【課題】絶縁耐量を改善することができる半導体装置を得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１０（基板）上にゲート抵抗７（下配線）が設けられている。ゲート抵抗７を層間絶縁膜１２が覆っている。層間絶縁膜１２上に、互いに分離したアルミ配線５ａ，５ｂ（第１及び第２の上配線）が設けられている。アルミ配線５ａ，５ｂを半絶縁性の保護膜４が覆っている。ゲート抵抗７の直上であってアルミ配線５ａとアルミ配線５ｂとの間の領域に、保護膜４が設けられていない。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】
使用現場で使用者や顧客の要望に応じて、回路システムを形成することのできる薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタ装置において、ＴＦＴにより構成した複数の集積回路ブロック１，２と、これらの集積回路ブロックを相互に接続するための網目状に交差したマトリックス配線３、４、５、６を設ける。相互の集積回路ブロック間の接続は、使用現場で使用者や顧客の要望に応じて導電性材料を印刷等により、マトリックス配線の各々の配線交差部に選択的に設けることにより行い、所望の回路システムを構成する。 （もっと読む）

【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

【課題】インクジェットにより短時間に配線の形成が可能な積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上において導電性材料により形成された導電層とを有し、導電層は、インクジェットヘッドにより導電性材料を含む液体を吐出することにより形成されるものであって、インクジェットヘッドの副走査方向に延びたパターンの導電層となる高表面エネルギー領域には、前記インクジェットヘッドの主走査方向に延設された高表面エネルギー領域の液滴供給領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高集積化された半導体集積回路の厚さを薄くする手段を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１のバンプと接続する第１の半導体素子層５１と、第１の貫通電極１０４を作製し、第２のバンプに接続する第２の半導体素子層５９と、第２のシート状繊維体と第２の有機樹脂を有する第２の構造体１２０を作製し、第３のシート状繊維体と第３の有機樹脂を有する第３の構造体１２１の、未硬化の第３の有機樹脂１１４上に金属粒子を有する導電性樹脂を配置することより未硬化の第３の有機樹脂が溶解し、金属粒子が第３のシート状繊維体の間を移動し、第３の構造体を貫通する第３の貫通電極２０１が形成され、基板上で第１の貫通電極、第３の貫通電極、第２のバンプが重なり合うように配置し、第３の有機樹脂を硬化させる半導体装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】繊維体に貫通孔を空けることなく、プリプレグの内部に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】シート状繊維体の両面に、該シート状繊維体の内部まで含浸した絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層に囲まれる領域に設けられた貫通配線を有し、前記貫通配線は、前記シート状繊維体を挟んで前記絶縁性樹脂層の両面に導電性材料が露出し、該導電性材料は、前記シート状繊維体の内部まで含浸している配線基板及びその作製方法、並びに、さらに、絶縁層の表面にバンプが露出した集積回路チップとを有し、前記バンプが前記貫通配線と接触するように、前記集積回路チップが前記樹脂含浸繊維体複合基板に密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。
【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、及び一酸化炭素ガス（ＣＯ）を含む。Ｈ_２：Ｎ_２の比は約１：１である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】紫外線から受けるダメージを抑制することができ、且つ、小型化にも対応することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられたシリコン粒子３６を含む第１絶縁膜４０と、半導体基板１０と第１絶縁膜４０との間に設けられた電荷蓄積層１４を含むＯＮＯ膜からなる第２絶縁膜３４と、第２絶縁膜３４と第１絶縁膜４０との間に設けられたゲート電極２０と、ゲート電極２０を挟むように半導体基板１０内に設けられたビットライン２２と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】水素の含有量を１原子％以下とすることで４００度における十分な耐熱性を付与された、ケイ素を含有するフッ素化非晶質炭素膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】式CxFy（式中x, yは２以上の整数）で表される不飽和フッ化炭素ガスと式SiaFb（式中a, bは１以上の整数）で表されるフッ化ケイ素ガスを原料ガスとして用いる。 （もっと読む）

