全充填された縦導体充填構造を提供すること。
【解決手段】基板1の厚み方向に設けられた縦孔3内に縦導体5を充填した縦導体充填構造であって、孔開口端が内側に突出する凸縁31となっており、凸縁31−31間で見た孔径D1が、孔内壁面3−3間で見た内径D2よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法が提供される。
【解決手段】本発明による半導体製造装置は工程チャンバーの外部で供給されるジフルオロメタンCH、窒素N、及び酸素Oガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー内へ供給する。プラズマが工程チャンバーへ供給される途中に三フッ化窒素NFが供給される。このような装置構造及びソースガスを利用してシリコン窒化膜をエッチングすると、他の種類の膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を大きく増加させることができる。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第1のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第1のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第2のエッチングステップを、複数回繰り返す。 (もっと読む)


【課題】配線層間に絶縁物が堆積しない配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、第1絶縁体層14と、第1絶縁体層14上に間隔を空けて配置された複数の配線層18a、18bと、配線層18a、18bの側面上に形成された水素を吸蔵及び放出する水素吸蔵層19b、19c、19d、19eと、複数の配線層18a、18b上に、配線層間の溝20b上を跨ぐように形成された第2絶縁体層23と、を備えた配線を備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中に高アスペクト比のフィーチャをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室に主エッチングガスが流入される。第1の圧力を提供しながら、主エッチングガスがプラズマにされる。20℃未満のウェハ温度が維持される。プラズマにより上記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、第1の圧力よりも低い第2の圧力まで圧力を降下させる。上記複数の二重層のうち第1の複数の組がエッチングされた後に、主エッチングガスの流入を停止させる。 (もっと読む)


【課題】 ウェハ裏面のキャパシタを有する半導体デバイスの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、その前面の活性シリコン層とその裏面のバルク・シリコン層との間に挿入された埋込み絶縁層を有する、SOI基板を準備するステップと、SOI基板の前面から埋込み絶縁層を貫通して延びる埋込みコンタクト・プラグを含む集積回路を、SOI基板の前記前面に形成するステップと、裏面エッチング・プロセスを実施してバルク・シリコン層内にトレンチを形成し、埋込みコンタクト・プラグの端部を埋込み絶縁層の裏表面に露出させるステップと、第1キャパシタ・プレートと、第2キャパシタ・プレートと、該第1及び第2キャパシタ・プレートの間に挿入されたキャパシタ誘電体層とを含むキャパシタをトレンチ内に形成するステップとを含み、第1キャパシタ・プレートは、埋込みコンタクト・プラグの露出した端部に接触するように形成される。 (もっと読む)


【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第1配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第2配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第1及び第2配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第1ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第2ステップとが行われる。第1及び第2ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 (もっと読む)


