【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりを実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板１１上の絶縁層１３に形成された第１の凹部１４および第１の凹部１４よりも幅が狭い第２の凹部１５に、基板１１を銅が流動可能なリフロー温度に加熱した状態で、第１の銅膜２１を形成する工程を備えている。また、前記半導体装置の製造方法は、第１の銅膜２１上に、不純物濃度が第１の銅膜２１よりも高い第２の銅膜２２を、第１の銅膜２１の形成時よりも流動性が小さい状態で形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン電流を十分に確保することが可能な信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】活性領域６を分断する２つの埋め込みゲート用の溝部８ａ，８ｂにゲート絶縁膜９を介して埋め込まれたゲート電極７ａ，７ｂと、ビットコンタクト用の溝部１２を挟んで対向する一対の埋め込みゲート用の溝部８ａ，８ｂの底部に不純物が拡散された領域１３ａ，１３ｂと、ビットコンタクト用の溝部１２に不純物が拡散された領域１３ｃと、が結合されて設けられた第１の不純物拡散層１３と、中央部を挟んだ両側に位置する活性領域６ａ，６ｃに、ゲート電極７ａ，７ｂの上面と同程度の深さで不純物を拡散させることによって形成された第２の不純物拡散層１４ａ，１４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＬＳＩ技術及びＵＬＳＩ技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＯＨ膜からなる層間絶縁膜に形成された埋め込み用の凹部に銅材を埋め込んで導電路を形成するにあたり、導電路の抵抗を低くすること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨ膜にプラズマにより凹部を形成すると表面が疎水性になる。このＳｉＣＯＨ膜に水素ガスのリモートプラズマを供給し、Ｈラジカル及びＨイオンにより凹部の表面を親水性に改質する。またプラズマに代えて過酸化水素水を供給してもよく、この場合表面にＯＨ基が形成される。次いで例えばＲｕ_３（ＣＯ）_１２ガスとＣＯガスとを用いてＣＶＤによりＲｕ膜４を成膜し、その後銅材５を埋め込み、ＣＭＰ処理をして上層側の配線構造を形成する。また改質にあたって、グリム、ＤＭＥＤＡなどを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第１のプロセスチャンバと、第２のプロセスチャンバと、第３のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第１のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第１のバリアメタルを成膜する。また、前記第２のプロセスチャンバは、前記第１のバリアメタルが成膜された前記基板上に第１のガスを導入することにより、前記第１のバリアメタルの上層部を前記第１のガスによって表面処理し、これにより前記第１のバリアメタル上に第２のバリアメタルを形成する。さらに、前記第３のプロセスチャンバは、前記第２のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第２のバリアメタル上に第３のバリアメタルを成膜する。 （もっと読む）

【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低Ｋ薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の２つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低Ｋ誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Ｋの酸素が豊富な部分を通過し、低Ｋ部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低Ｋ部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた層間絶縁膜５０と、層間絶縁膜５０に埋め込まれた、Ｃｕにより構成される配線１０と、配線１０の表層に設けられた、銅錯体を含有する表面層２０と、を備える。配線１０の表層に銅錯体を含有する表面層２０を備えることにより、配線抵抗の上昇や絶縁耐性の劣化を抑制しつつ、配線信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む金属パターン２０を製造する際に、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜２１を成膜する工程（１）と、金属膜２１の表面に酸化処理により酸化膜２２を形成する工程（２）と、酸化膜２２上に金属パターンに対応したレジストパターン３０を形成する工程（３）と、レジストパターン３０をマスクとして、金属膜２１をエッチングする工程（４）とを順次実施する。工程（１）と工程（２）との間において、少なくとも工程（２）の実施直前には、基板の雰囲気を真空雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が１００ｍ／分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に良好にＡｌ膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のＡｌ膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のＡｌ膜上に第二のＡｌ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２の全面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上にＰＶＤによりＣｕがマイグレーションする条件でトレンチ２０３内に第１のＣｕ膜２０６を形成する工程と、第１のＣｕ膜２０６の上に、第１のＣｕ膜２０６よりも大きな成膜速度でＰＶＤにより第２のＣｕ膜２０７を形成する工程と、ＣＭＰにより全面を研磨する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法を用いて層間絶縁膜内にＣｕ配線を形成する際、硬度が低い層間絶縁膜および硬度が高い層間絶縁膜のそれぞれに形成されたビアホール内に配線材料を良好に埋め込むことができるようにする。
【解決手段】第２層間絶縁膜１７には、配線溝３０ａとビアホール２８ａとが形成されている。また、ビアホール２８ａの開口部には、第２層間絶縁膜１７を斜め下方に後退（リセス）させることによって、テーパ状の断面形状を有するリセス部３１が形成されている。これにより、ビアホール２８ａの開口部の直径は、開口部よりも下方の領域の直径に比べて大きくなり、ビアホール２８ａの直径が微細な場合であっても、ビアホール２８ａの内部に配線材料を良好に埋め込むことができる。 （もっと読む）