本発明は、厚膜金属層１４を有する集積回路１０を製造する装置に関する。金属ペースト１４の層は、熱伝導基板１２上に適用手段２４によって適用される。金属ペースト１４は、予め決められたサイズの金属粒子を含む。ＲＦ生成器１６は、金属ペースト１４にＲＦエネルギー１８を選択的に誘導結合させる。金属粒子を加熱するために、金属ペースト１４の金属粒子の予め決められたサイズは、ＲＦエネルギー１８の結合周波数に対応する。このようにして、金属ペースト１４の金属粒子は、従来のプロセスのパワーの何分の一かのパワーで、金属ペースト１４を予備焼結する必要なく、加熱される。
（もっと読む）

【課題】リソグラフィの露光解像限界未満の寸法を有するパターンを形成するための工程数を削減し、また、歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材上に第１のレジスト材からなる第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジスト材が感光するエネルギー線を前記第１のレジストパターンに照射する工程と、前記エネルギー線を照射後に前記第１のレジストパターンのベーク処理を行う工程と、前記被加工材上に前記第１のレジストパターンを覆うように被覆膜を形成する工程と、前記ベーク処理後に前記被覆膜上に第２のレジスト材からなる第２のレジストパターンを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いて配線パターンにおける短絡欠陥部を除去した場合における短絡欠陥部の周辺や下部の絶縁膜受けるダメージを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、主表面に配線パターンが配された半導体基板を有した半導体装置の製造方法であって、集束イオンビームを用いて、前記配線パターンにおける短絡欠陥部における面方向の内側に位置する第１の照射領域を選択的に除去する第１の照射工程と、前記第１の照射工程の後に、集束イオンビームを用いて、前記短絡欠陥部における面方向の外側に位置する領域を含む第２の照射領域を除去する第２の照射工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】インクジェットにより短時間に配線の形成が可能な積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上において導電性材料により形成された導電層とを有し、導電層は、インクジェットヘッドにより導電性材料を含む液体を吐出することにより形成されるものであって、インクジェットヘッドの副走査方向に延びたパターンの導電層となる高表面エネルギー領域には、前記インクジェットヘッドの主走査方向に延設された高表面エネルギー領域の液滴供給領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】分子内に、一般式（１）で表される部分構造を少なくとも一つ有する化合物（Ａ）と絶縁膜用樹脂またはその前駆体（Ｂ）とを含有する絶縁膜形成用組成物。


一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ独立に任意の置換基を表し、任意のＲ^１〜Ｒ^６がそれぞれ互いに連結して環構造を形成していてもよい。同一炭素上の置換基（Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６）が２つ合わせて二重結合を表してもよい。） （もっと読む）

【課題】貫通電極又は回路パターンの凝固収縮に起因する問題を解決しえる基板配線用導電性組成物、回路基板、及び、電子デバイスを提供すること。
【解決手段】５０ｗｔ％以上のビスマス（Ｂｉ）と、３０ｗｔ％以下のインジウム（Ｉｎ）と、３０ｗｔ％以下の錫（Ｓｎ）と、１〜５ｗｔ％の範囲で選択された銅（Ｃｕ）とを含有する導電性組成物によって、貫通電極３及び回路パターン２を形成する。Ｂｉの体積膨張特性を利用することにより、課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】表面形状および／または伝熱特性が一様でない基板でも、基板上に形成された塗布層の任意の部位に均一なレーザ光の照射スポットを形成でき、かつ熱エネルギの制御を行える配線形成方法および配線形成装置を提供すること。
【解決手段】表面の形状および／または特性が一様でない基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液を塗布して塗布層３を形成する工程と、基板１表面の各位置における形状および／または特性を示す基板属性情報に基づいて、レーザ光６を塗布層３の配線形成領域に連続的に供給して、導電性微細配線４を形成する工程と、塗布層３中の導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率が小さくて高速応答性に優れ、かつ、絶縁膜の機械的強度にも優れ、更には配線の信頼性が高い半導体素子を提供することである
【解決手段】膜２に凹部３を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記凹部３を形成した後、該凹部が形成された膜２に電磁エネルギを照射する照射工程を有する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、かつ誘電率が低く安定した絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンに炭化水素基を結合させたＳｉＯＣ系材料からなる多孔質の第１層間絶縁膜５を基板１上に成膜する工程と、第１層間絶縁膜５に電子線ＥＢを照射することにより第１層間絶縁膜５の機械的強度を高める工程とを行う半導体装置の製造方法において、電子線ＥＢを照射した後に、第１層間絶縁膜５を酸素雰囲気中においてアニール処理を行い、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に置き換える。 （もっと読む）