【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の面と、第1の面と反対の第2の面とを有する炭化珪素半導体層110が準備される。炭化珪素半導体層110の第2の面を部分的に覆う金属層と、炭化珪素半導体層110の第2の面を部分的に覆う熱酸化膜130とが形成される。金属層を熱処理することにより電極150が形成される。金属層を形成する工程は、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い材料を用いて行われる。電極150を形成する工程において電極150の表面上に炭素が偏析する。電極150の表面および熱酸化膜130の表面の両方において、炭素を除去可能なエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】電気的接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ3は、第1主面30Aと第2主面30Bとの間を貫通する貫通孔30Xを有する半導体基板30と、半導体基板30の第2主面30Bを覆うように形成され、貫通孔30Xと対向する位置に開口部31Xが形成された絶縁層31と、絶縁膜33によって覆われた貫通孔30X及び開口部31Xに形成された貫通電極32とを有する。絶縁層31から露出される貫通電極32の上端面は、当該半導体チップ3に他の半導体チップ4が積層される際のパッドになる。また、貫通電極32の上端面は、絶縁層31の半導体基板30と接する面と反対側の面と面一になるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】SiCOH膜からなる層間絶縁膜に形成された埋め込み用の凹部に銅材を埋め込んで導電路を形成するにあたり、導電路の抵抗を低くすること。
【解決手段】SiCOH膜にプラズマにより凹部を形成すると表面が疎水性になる。このSiCOH膜に水素ガスのリモートプラズマを供給し、Hラジカル及びHイオンにより凹部の表面を親水性に改質する。またプラズマに代えて過酸化水素水を供給してもよく、この場合表面にOH基が形成される。次いで例えばRu(CO)12ガスとCOガスとを用いてCVDによりRu膜4を成膜し、その後銅材5を埋め込み、CMP処理をして上層側の配線構造を形成する。また改質にあたって、グリム、DMEDAなどを用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板の層内に配置された複数のトランジスタ、および層の第1の側の上に配置されたベース酸化物層を含むSOI基板を備えた集積回路を提供すること。
【解決手段】集積回路はまた、層の第1の側に形成された第1のインターコネクトを含むことができ、第1のインターコネクトが、複数のトランジスタのうちの第1のトランジスタと複数のトランジスタのうちの第2のトランジスタとを電気的に接続することができる。加えて、集積回路は、層の第1の側とは反対の層の第2の側に形成された第2のインターコネクトを含み、第2のインターコネクトが、複数のトランジスタのうちの第3のトランジスタと複数のトランジスタのうちの第4のトランジスタとを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低K薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の2つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低K誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Kの酸素が豊富な部分を通過し、低K部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低K部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、小型化を図ることが可能になると共に、絶縁リングで囲まれた貫通電極を狭ピッチで配置することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路素子層5が形成される表面1a、及び裏面1bを有する半導体基板1と、半導体基板1を貫通し、かつ半導体基板1の表面1a側から半導体基板1の裏面1b側に向かうにつれて幅が広くなる貫通電極7と、貫通電極7を囲むように半導体基板を貫通し、かつ半導体基板1の表面1a側から半導体基板1の裏面1b側に向かうにつれて幅が狭くなる第1の絶縁リング3と、を有し、半導体基板1の厚さ方向Aにおいて、第1の絶縁リング3の少なくとも一部と対向するように貫通電極7を配置する。 (もっと読む)


【課題】信頼性を低下することなく、高集積化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、薄膜抵抗体と配線層とが、接続層とビアホールに埋設されたタングステンプラグとを介して電気的に接続されてなる半導体装置の製造方法である。従来、接続層は、バリアメタル層を介して薄膜抵抗体と接続された構成である。この接続層としてアルミニウムを用いたものでは、接続層とタングステンプラグとの線膨張係数の差異に起因してストレスマイグレーションにより、接続層にボイドが発生する懸念があった。本発明では、接続層を除去する工程を実施し、タングステンプラグをバリアメタル層と直接接続する。これにより、タングステンプラグは、アルミニウムよりなる接続層を介することなく、薄膜抵抗体と電気的に接続される。したがって、接続層におけるボイドの発生を抑制し、半導体装置の接続信頼性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト2の上に被パターニング膜3を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜3のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト2を露出させるようする。そして、レジスト2を除去することで、レジスト2の上の被パターニング膜3をリフトオフさせ、被パターニング膜3をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト2の側面において被パターニング膜3が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト2を露出させることができる。このため、レジスト2の側面での被パターニング膜3の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。 (もっと読む)


【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜15を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH4)ガス19と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク13、炭素ハードマスク14、反応生成物16が付着したLow-k膜15を有する試料を、メタン(CH4)ガス19からの炭素(C+)ラジカル18と水素(H+)ラジカル19により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ダミー材料の除去により形成される溝や孔に容易にトップラウンドを設けることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、層間酸化膜に周囲を囲まれたダミー材料を除去することにより溝または孔を形成するドライエッチング方法において、前記ダミー材料を所定の深さまでエッチングし、前記エッチング後に等方性エッチングを行い、等方性エッチング後に前記ダミー材料の残りを除去することを特徴とするドライエッチング方法である。 (もっと読む)


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