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【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 (もっと読む)


【課題】 ウェハ裏面のキャパシタを有する半導体デバイスの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、その前面の活性シリコン層とその裏面のバルク・シリコン層との間に挿入された埋込み絶縁層を有する、SOI基板を準備するステップと、SOI基板の前面から埋込み絶縁層を貫通して延びる埋込みコンタクト・プラグを含む集積回路を、SOI基板の前記前面に形成するステップと、裏面エッチング・プロセスを実施してバルク・シリコン層内にトレンチを形成し、埋込みコンタクト・プラグの端部を埋込み絶縁層の裏表面に露出させるステップと、第1キャパシタ・プレートと、第2キャパシタ・プレートと、該第1及び第2キャパシタ・プレートの間に挿入されたキャパシタ誘電体層とを含むキャパシタをトレンチ内に形成するステップとを含み、第1キャパシタ・プレートは、埋込みコンタクト・プラグの露出した端部に接触するように形成される。 (もっと読む)


【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜104を有する基板101を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物106を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン107により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 (もっと読む)


【課題】Cu合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Cu合金層とを備えた配線構造であって、前記Cu合金層は、基板側から順に、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、SnおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有する第一層と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 (もっと読む)


【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の応力制御膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。
【解決手段】絶縁膜の上にバリア層・密着層を形成し(S1)、その上に遷移金属からなるシード層を形成する(S2)。シード層の上にSiO膜及びフォトレジスト膜を順次形成し(S3、S4)、フォトレジスト膜、SiO膜をパターニングして開口を形成し(S5,S6)、開口内にCu膜及びマスクAl膜を積層する(S7、S8)。次に、SiO膜をエッチング(S9)、露出したシード層をその膜厚方向に異方的に改質し(S10)、改質されたシード層、露出したバリア・密着層、及びマスクAl膜を順次エッチングにより除去することにより(S10〜S13)、パターン化金属膜を得る。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜にピンホール等の欠陥が生じたとしても金属導電膜の腐食を抑制し、透明導電膜と金属導電膜との間の導通を確実にとることが可能な薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属導電膜としてのゲート端子121、ドレイン端子122上にOC−SiN膜109を形成し、ゲート端子121及びドレイン端子122が露出するようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介してゲート端子121及びドレイン端子122に接触するようにITO膜を成膜してパターニングし、ITO膜に対して酸化膜形成処理を行う。これにより、ITO膜にピンホール等の欠陥が発生していた場合には、欠陥を介してITO膜下のゲート端子121ドレイン端子122の一部が酸化されて酸化膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、微細化された埋め込みビット線を容易に形成可能であると共に、埋め込みビット線の抵抗値を低くすることで高性能化を実現可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板13の主面13aに形成された第1の溝15と、第1の溝15の底面15a、及び第1の溝15の底部15Aに位置するピラー26の側壁面26a,26bに設けられ、側壁面26aを露出する第1の開口部16A、及び側壁面26bを露出する第2の開口部16Bを有した絶縁膜16と、第1の開口部16Aから露出された側壁面26aに形成された半導体基板と反対導電型の下部不純物拡散領域18と、絶縁膜16を介して、第1の溝15の底部15Aに設けられ、第1及び第2の開口部16A,16Bを埋め込むと共に、下部不純物拡散領域18及び側壁面26bと接触し、かつ金属膜よりなる埋め込みビット線21と、を有する。 (もっと読む)


