【課題】断線等の問題を抑制しつつ逆メサの段差に配線を設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体基板に逆メサ段差部を形成する。逆メサ段差部の下段における半導体基板の表面に、電極を設ける。逆メサ段差部内を埋めるように当該逆メサ段差部の高さよりも厚い絶縁膜を設ける。逆メサ段差部内に絶縁膜を残すように、絶縁膜積層工程で積層した絶縁膜に対してエッチバックを行う。電極に接続する配線を、逆メサ段差部に残された絶縁膜の上方に設ける。このとき、電極とのコンタクトをとる部分を対象にして、層間絶縁膜に対し開口を形成する。開口形成後、配線を、層間絶縁膜上であって逆メサ段差部の上方の領域に蒸着する。コンタクト開口を介して、配線が電極と接続する。 （もっと読む）

【目的】配線間のコンタクト配置において配線間距離をより小さく形成する。
【構成】実施形態の半導体装置は、第１と第２の配線と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第１のコンタクトと、第２のコンタクトと、を備えている。第１と第２の配線は、基板上に互いに並行するように形成される。第１の絶縁膜は、第１と第２の配線を覆うように形成される。第２の絶縁膜は、第１と第２の制御ゲート線間の所定位置で第１と第２の配線と並行して延びるように形成され、第１の絶縁膜と材料が異なる。第１のコンタクトは、第１と第２の配線間で、前記第２の絶縁膜に対して前記第１の配線側に位置する前記第１の絶縁膜を通して形成される。第２のコンタクトは、前記第１と第２の配線間で、前記第１と第２の配線が延びる方向に沿って前記第１のコンタクトと互いに位置をずらしつつ、前記第２の絶縁膜に対して前記第２の配線側に位置する前記第１の絶縁膜を通して形成される。 （もっと読む）

【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第１絶縁膜１２とする。次いで、めっきシード層１８形成、フォトレジスト溝パターン２２形成、めっき、フォトレジスト溝パターン２２除去、配線下以外のめっきシード層１８除去に依り、第１の絶縁膜上に配線２６を形成する。そして、第１絶縁膜の表面上にシリカ粒子３０を分散し、散したシリカ粒子３０をマスクとして、ＣＦ４及びＯ２を混合したガスで、第１絶縁膜１２をドライエッチングすることに依り、段差が１００ｎｍ以上の凹凸３２を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第２絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質な配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域１００及び第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層１０と、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層１１ａと、第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層上に形成され、第２の絶縁層と略同一の高さを有する第３の絶縁層１１ｃと、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上及び第２の絶縁層の両方の側壁に形成された第１の配線層１３ａと、第２の領域に設けられた第１の絶縁層上、及び第３の絶縁層の上面及び側壁上に形成された第２の配線層１３ｂと、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の配線層、及び第２の配線層を覆う第４の絶縁層１５と、第１の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第１の配線層に接続された第１のコンタクトプラグ１７ａと、第２の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第２の配線層に接続された第２のコンタクトプラグ１７ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性が良好であり、信頼性の高い半導体チップ、半導体チップの製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体チップは、第１主面と第２主面とを有し、第１主面側に、素子および配線が配置された回路部と回路部を取り囲むガードリング機構部とが設けられた半導体基板と、第１主面側から第２主面側まで通じるビアホール内に設けられたビアと、第１主面側から第２主面側まで通じる第１トレンチ内に設けられた絶縁層と、を備える。第１主面に対して垂直な方向からみて、ビアホールは、回路部が設けられた回路領域に配置されている。第１トレンチは、回路部を取り囲みガードリング機構部が設けられた外周領域に配置されている。第１主面に対して平行な方向における第１トレンチの幅は、この平行な方向におけるビアホールの幅よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】信号速度の遅延を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、基板上に成膜された第１の絶縁膜と、配線と、第２の絶縁膜とを持つ。前記配線は、前記第１の絶縁膜に互いに平行に所定間隔で形成されたトレンチを埋め込むように金属で形成される。前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と前記配線とを覆うように前記第１の絶縁膜よりも誘電率の高い材料で成膜される。前記配線間の領域における前記第２の絶縁膜の下面は、前記配線の上面の周縁を互いに結ぶ面に対して上方へ離隔している。 （もっと読む）

