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【課題】 下面を研削されたシリコン基板の下面にクラックが発生しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板1の下面側を適宜に研削する。この場合、シリコン基板1の下面に微細で鋭角な凸凹(シリコンの結晶破壊層)が形成される。次に、ウェットエッチングにより、シリコン基板1の下面を段差1〜5μmの粗面仕上げとする。次に、シリコン基板1の下面にエポキシ系樹脂などからなる保護膜12を形成する。この場合、シリコン基板1の下面は段差1〜5μmの粗面となっているので、この粗面は保護膜12によって確実に覆われ、シリコン基板の下面にクラックが発生しにくいようにすることができる。 (もっと読む)


本発明のプロセスは半導体ウエハー表面に銅配線を形成する。該プロセス中、最初に、狭い(322)及びラージ(326)フィーチャーを該ウエハーの上部表面に提供し、そして、電着工程を使用することにより1次銅層(334A)を堆積する。該1次銅層は該フィーチャーを完全にふさぎ、そして、狭いフィーチャー上に平坦な表面及びラージフィーチャー上に平坦でない表面を形成する。電気化学メカニカル堆積工程を使用することにより、2次銅層(334B)を該1次銅層上に堆積し、狭い及びラージフィーチャー上に平坦な銅層を形成する。このプロセス工程後、電解研磨工程を使用して平坦な銅層の厚みを薄くする。
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【課題】配線間の電流リークが少なく、しかも配線へのダメージを少なくして、配線デバイスとしての信頼性を高めた配線を形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面にバリア膜を形成し、該バリア膜の表面に配線材料を形成して該配線材料を前記配線用凹部の内部に埋込んだ基板を用意し、基板表面に形成した余剰の配線材料及びバリア膜を除去して配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成し、基板上の汚染物質を、カルボン酸を含む雰囲気下でカルボン酸と加熱反応させて除去する。 (もっと読む)


【課題】 導通不良や絶縁不良の発生を抑制し、簡易で信頼性の高い貫通電極の製造方法および構造を提供する。
【解決手段】 前記課題は、貫通電極用の孔3内に導電体5が充填された半導体基板1を用意し、前記半導体基板1を加工して前記半導体基板1の半導体および前記孔3内の導電体5を同一面内に露呈させる工程と、前記導電体5の露呈部5a直上に保護部材8を形成したのち、前記半導体の露呈部1bおよび保護部材8を覆うように絶縁膜6を形成する工程と、前記保護部材8を、該保護部材8上に形成された絶縁膜6と一緒に除去する工程とを備える貫通電極10の製造方法により解決される。 (もっと読む)


【課題】MIMキャパシタを有するMMICにおいて、表面開口バイアホールおよび裏面開口バイアホールを利用しながら回路規模の増大を抑制した高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】2種類の表面開口バイアホール100および110を利用して、基板10の深さ方向に電極を有するMIMキャパシタ200を形成する。一方の電極13Aは配線電極の一部を構成し、他方の電極13Bは表面開口バイアホール110から裏面開口バイアホール101に形成された裏面電極14に接続されて接地される。また、半絶縁性物質GaAsから成る基板10の一部を電極13Aおよび13B間の誘電体に利用する。これらにより、MIMキャパシタ200の基板10上での占有面積を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 接地インダクタンスを容易に低減することができ、半導体チップの収率を向上可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ21の第1主面に配置された半導体能動素子及び半導体能動素子のグランドパッド11と、第1主面に対して垂直な半導体チップの側壁面上に配置された第1メタル層24aと、第1メタル層24aに接続され、グランドパッド11上まで延在する第2メタル層25aとを備える。 (もっと読む)