【課題】異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にCuバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Cuバリア膜100上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、マスク材102を形成する工程と、マスク材102をマスクに用いて、銅膜101をCuバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材102を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、銅膜101に対して触媒作用があり、Cuバリア膜100には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜104を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】表面にマスク材102が形成された銅膜101の周囲を、有機化合物ガス22雰囲気とする工程と、有機化合物ガス22雰囲気中で、銅膜101に、マスク材102をマスクに用いて酸素イオン6を照射し、銅膜101を異方性エッチングする工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】異方性エッチングを利用して、1つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜100上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、第1のマスク材を形成する工程と、第1のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第1のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、第2のマスク材を形成する工程と、第2のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第2のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜101周囲に、層間絶縁膜106を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材102が形成された銅膜101に、マスク材102をマスクに用いて酸素イオン6を照射し、銅膜101内に、銅膜101の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅103を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅103をエッチングする工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】スループット良く、銅を異方的にエッチングすることを可能とするとともに、銅を用いたバンプ電極を短時間で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部配線153上に絶縁膜156を形成する工程と、絶縁膜156に内部配線153に通じる開口157を形成する工程と、開口157が形成された絶縁膜156上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、バンプ電極形成パターンに対応したマスク材102を形成する工程と、マスク材102をマスクに用いて、銅膜101を異方的にエッチングし、バンプ電極を形成する工程と、とを具備する。 (もっと読む)


【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に接して第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極と第1のコンタクトプラグとが接触する接触幅を充分に確保する。
【解決手段】半導体基板10の上に、エッチングストッパー膜17、第1の層間絶縁膜18及び第2の層間絶縁膜19を順次形成する。次に、第1,第2の層間絶縁膜18,19を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜17を露出する第1のホール23を形成する。次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第2の層間絶縁膜19における第1のホール23の側壁に露出する部分を変質して、第1の変質層25を形成する。次に、第1の変質層25を除去して、第2のホール27を形成する。次に、エッチングストッパー膜17における第2のホール27に露出する部分を除去して、第1のコンタクトホール29を形成する。次に、第1のコンタクトホール29に、第1のコンタクトプラグ32Aを形成する。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1は、素子形成面である第1の面1a及びその反対側の第2の面1bを有する。第1の面1aから第2の面1bまで半導体基板1を貫通するように貫通孔20が形成されている。貫通孔20の内壁上に絶縁膜21及びバリア膜22が順次形成されている。絶縁膜21及びバリア膜22が形成された貫通孔20が埋まるように導電部23が形成されている。貫通孔20の周辺に位置する部分の半導体基板1における少なくとも第1の面1a側にゲッタリングサイト30が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 裏面研削加工および裏面CMP処理が施されて製造される薄型半導体デバイスに用いられる半導体デバイス用基板であって、裏面研削を過不足なく行うことが可能であるとともに、研削加工の高速化を図ることができて、生産効率を向上させることができる半導体デバイス用基板を提供することである。
【解決手段】 半導体デバイス用基板10は、結晶性のシリコン基板11の内部に、構造変化層12が形成されたものである。この構造変化層12は、導電型領域を形成することがないイオンが注入されてなる層であって、シリコンとは異なる結晶構造に変化した層である。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜に対するUVキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、UVブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】基板の上に、第1の絶縁膜11を形成し、形成した第1の絶縁膜11の上部に第1の金属配線12を形成し、第1の絶縁膜11の上に、第1の金属配線12を覆うように第2の絶縁膜13を形成し、第2の絶縁膜13に対して膜質の改質処理を行う。その後に、第2の絶縁膜13の上に第3の絶縁膜14を形成し、形成した第3の絶縁膜14に対してキュア処理を行う。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを有するプラグ配線において良好な電気的接続を得ることができるカーボンナノチューブ配線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1配線層12上に層間絶縁膜13が形成され、層間絶縁膜13上に第2配線層14が形成されている。第1配線層12と第2配線層14との間の層間絶縁膜13内にはコンタクト孔15が形成される。コンタクト孔15内には、一端が第1配線層12に接続され、他端が第2配線層14に接続された複数のカーボンナノチューブ16が形成されている。さらに、層間絶縁膜13と第2配線層14との間にはストッパ膜17が形成され、ストッパ膜17の一部は複数のカーボンナノチューブ16の前記他端間に充填されている。 (もっと読む)


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