【課題】 渦巻き形状の薄膜誘導素子を備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子の渦電流損を低減する。
【解決手段】 シリコン基板１と薄膜誘導素子１３との間には、熱硬化性樹脂６ａ中に軟磁性体粉末６ｂを混入したものからなる磁性膜６が設けられている。これにより、シリコン基板１に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子１３の渦電流損を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸素の含有量の少ないシリコンカーバイドからなる絶縁膜の上に、低誘電率絶縁材料からなる膜を形成する場合にも、十分な密着性を得ることができる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、シリコンカーバイド、酸素含有シリコンカーバイド、シリコンオキシカーバイドからなる群より選択された絶縁材料からなる第１の膜を形成する。第１の膜の上に、比誘電率が２．７以下の低誘電率絶縁材料で形成されている絶縁膜であるか、または塗布法により形成される絶縁膜である第２の膜を形成する。第２の膜が形成された基板を、水素プラズマに晒す。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有し、更には膜の経時安定性の良好な層間絶縁膜を提供すること。更に該塗布液を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（１）で表される基を構成単位として有する高分子化合物を含有する半導体集積回路の絶縁膜により解決される。
−Ｒ₁−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ− 式（１）
Ｒ₁はカゴ型構造基を表す。 （もっと読む）

【課題】基板に良好な薄膜を形成することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布された塗布液の状態を間接的に示す膜厚情報を検出し、その検出結果に応じて塗布液への石英基板（押付部材）の押付タイミングを決定する。このように膜厚情報に基づき基板への石英基板の押付タイミングを決定しているので、最適なタイミングで塗布液の平坦化処理を実行することができる。その結果、基板の周辺環境や薄膜の種類などを問わず、基板上に良好な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線の膜厚を均一化し、かつ隣接する複数の金属配線において発生する電流集中を抑制し、これにより配線抵抗の上昇を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】互いに隣接して複数の金属配線１１，１２が配置され、これらの金属配線１１，１２にそれぞれスリット１３，１４が形成され、複数の金属配線１１，１２のうち少なくとも１つ以上の金属配線１１，１２におけるスリット１３，１４を、金属配線１１，１２の上面から見て金属配線１１，１２の延在方向に対して左右非対称に形成する。 （もっと読む）

【課題】膜中の非架橋部位が低減されて十分に低い誘電率を呈する膜を形成できる有機無機複合体、その有機無機複合体からなる膜、及びその膜を用いた半導体装置の各製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機無機複合体の製造方法は、第一調製工程で調製した特定の架橋性化合物を含む前駆体Ａと、第二調製工程で調整した酸触媒を含む前駆体Ｂとを混合工程で混合して、特定の架橋性化合物を加水分解させた後、複合体形成工程において、その加水分解物にアルカリ触媒を加え、その加水分解物を縮合させて有機無機複合体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面上に特徴画成部を形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面にネガティブマスク材料を堆積し、そのネガティブマスク材料を基板表面へとエッチングしてネガティブマスク特徴画成部を形成し、ネガティブマスク特徴画成部に耐エッチング材料を堆積し、その耐エッチング材料を研磨してネガティブマスク材料を露出させ、ネガティブマスク材料をエッチングして耐エッチング材料に特徴画成部を形成することにより、基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 溝配線形成の際の密着層カバレッジ不良とライナーエッチング後にボイドが発生することを同時に防止する。
【解決手段】 基板１００上に、第１の配線層１０６ａ上での膜厚が第１の絶縁膜１０１上での膜厚よりも薄くなるように第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜１０８を形成する工程と、第３の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜に到達する接続孔１０９を、平面的に見て第１の配線層と少なくとも一部がオーバーラップする位置に形成する工程と、接続孔の底面における第１の配線層とオーバーラップする領域では第１の配線層を露出するとともに、接続孔の底面における第１の配線層とオーバーラップしない領域では第２の絶縁膜が残存するように、接続孔の底面に露出した第２の絶縁膜をエッチング除去する工程とを含む。 （もっと読む）