【課題】電気特性を劣化させることなく、高品質の配線保護膜を配線の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行いめっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】修正構造および能動素子アレイ基板を提供する。
【解決手段】修正構造３００であって、基板１１０と、少なくとも１つの第１導体ライン３１０と、第１絶縁層３２０と、少なくとも１つの第２導体ライン３３０と、修正接続層３５０とを備える修正構造３００を提供する。少なくとも１つの第１導体ライン３１０は基板１１０上に設けられている。第１絶縁層３２０は、第１導体ライン３１０を被覆するように基板１１０の上に設けられている。第２導体ライン３３０は第１絶縁層３２０の上に設けられている。第２絶縁層３４０は第２導体ライン３３０と第１絶縁層３２０を被覆する。修正接続層３５０は第２絶縁層３４０上に設けられている。具体的に言うと、修正接続層３５０は第１導体ライン３１０と電気的に接続されている。修正接続層３５０は第２導体ライン３３０と重複しているが、第２導体ライン３３０とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被加工膜の加工形状の悪化やパターンの荒れを低減し、設計デザインに対し忠実で、且つデュアルダマシン工程等にも適用可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工膜２上に、膜の塗布、加熱硬化を行うことで、少なくとも１以上の膜よりなる加工用マスク層（下層有機膜３及び中間層５）を形成し、加工用マスク層のうち少なくとも１つの膜に対しハードニング処理を行う加工用マスク層形成工程と、加工用マスク層上に露光用レジスト膜を塗布し、露光現像することでレジストパターン６を形成し、当該レジストパターン６をマスクに加工用マスク層をエッチングする加工用マスク層エッチング工程と、加工用マスク層エッチング工程で形成された、加工用マスク層のパターンをマスクに被加工膜２をエッチングする被加工膜エッチング工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜のドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング加工制御性を向上する手段を提供する。
【解決手段】下部構造部１０上のストッパー膜１１上に炭素元素を含む絶縁膜である被加工膜１２を形成する。この上にマスクパターン１３ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜に向けて電子線等のエネルギー注入を行って被加工膜に硬化部位１２ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜の硬化部位を異方性エッチングし溝１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の誘電率上昇や絶縁性劣化を引き起こすことが無く、レジストポイズニングを効果的に抑制でき、かつ、低廉なコストで実施できる半導体装置における配線形成方法を提供することである。
【解決手段】 半導体装置における配線形成方法において、
絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜形成工程で形成された絶縁膜にビアを形成するビア形成工程と、
前記ビア形成工程でビアが形成された絶縁膜の表面に、レジストポイズニングを惹起する物質と反応する物質または該物質を含有する組成物の膜を形成する膜形成工程と、
前記膜形成工程の後、所定のパターンを形成するパターン形成工程
とを具備する。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジストの反応阻害物質によるレジストポイゾニングの発生を抑え、信頼性が高い配線構造を有する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上に第１の絶縁膜２１を堆積する工程と、第１の絶縁膜２１に溝部を形成した後、形成した溝部に導電性材料を埋め込むことにより第１の配線２２を形成する工程と、第１の絶縁膜２１の上に第２の絶縁膜２３を形成する工程と、第２の絶縁膜２３に対して加熱状態で紫外線を照射する工程と、第２の絶縁膜２３の上に第３の絶縁膜２５を形成する工程と、第３の絶縁膜２５の上にレジストパターン３１を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】配線溝の加工制御性に優れ、配線間容量が低減された半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】下地基板１上に、有機系の低誘電材料またはアモルファスカーボンで構成された第１の低誘電材料層２ａと無機系の低誘電材料で構成された第２の低誘電材料層２ｂとを順次積層してなる配線間絶縁膜２を形成した後、当該配線間絶縁膜に前記下地基板１に達する第１配線溝３を形成し、この第１配線溝３に導電膜を埋め込んで第１配線５を形成する。次に、第１配線５上および第２の低誘電材料層２ｂ上に、配線層間絶縁膜８を形成した後、配線層間絶縁膜８に第１配線５に達する接続孔９を形成し、この接続孔９に導電膜を埋め込んでヴィア１１を形成する半導体装置の製造方法およびこれによって得られる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に、多孔質構造からなる絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に配線形成用の凹部を形成する工程（Ｓ１０６）と、絶縁膜上全面に、凹部内を埋め込むように金属層を形成する工程（Ｓ１０８）と、凹部外部の余剰金属層を除去して配線を形成する工程（Ｓ１１０）と、絶縁膜を改質して、当該絶縁膜の表面に改質層を形成する工程（Ｓ１１２）と、改質層を形成する工程の後に、めっき液を用いて配線上に選択的に金属膜を形成する工程（Ｓ１１４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、層間絶縁膜に密着用の膜を追加することなく、簡易に有機絶縁膜と無機絶縁膜との密着性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３の積層膜を含む層間絶縁膜１０を形成する工程と、層間絶縁膜１０に対して電子線ＥＢあるいは紫外線ＵＶを照射して、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３とを密着させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易な工程で効率よく高精細に導電性パターンが形成された導電性パターン形成体や、その導電性パターンの形成に用いられる導電性可変積層体等を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、導電性無機材料、および前記導電性無機材料の周囲に付着した有機材料を含有する絶縁性粒子と、光触媒とを含有することを特徴とする導電性可変組成物を提供する。 （もっと読む）