【課題】 貫通孔の絶縁において、出来るだけ低温で処理することを目的としている。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に形成された貫通孔の内壁に絶縁膜として窒化膜を使用する。この窒化膜は、NとSi又はAlを含む化合物、又はNを含む化合物及びSi又はAlを含む化合物の混合気体を加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を、前記貫通孔に触れさせ、該貫通孔表面上に形成される。貫通電極は、絶縁膜を形成した貫通孔にめっき又は金属ナノ粒子の充填により形成される。この形成された貫通電極を、水素を含有する化合物の気体を加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた原子状水素で処理することにより、表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去を行う。 (もっと読む)


【課題】金属層を被着させ除去するための新しい処理技術を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、ウェハ上に導電性フィルムを電気メッキするための方法例が提供されている。該方法は、第1の密度の凹部領域上で平面となる前に第1の電流密度範囲内で凹部領域および非凹部領域を有する半導体構造上に電気メッキする工程および金属フィルムを金属層が凹部領域上で平面となった後に第2の電流密度範囲内で電気メッキする工程を含む。第2の電流密度範囲は、第1の電流密度範囲よりも大きい。1つの例においては、該方法は更に、金属層が第2の密度の凹部領域上で平面となるまで第2の電流密度範囲内で電気メッキする工程およびその後第3の電流密度範囲内で電気メッキする工程を包含し、ここで第2の密度は第1の密度よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、絶縁膜の信頼性が劣化することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 外界と隔離された第1の処理室内において、隣り合う凸部の間に形成された凹部130を第3の絶縁膜160で埋め込むステップと、第1の処理室内において、第3の絶縁膜160に対して改質処理を行った後、第1の処理室から半導体基板10を外界に搬出するステップと、第2の処理室内において、、第3の絶縁膜160に対して熱アニール処理を行うステップとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法により、導電体を確実に充填して貫通電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、開口部18aを有する支持体18を基板10表面側に取り付ける工程、基板10をその裏面側から薄化する工程、基板裏面に第1絶縁膜19を形成する工程、支持体18の開口部18aに繋がる貫通孔13を基板10に形成する工程、第2絶縁膜14を基板10の貫通口13内部に形成する工程及び基板10の貫通孔13内部に導電体16を充填する工程を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


平坦化方法は、配線材料としての金属膜の表面に初期段差が形成されていても、金属膜の表面を全面に亘って、しかも十分な加工速度で平坦に研磨できる。この平坦化方法は、被加工物上に形成した初期段差を有する金属膜表面を加工して平坦化するにあたり、金属膜表面の初期段差を形成する凹部のみを固体またはペースト状の被覆材料で被覆し、研磨剤を用いない電解加工によって金属膜表面を加工する。
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【課題】 分離不良を防止し歩留まりを向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1の主面上の複数に区分された半導体チップ領域において、半導体素子回路のグランド配線に接続されたグランドパッド11を形成し、複数の前記半導体チップを分離する分離領域に、分離溝22を形成し、前記半導体基板の主面を覆うように金属膜31を形成し、前記半導体基板の主面上の前記金属膜を覆うように、かつ前記分離溝を埋めるように絶縁膜を形成し、前記絶縁膜を全面エッチングして、前記分離溝の底部に絶縁膜32aを残し、前記金属膜を介して、前記グランドパッドに接続され、前記分離溝の底部の前記絶縁膜32aの上端まで延在するように金属層33を形成し、前記半導体基板の裏面を前記分離溝の底部が露出するまで研磨し、前記分離溝において前記半導体チップ領域を切断し、複数の前記半導体チップに分離する。 (もっと読む)