【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第１配線層１５０を構成する絶縁層の表層には、第１配線１５４及びゲート電極２１０が埋め込まれている。第１配線層１５０と第２配線層１７０の間には、拡散防止膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０は、拡散防止膜１６０のうちゲート電極２１０と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と貫通電極との絶縁を確実とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０の一方の面１４から他方の面１６に形成された電極パッド２４の裏面に到達する貫通電極１３を形成した半導体装置１０であって、他方の面１６側には第１の絶縁膜２０を介して電極パッド２４が設けられ、貫通電極１３を構成する貫通孔２１と第１の絶縁膜２０との境界面に、一方の面１４側の開口よりも大きい開口を有し、貫通電極１３を形成する際、他方の面１６側の貫通孔２１開口部内周に貫通電極１３を構成する導電材料と電極パッド２４との間に第２の絶縁膜２３を備え、貫通孔２１内壁面および第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜２２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐量を改善することができる半導体装置を得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１０（基板）上にゲート抵抗７（下配線）が設けられている。ゲート抵抗７を層間絶縁膜１２が覆っている。層間絶縁膜１２上に、互いに分離したアルミ配線５ａ，５ｂ（第１及び第２の上配線）が設けられている。アルミ配線５ａ，５ｂを半絶縁性の保護膜４が覆っている。ゲート抵抗７の直上であってアルミ配線５ａとアルミ配線５ｂとの間の領域に、保護膜４が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】基板を介したクロストークを抑制でき、放熱性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１は、半導体基板１０を備える。前記半導体基板の内部には空洞１１が形成されている。また、前記半導体基板の内部には、前記空洞を前記半導体基板の上面に連通させる連通孔１２も形成されている。前記半導体装置は、さらに、前記空洞及び前記連通孔の内面上に設けられた絶縁膜１３と、前記空洞及び前記連通孔の内部に埋め込まれ、熱伝導率が前記絶縁膜の熱伝導率よりも高い伝熱部材１４と、前記半導体基板における前記空洞の直上域に形成された素子２１，２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チップの縁領域は、膨張係数が異なることによって、温度サイクル中に、ＴＣ応力とも称される特定の負荷を受けることが多い。これらの縁領域は特にＴＣ応力を受け易いため、同領域内において様々な不良が生じる可能性がある。これによって、実際のデバイスにおける信頼性のリスクが増大する可能性がある。
【解決手段】半導体デバイスの金属構造２１０のための固定用構造２００は、オーバーハング形状の側壁２３０を少なくとも１つ含んだ固定用凹部構造２２０を含んでいる。上記金属構造２１０は、少なくとも部分的に上記固定用凹部構造２２０内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法に関し、信頼性や製造歩留りが高く、設計的な制約の小さい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に形成された配線２０、４０、６０、８０と、配線２０、４０、６０、８０の周囲に形成された低誘電率膜１２、３２、５２、７２、９２と、低誘電率膜１２、３２、５２、７２、９２の形成材料より弾性係数の大きい誘電体材料で形成され、基板面に垂直に見て配線２０、４０、６０、８０に重なって配置された補強用絶縁膜４２ａ、６２ａ、８２ａ、１０２ａと、配線２０、４０、６０、８０に交差して配置された補強用絶縁膜２２ｂ、４２ｂ、６２ｂ、８２ｂ、１０２ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】テーパー部を有する溝を備えた半導体装置を容易に形成する。溝内に空洞が形成されるのを防止すると共に、製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の面を有する材料層と、材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝を備える。溝は、開口部に接し１以上のスキャロップ形成溝を有するテーパー部と、おおむね垂直な側壁を有する垂直部を有する。スキャロップ形成溝の幅は、垂直部の溝幅よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】容量素子の良好な特性と高い信頼性を実現することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成されている下部電極と、この下部電極の周囲に形成され、下部電極の表面よりも高い表面を有するダミー電極と、下部電極上にダミー電極の最上表面よりも表面が低い位置にある誘電体膜を介して形成された上部電極と、ダミー電極に周囲を囲まれた窪みを埋める第２の絶縁膜とを具備して成る半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体集積回路上及びスクライブ領域上を覆うパッシベーション膜を備えた半導体装置の製造装置に関し、パッシベーション膜に起因する半導体基板の反りを低減することを課題とする。
【解決手段】スクライブ領域Ｂ上に設けられたパッシベーション膜１３に、複数の回路形成領域Ａを囲むように格子状の溝４７を形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線の平坦化を行う場合、金属配線を下地層に形成した溝に埋め込むと、金属配線の配置をするとき、その変更工程が困難になるという問題があった。また、金属配線に寄生容量がついてしまい、電気信号の遅延などが発生してしまうという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置の構造は、金属配線下の下地層である絶縁膜を加工して突起部を設ける。この突起部と所定の距離だけ離間して金属配線を設ける。この突起部により、平坦化のための研磨工程でも、不測の余剰研磨が発生しない。また、突起部と金属配線とが離間することにより、金属配線の配置の変更を容易に行うことができると共に、金属配線の寄生容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削やダイシングの際に生じる、水分の浸入による汚れ、あるいは割れ、クラック、チッピング、層間剥離等の物理的損傷を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板１１上のチップ領域１２の周縁部にその内側の部分を連続して取り囲むよう有機保護膜２３’を形成する。また、パッシベーション膜２２および有機保護膜２３がキャップ層４７上に閉環状開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、（Ｂ）ビニル基を含み−Ｓｉ−Ｏ−を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、（Ｃ）当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】回路素子の向きを簡単な構成で認識しやすくすることにより、実装ミスの低減を図る回路素子を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド３１ａ及び３１ｂの一部である接続パッド３１ａと基板３２との間に設けられた成膜層３３は、基板３２側の配線３３ｂ上に保護膜３３ｃ側の配線３３ａが直接重ねられ、複数の接続パッド３１ａ及び３１ｂの残りと基板３２との間に設けられた成膜層３３は、２層の配線３３ａ、３３ｂ間に絶縁層３３ｅが設けられている。そして、これにより接続パッド３１ａと基板３２との間に設けられた成膜層３３の膜厚ｄ₁と、複数の接続パッド３１ｂと基板３２との間に設けられた成膜層３３の膜厚ｄ₂と、を互いに異ならせて、互いに色が異なるように視認させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠けや割れが抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面１ａに、外周端部から内側に向かって所定の幅を有して外周端部に沿って延在するパッシベーション膜３を形成する。半導体基板１の外周端部を研削することにより、表面１ａおよび裏面１ｂと直交する外周端面１ｃを形成する。裏面１ｂを研削することにより、半導体基板１の厚みを所定の厚みにまで薄くする。研削された裏面を上方に向けた状態で、半導体基板１を回転させながら裏面上に混酸を吐出することにより、裏面にエッチング処理を施して破砕層を除去する。 （もっと読む）