【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成する膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程において、ペースト充填用の凹部を有すると共に凹部内に凸部を有し、凸部の上面に撥液性領域を有する凹版を用い、凹部に充填されたペーストを基材に転写することにより、基材上に、貫通孔を有する膜を形成する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液ＰをシートフィルムＦの表面に塗布し、溶剤を揮発させることでポリシラザン薄膜Ｒを得る。これを半導体基板に転写するのに先立って、ＵＶ光源２０２から拡散板２０３を介して強度を均一化したＵＶ光Ｌを薄膜Ｒに照射する。これにより、薄膜Ｒの表面Ｒａの粘度が選択的に増大し、基板転写時に、基板表面に形成されたトレンチを埋めることなくエアギャップを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の酸素含有率を低減させる酸素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の窒素含有率を低減させる窒素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス加工性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】必要な回路が形成された半導体表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径１μｍ以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を１層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路３を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において優れた電気的特性が得られるように、寄生容量を低減し得る半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】第１のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、及び第２のソース電極が、所定方向に沿ってこの順に並んで半導体基板の上面上に形成された構造を有するトランジスタを形成する。犠牲層を、トランジスタを覆って半導体基板の上面上に形成する。犠牲層を部分的に除去することにより、第１のソース電極及び前記第２のソース電極を露出する。第１のソース電極及び第２のソース電極に接続され、所定方向に沿って延在する配線を、犠牲層の上面上に形成する。犠牲層を除去する。トランジスタ及び配線を覆う形状に加工されたシート、テープ、又は基板を、トランジスタ及び配線を覆って半導体基板の上面上に貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において優れた電気的特性が得られるように、寄生容量を低減し得る半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】第１のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、及び第２のソース電極が、所定方向に沿ってこの順に並んで半導体基板の上面上に形成された構造を有するトランジスタを形成する。犠牲層を、トランジスタを覆って半導体基板の上面上に形成する。犠牲層を部分的に除去することにより、第１のソース電極及び前記第２のソース電極を露出する。第１のソース電極及び第２のソース電極に接続され、所定方向に沿って延在する配線を、犠牲層の上面上に形成する。犠牲層を除去する。上面が開口した枠体を、トランジスタの周囲を取り囲んで、半導体基板の上面上に形成する。枠体上にテープを貼り付けることにより、枠体及びテープによってトランジスタ及び配線を覆う。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体基板が樹脂層により被覆されない構造のため、半導体基板端部が欠け易い問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、シリコン基板２上面に配線層１３が形成され、配線層１３を被覆するように樹脂層１４が形成される。配線層１３上には樹脂層１４の開口領域１５を介してバンプ電極１８が形成される。また、保護シート１９は、シリコン基板２の裏面及びシリコン基板２の側面２０の一部を被覆する。この構造により、シリコン基板２の裏面側では、保護シート１９が緩衝材として機能し、シリコン基板２のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の上方に形成された電極パッド３０とを有し、電極パッド３０は、第１の融点温度を有する材料からなる第１の層３２と、第１の層３２上に位置するとともに外に向けて表出し、第１の融点温度よりも高い第２の融点温度を有する材料からなる第２の層３３とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド３０への圧力により第１の層３２に達する傷ができても、必要に応じて第１の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換デバイスの表面に高アスペクト比の配線を容易に形成する。
【解決手段】基板Ｗ表面を走査移動する第１吐出部５２から、光硬化性樹脂を有する隔壁材料Ａ1を吐出し、その後方でＵＶ光を照射することにより硬化させる。さらに後方を移動する第２吐出部５４から配線材料を吐出させる。このとき、配線材料の吐出位置の周縁部には隔壁Ｂ1，Ｂ2が形成されているので、配線材料は面方向に広がることがなく、高アスペクト比の配線ＣＷを形成することができる。隔壁Ｂ1，Ｂ2については、封止材と同等の屈折率を有する材料を使い配線とともに封止するか、光照射により半硬化状態として配線形成後に熱処理により揮発させる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスのナノワイヤの製造を実現する。
【解決手段】封入されたナノワイヤを製造する方法であって、表面層を有する基板を提供することと、前記表面層にパターンを付け、ナノメートルサイズのフィーチャを形成することと、前記ナノメートルサイズのフィーチャ内に導電材料を配置し、前記基板上にナノワイヤを形成することと、前記表面層を除去することと、前記ナノワイヤ上に絶縁材料を配置することと、を含み、前記ナノワイヤ上に前記絶縁材料を配置することは、約３５０℃未満の温度で前記ナノワイヤ上に絶縁材料を配置することを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜担持体上に薄膜材料を含む塗布液を塗布し、これを基板表面に転写させた後に薄膜担持体を剥離することによって基板上に薄膜を形成する薄膜形成システムおよび薄膜形成方法において、溶媒への引火を防止しながら効率よく薄膜形成を行う。
【解決手段】雰囲気管理された搬送空間ＴＰ２内をＸ方向に往復移動する主搬送ロボット７０の搬送経路の両側に複数の処理ユニットを並べて配置した薄膜形成システムである。溶媒蒸気が発生しうる塗布ユニット３４と、静電気が発生しうる剥離ユニット１０とが搬送空間ＴＰ２を挟んで互いに反対側となるようなレイアウトとする。これにより溶媒への引火が防止されるので、薄膜形成処理を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題（静電気破壊の問題）を解決することを目的とする。
【解決手段】第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、を有し、前記第１の絶縁体と前記回路との間に第１の導電膜が設けられ、前記第２の絶縁体と前記アンテナとの間に第２の導電膜が設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に使用されるシリコン酸化膜の下地依存性を改善することによって、シリコン酸化膜の狭スペースへの埋め込み性やモフォロジーを向上させる。
【解決手段】半導体素子部を有するＳｉ基板１の表面に有機基を含まないＳｉ含有分子を吸着させ、Ｓｉ含有分子による吸着層１２を形成する。あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。吸着層１２またはＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜上から有機シリコン材料ガスとオゾン等の活性化された酸素を含むガスとを供給し、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化物からなる絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素部のＭＯＳトランジスタ上で異なる２層のシリサイドブロック膜の一部が重なるように形成して、白傷、暗電流を低減することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、光電変換部２１を備えた画素部１２とその周辺に形成された周辺回路部１３を有し、画素部１２のゲート電極３２の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第１サイドウォール３３と、周辺回路部１３のゲート電極５２の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第２サイドウォール５３と、光電変換部２１上および画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０の一部上にサイドウォール形成膜で形成された第１シリサイドブロック膜７１と、画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０上に、第１シリサイドブロック膜７１の一部上に重なる第２シリサイドブロック膜７２を有し、第１、第２シリサイドブロック膜７１、７２で画素部１２のＭＯＳトランジスタ３０上が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】内層配線が薄くても内層配線とビアとの間の優れた電気伝導性を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１層と第２層との間に介在した所定の厚みの第１金属層と、前記第２層の表層に配置された第２金属層と、前記第１金属層、前記第１層及び前記第２層を貫通するビアホールと該ビアホールに形成された導電性組成物とからなるビアと、を具備し、前記ビアホールの外周に沿った第１金属層の端部は前記ビアホールの側面に接するように折れ曲がった形状であり、前記第１金属層の折れ曲がった表面で前記導電性組成物に導通している半導体装置である。 （もっと読む）