【課題】耐圧が高く且つオン抵抗が低い上に、チップ面積が小さいショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイを実現できるようにする。
【解決手段】導電性のシリコン基板2の上にバッファ層3と、アンドープの窒化ガリウムである第1の半導体層4と、アンドープのアルミニウム窒化ガリウムである第2の半導体層5とが順に形成されている。第2の半導体層5の上には、ショットキー電極6とオーミック電極7とが互いに間隔をおいて形成されている。第2の半導体層5と第1の半導体層4とバッファ層3とを貫通して、n+−Si基板2に達するビア8が形成されており、オーミック電極7とn+−Si基板2とは電気的に接続されている。n+−Si基板2の裏面には裏面電極1が形成されており、オーミック電極7は基板2の裏面に引き出されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板の表面に形成された半導体素子からの信号を該半導体基板の裏側に引出すために貫通電極が設けられた半導体装置において、貫通電極の導電材料と半導体基板との間に均一な膜厚の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に形成された半導体素子からの信号を半導体基板裏面に引出すための貫通電極が形成され、該貫通電極は該半導体基板表面から該半導体基板裏面に向かって設けられた孔に導電材料を充填して形成され、かつ、該孔において、半導体基板と該導電材料との間に、該導電材料を囲繞するように絶縁膜が形成される半導体装置の製造方法であって、該絶縁膜は、絶縁材料を含むミストをスプレーノズルから該半導体基板表面に吐出させて該孔の内壁に付着させて形成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ボイド等を生ずることなく被処理体の凹部を埋め込むことができ、しかもメッキ処理の負担を軽くして、表面の研磨処理の負担も軽減することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内でプラズマにより金属ターゲット56をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台20上に載置した被処理体Sにバイアス電力により引き込んで凹部2が形成されている被処理体に金属膜74を堆積させて凹部を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して成膜処理を行う。これにより、ボイド等を生ずることなく被処理体の凹部を埋め込むことができる。 (もっと読む)


【課題】 貫通配線と半導体基板とを絶縁する絶縁膜を、簡便かつ高歩留で形成することを可能にする。
【解決手段】 半導体基板を貫通する貫通配線を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板21に形成される非貫通孔25を樹脂27で塞ぐ印刷工程は、レジストパターン24に非貫通孔25の開口部よりも大きいレジスト開口部24aを形成し、レジスト開口部24aをとおして非貫通孔25の開口部の外縁に位置する表面電極23が露出した状態で、非貫通孔25の開口部を孔版印刷によって樹脂27でキャップ状に塞ぐように行われる。このとき、レジストパターン24、表面電極23および樹脂27が、レジストパターン24と未硬化状態にある樹脂27との接触角が、表面電極23と未硬化状態にある樹脂との接触角よりも大きくなるように選択される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、基材を貫通する貫通ビアと、貫通ビアと接続される配線とを備えた基板及びその製造方法に関し、配線が接続される貫通ビアの電気的な接続信頼性を向上することのできる基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 貫通部55と、貫通部の一方の端部に設けられ、貫通部の直径R1よりも幅広の形状とされた配線接続部56と、貫通部の他方の端部に設けられ、貫通部の直径R1よりも幅広の形状とされた接続パッド57とにより貫通ビア54を構成し、配線接続部56に外部接続端子69を有した配線68を接続する。 (もっと読む)


【課題】 アスペクト比が大きい場合にも、微細化が可能であり、信頼性が高く、かつ、形成が容易な貫通電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 凸型基板上に流動性を有する絶縁材5bが塗布され、凹型基板上に流動性を有する絶縁材5aが塗布された状態で、凹型基板のホール13の中へ凸型基板の柱状導電部8が挿入される。それにより、導電部7と内部配線4とが突起電極6を介して電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】 製造効率を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置21は、半導体基板1に形成された貫通孔の内側面を被覆する側壁絶縁膜4と、貫通孔内に位置する充填部6aと貫通孔外に位置する接続部6bとを有する導体6を備える。半導体基板1の主面上に、半導体基板1の貫通孔に連通する貫通孔を各々有する電極パッド5と金属被膜8とを備える。半導体基板1の裏面に、導体6に接続された裏面配線16を備え、この裏面配線16にバンプ17が接続されている。金属被膜8は、導体の接続部6bをマスクとしてパターニングされたものであり、この金属被膜8の外周縁と接続部6bの外周縁は略同一の平面形状を有する。 (もっと読む)


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