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Fターム[5F033RR02]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 絶縁膜の材料 (22,565) | 無機材料 (16,592) | 酸化物 (6,040)

Fターム[5F033RR02]の下位に属するFターム

金属酸化物 (694)
SiO2 (5,243)

Fターム[5F033RR02]に分類される特許

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製造検査のための方法は、半導体基板及び該基板を覆って形成された非導電層を含むウェーハを受け取ることと、それに続いて、該非導電層を貫通して該基板に達するコンタクト開口のエッチングを実行することであって、該コンタクト開口が、該ウェーハ上の検査領域内に予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含むこととを含む。電子ビームは、該検査領域を照射するように向けられ、該電子ビームに反応して該基板を流れる試料電流が測定される。該試料電流は、該コンタクト開口の寸法を評価するために分析される。
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【課題】 本発明は半導体装置の製造工程において、レジストなどのマスクパターンを用いる際に発生する反応生成物等のレジスト等への不均一な付着によるパターン形状等の不良を生じさせず、また、寸法精度が良好な微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第1の薄膜の側壁に第2の薄膜を形成し、その側壁に形成された第2の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 (もっと読む)


【課題】半導体回路の隣接導体線間容量性クロストークを減少させる。
【解決手段】フィラー材料を蒸発させて形成された空隙を有する金属被覆体の製造方法で、フィラー材料30は透過性の誘電層40により覆われる。フィラー材料はPPG、PB、PEG、非結晶フッ化炭素及びPCLからなる群から選択され、スピン・オン法又はCVD法により形成される。フィラー材料を、間隔をあけた導電線20及び半導体構造体10上に形成し、エッチバック処理し、導電線の上面を露出させる。次に、フィラー材料上に透過性の誘電層40を形成する。透過性の誘電層は分解したガス相フィラー材料が拡散するのを許容する性質がある。フィラー材料を蒸発させ、気相フィラー材料に変化させる。気相のフィラー材料は透過性の誘電層を通じて拡散して、間隔をあけた導電線の間に空隙を形成する。透過性の誘電層上に絶縁層が形成される。 (もっと読む)


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