【課題】 渦巻き形状の薄膜誘導素子を備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子の渦電流損を低減する。
【解決手段】 シリコン基板１と薄膜誘導素子９との間には低誘電率膜５が設けられている。これにより、シリコン基板１に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子９の渦電流損を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に設けたホールパターンに形成された導電体膜の断線を防止できる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。次に、等方性エッチングにより、マスク膜の側壁部を水平方向に後退させると共に、異方性エッチングにより、凹部の底部に露出した絶縁膜を垂直方向に掘り下げながら、マスク膜の側壁部下部に付着した反応生成物を除去する。次に、異方性エッチングにより、凹部の周囲に存在する絶縁膜を鉛直方向に掘り下げて段差部を形成すると共に、凹部の底部を貫通させて第１の導電体膜を露出させる。その後、第１の導電体膜の上に第２の導電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造工程において、層間絶縁膜へのダメージを極力抑えることが可能な配線の還元処理方法の開発。
【解決手段】本発明は、基板上に導電部材および絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、該方法は、基板上に導電部材を形成する工程、該導電部材上に絶縁膜を形成する工程、該導電部材上の絶縁膜を除去する工程、該導電部材上の酸化された領域を還元するために有機シランガスおよび水素ガスをブローする工程からなり、ここで該導電部材上の酸化された領域は、該絶縁膜が除去されたときに形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を有するシリコンウエハの貫通孔にオーバーハング形状や内部ボイドがなくめっきを充填する方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ内の貫通孔開口部と同位置に開口部を有するプレートを一定の距離をおいてシリコンウエハの貫通孔開口部にプレート開口部を合わせて、めっき電極側に向けて配置してめっきを行う。プレート開口径は貫通孔開口径より少し小さくする。プレート開口径と貫通孔開口径Ｒの差を２ｘとしたとき、ｘ／Ｒを0.1〜0.3、シリコンウエハとプレートの距離を0.05ｍｍ〜1.0ｍｍとしたときに、前記課題を実現できる。プレートは、多孔質セラミックのような絶縁体でかつ多孔質材料が望ましく、シリコンウエハ表面のめっき成長も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時に半導体チップの側壁からのクラックが侵入するのを抑制することで信頼性向上を図る。
【解決手段】半導体チップ領域１０の表面の端部上に、集積回路領域３１を取り囲んでクラックストッパ用シールリング３０が形成されている。クラックストッパ用シールリング３０は、集積回路領域３１の外の半導体基板１１上に形成された積層構造体であり、第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２が、それぞれ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１６を間に挟んで積層されている。第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２は、集積回路領域３１の半導体素子や配線とは第１乃至第３の層間絶縁膜１２，１４，１６によって電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】多層の金属配線層を有する半導体装置において、より一層のパッド配置面積の低減を図る。
【解決手段】アルミ３と、アルミ３との間に層間絶縁膜を介して設けられたアルミ２と、アルミ２，３間を接続するコンタクトと、アルミ３に対応して設けられた保護膜の開口部１と、を備え、開口部１の内側領域が、外部電極用パッドであり、かつ、ボンディング領域とプローブテスト領域の二つに分けて使用される半導体装置である。前記ボンディング領域では、アルミ３が露出され、該アルミ３によりアルミ２が隠れている。前記プローブテスト領域では、アルミ２が露出されている。 （もっと読む）

集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の異なる半導体層上においても、良好にゲート電極を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体２上の膜厚の異なる半導体層３ａ，３ｂにそれぞれ形成された電界効果型トランジスタを有する半導体装置の製造方法である。まず、膜厚の異なる半導体層３ａ，３ｂを絶縁体上に形成する。そして、半導体層３ａ，３ｂ上にゲート絶縁膜５ａ，５ｂを形成し、ゲート絶縁膜５ａ，５ｂ上にゲート電極材料を積層する。パターニング時におけるフォトリソグラフィに影響を与えない膜厚を有する犠牲膜をゲート電極材料上に形成し、エッチングにより犠牲膜をパターニングするとともに、パターニングされた犠牲膜８ａをマスクに用いてゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１１，１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】微細なコンタクト構造であっても、低コンタクト抵抗のコンタクト構造を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面部に形成された不純物領域１５と、不純物領域１５の表面から所定深さにわたって形成された金属シリサイド層１６とを備える。シリコン基板１１上には層間絶縁膜１８が形成され、層間絶縁膜１８を貫通して底部が金属シリサイド層１６に到達するコンタクトホール１９が形成されている。コンタクトホール１９は、金属シリサイド層１６からなる側壁の面積が、金属シリサイド層１６からなる底面の面積よりも大きい開口部になっている。さらに、コンタクトホール１９の、金属シリサイド層１６からなる側壁および底面に接触するコンタクトプラグ２１がコンタクトホール１９に埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】配線層の上に層間絶縁膜を堆積した集積回路において熱処理を施すと、配線間の狭い間隙部と、これにつながる広い開口部との接続部分にて、層間絶縁膜の破裂が起こり得る。
【解決手段】間隙部１０と開口部１２との接続部分に位置する配線４ｂの角部を面取りして、間隙部１０の端部６２を開口部１２へ向けて末広がり形状とする。このようにパターニングした配線層の上に層間絶縁膜を堆積する。層間絶縁膜は間隙部１０の狭い溝に起因して当該位置に空洞を形成し得る。端部６２を設けることで、層間絶縁膜の堆積に関して、間隙部１０と開口部１２との接続部分での不連続性が緩和され、間隙部１０の空洞の端が層間絶縁膜によって封止されにくくなり、熱処理での空洞の気圧上昇に伴う層間絶縁膜の破裂が抑制される。 （もっと読む）

