Fターム［5F033RR02］の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 絶縁膜の材料 (22,565) | 無機材料 (16,592) | 酸化物 (6,040)
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Fターム［5F033RR02］に分類される特許
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ビットライン接触面積確保のための半導体素子、その半導体素子を有するモジュール及びシステム
半導体装置の製造方法
薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
半導体素子及びその形成方法
半導体素子及びその製造方法
半導体装置
半導体装置の製造方法
チップの製造方法
半導体装置
パターン形成方法及びデバイス製造方法
電子デバイス及びその製造方法
半導体デバイス及びマスク設計方法
周期的な酸化およびエッチングのための装置と方法
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半導体処理システムのための前駆物質を生成する方法及び装置
半導体装置およびその製造方法
膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置
半導体装置の製造方法
集積回路および集積回路の製造方法
半導体装置の製造方法。
相互接続用自己整合バリアおよびキャッピング層
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