Fターム[5F033QQ71]の内容

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【課題】Cu配線内における空孔の集中を抑制することでCu配線内でのボイドの形成を抑え、例えば2層間配線系におけるビア接続部等における、いわゆるストレスマイグレーションと呼ばれる断線等の配線不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法において、配線形成後に被処理基板を加熱および除熱する熱サイクル工程を行う、半導体装置の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と端部が重畳する第1配線層及び第2配線層と、少なくともゲート電極と重畳しゲート絶縁膜及び該第1配線層及び該第2配線層における導電層の側面部及び上面部と接する酸化物半導体層とを有する非線形素子を用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、非線形素子の第1配線層又は第2配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。 (もっと読む)


【課題】配線層の配線同士間の容量を低くしたままで、機械強度の低下を防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置およびその製造方法によれば、下地層1,2,3上に形成された第1の配線層6と、第1の配線層6と同一面内に形成され、所定の温度で気化する配線層間膜4とを備える。そして、第1の配線層6上、および、配線層間膜4上に形成された拡散防止膜7を備え、第1の配線層6に沿って第1の配線層6と同一面内にエアギャップ8が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 異常な反応を起こる可能性を低減し、半導体集積回路装置の特性並びに歩留りの維持、向上を図ることが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理基板(W)を、弗素を含む処理ガスを含む雰囲気下でガス処理し、被処理基板(W)の表面に弗素を含む反応生成物(312)を形成する第1の工程と、ガス処理後の被処理基板(W)を加熱処理し、弗素と反応する反応ガスを含む雰囲気下でガス処理する第2の工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、NORフラッシュデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バックエンドオブライン(BEOL)構造を有するNORフラッシュデバイスにおいて、BEOL構造は導電領域を有する基板と、基板上に形成された第1層間絶縁膜と、導電領域に形成される第1金属ラインと、該第1金属ラインと第1層間絶縁膜を覆う第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜を貫通する第1コンタクト及び第1コンタクトを通じて第1金属ラインと連結される第2金属ラインを具備して、第1コンタクト、第1及び第2金属ラインのうちで少なくとも一つは銅であり、第1及び第2層間絶縁膜のうちで少なくとも一つは、低誘電物質を含む。 (もっと読む)


【課題】汚染および表面分解を最小限に抑えるための層間絶縁膜の表面改質
【解決手段】半導体システムは、誘電体層(104)を提供することと、誘電体層(104)内に、誘電体層(104)の上部に露出される導体(108)を提供することと、露出された導体(108)をキャッピングすることと、誘電体層(104)の表面を改質することであって、導体(108)を低pH溶液に溶解させて誘電体層(104)から導体(108)イオンを洗浄すること、導体(108)イオン下方の誘電体層(104)を溶解させること、機械的に強化された洗浄を行うこと、または誘電体層(104)上に疎水性層(800)を化学吸着させることを含むことと、を含む。 (もっと読む)


【課題】材料表面からの脱ガスによって加工特性に大きな影響が生じる被エッチング膜の水分吸収によるエッチング加工精度の面内ばらつきを防止し、寸法精度の面内均一性の向上を図ることが可能なエッチング方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率膜(被エッチング膜)103の上部に無機マスク層104やレジストパターン105などのマスクパターン層が形成された状態で、低誘電率膜103から水分を除去するための脱ガス処理を行う。この脱ガス処理は減圧雰囲気内において前記被エッチング膜の周縁を加熱することによって行われる。その後、連続してマスクパターン層上から低誘電率膜103をドライエッチング処理する。脱ガス処理とドライエッチング処理とは、減圧雰囲気内において連続して行われる。 (もっと読む)


【課題】 配線膜厚が200〜1000nm程度のサブμmオーダの薄膜でも2.5μΩcm以下の比抵抗を得ること配線層の形成方法および配線層を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板1上に下地絶縁膜2の窒化シリコン膜を形成し、この上に下地金属層3を形成し、この上に金属シード層4を形成し、この金属シード層4上に金属配線層7を形成した配線層であって、上記金属シード層4は主として結晶面が(111)に配向し、平均結晶粒径が0.25μm以上であり、上記金属配線層は膜厚が200乃至1000nmであり、無電解めっき法で形成された層である。 (もっと読む)


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