【課題】二次配線と半導体チップの電子回路部とが重なり合う場合においても、当該二次配線と当該電子回路部との間の電磁界的干渉を抑制することができると共に、ウエハの彎曲を抑えることができ、かつ、ダイシング工程において、チッピングが発生する危険性を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１ａは、半導体チップ２において、第１の二次配線未形成領域の絶縁層が、第１の二次配線形成領域の絶縁層よりも薄く形成される。また、半導体チップ２における、電極パッド１０が形成された回路形成面が伸びている方向に関し、半導体チップの縁３１が、上層絶縁層１２の縁である側壁部１２ｓよりも突出している。 （もっと読む）

【課題】導電体内の欠陥の発生を抑制し、導電体が連続的に形成される三次元構造体の製造方法および三次元構造体を提供する。
【解決手段】第１の導電体上に、絶縁体と、この絶縁体内に、第１の導電体と異なる第２の導電体で構成される縦構造体と横構造体が組み合わされた三次元の擬似導電体構造とを形成する工程と、擬似導電体構造を溶解除去して三次元の空洞を形成し、第１の導電体を露出させる工程と、第１の導電体をシード層として、電解めっき法により第３の導電体を空洞に充填し、三次元の導電体構造を形成する工程を有することを特徴とする三次元構造体の製造方法およびこれによる三次元構造体。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエハを用いずに、誘電体分離構造を有する安価な半導体装置を得ること。
【解決手段】複数の半導体素子が形成された半導体ウエハ（半導体基板１２）のおもて面に表面電極１７、再配線１９およびポスト２１を形成し、おもて側封止樹脂２０で封止する。ウエハの裏面を研磨してウエハを薄くする。研磨により露出する面からウエハを貫通しておもて面の層間絶縁膜１６に達する分離溝を形成する。ウエハの裏面に絶縁膜を積層して、分離溝を分離絶縁膜１５で埋めるとともに、研磨による露出面を裏面絶縁膜１４で被覆することによって、誘電体分離構造を形成する。ウエハを複数のチップに分割する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を低下することなく高集積化が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、コンタクト層４０及びＡｌ層の真上にＡｌ層を積層したＡｌスタック構造をなすものであり、コンタクト層４０の真上に１ｓｔＡｌ層１０が積層され、１ｓｔＡｌ層１０の真上に２ｎｄＡｌ層２０が積層され、２ｎｄＡｌ層２０の真上に３ｒｄＡｌ層３０が積層されてなるものである。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面には第１のパッシベーション膜７が設けられている。そして、第１のパッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は第２のパッシベーション膜９によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】集積回路１２及び集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０に、熱硬化性樹脂前駆体２４を設ける。電極１４上から、熱硬化性樹脂前駆体２４の表面に至るように、配線２０を形成する。熱硬化性樹脂前駆体２４を、熱によって硬化収縮させて表面積を小さくし、配線２０に凸部２２となるしわを形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置に比べてさらなる小型化を可能とする、複数の半導体素子が並列に接続された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ソース領域１５と、ドレイン領域１７と、ゲート領域１６とを有するＪＦＥＴ１０を複数個備えている。複数個のＪＦＥＴ１０は、ソース領域１５同士を接続するソース電極２５と、ドレイン領域１７同士を接続するドレイン電極２７と、ゲート領域１６同士を接続するゲート電極２６とにより並列に接続されている。ソース電極２５は、ソース電極２５を外部と接続するソース電極パッド２５Ａを含んでいる。ドレイン電極２７は、ドレイン電極２７を外部と接続するドレイン電極パッド２７Ａを含んでいる。そして、ソース電極パッド２５Ａおよびドレイン電極パッド２７Ａは、絶縁体からなる絶縁保護膜２８を挟んでゲート電極２６の上側に突出するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ナノプリント法において、基板からスタンパを剥離する工程を高精度かつ容易に行うことを目的とする。
【解決手段】プレス装置を用い、基板上に微細構造を形成するためのスタンパにおいて、前記スタンパが剥離機構を有することを特徴とするナノプリント用スタンパ、及び該スタンパを用いるパターン転写方法。 （もっと読む）

【課題】配線形成過程に起きる膜物性値変化を、再現性と簡便性とを両立して追跡できる技術を提供することである。
【解決手段】基板上に膜が順に複数積層されてなる複合膜における任意の膜Ｃ_ｋの比誘電率を求める方法であって、前記基板上に前記複合膜を設ける複合膜成膜工程と、前記基板上に前記任意の膜Ｃ_ｋ以外の膜を一つずつ設ける単一膜成膜工程と、前記複合膜成膜工程で得た複合膜の比誘電率ｋ（複合膜）を求める工程と、前記単一膜成膜工程で得た膜Ｃ_ｋ以外の単一膜の比誘電率ｋ（単一膜）を各々求める工程と、前記複合膜成膜工程で得た複合膜の厚さｄ（複合膜）を求める工程と、前記複合膜成膜工程で得た複合膜における各々の膜の厚さｄ（単一膜）を求める工程とを具備する。 （もっと読む）