【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリアパフォーマンスを具備する誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】前駆物質を処理チャンバへ流すことと、前記前駆物質が、有機ケイ素化合物と炭化水素化合物の混合物を備えており、かつ、前記炭化水素化合物が、エチレン、プロピン、または、これらの組合わせを備え、前記半導体基板上に炭素−炭素結合を有する炭化ケイ素ベースの誘電バリア膜を形成するために、前記処理チャンバ内において前記前駆物質の低密度プラズマを生成することと、前記前駆物質中の前記炭素−炭素結合の少なくとも一部が、前記低密度プラズマ内に生き残り、かつ、前記誘電バリア膜内に存在し、制御された量の窒素を導入することにより、前記誘電バリア膜から炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）、および／または、炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）を除去することと、を備える方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅層および／または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および／または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅（ＩＩ）イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するバイアホールを与える。
【解決手段】半導体デバイス構造は、第１の濃度および第１の導電型のバックグラウンドドーピングを有する基板を含んでなる。基板貫通バイアは基板を貫通している。デバイスは基板の第１の面上に第２の導電型の第１のドープ領域を有する。第２のドープ領域が基板貫通バイアの周りにある。第２のドープ領域は、第１の濃度よりも大きい第２の濃度にドーピングされており、第１の導電型を有する。 （もっと読む）

【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、（Ｂ）銅イオン供給源、及び（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、ｐＨが５〜８であり、（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源の（Ｂ）銅イオン供給源に対する配合比（モル比）が０．１〜２０である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の表示装置、太陽電池やタッチパネルの電極などに使用される透明導電膜のエッチング液組成物に関するものであって、銅および／または銅合金膜と酸化インジウム錫膜等の透明導電膜とを一括エッチングすることが可能なエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、銅および／または銅合金膜と透明導電膜とを一括でエッチング処理するのに用いられるエッチング液組成物であって、塩酸と、塩化第二鉄または塩化第二銅と、水とを含み、塩酸の濃度が、１５．０〜３６．０重量％であり、塩化第二鉄または塩化第二銅の濃度が、０．０５〜２．００重量％である、前記エッチング液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の微細配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１配線４２０は、半導体基板１００上に設けられている。第１ビア４４０は、第１配線４２０上に設けられている。また、第１ビア４４０の底面は、第１配線４２０に接している。第１絶縁層３３０は、半導体基板１００上に設けられ、少なくとも第１配線４２０の上面および第１ビア４４０の側面と接している。第１配線４２０および第１ビア４４０のうち各々の側面の少なくとも一部は、各々の金属の結晶粒を分断している。 （もっと読む）

【課題】 銅及びモリブデン積層膜を一液でエッチングでき、しかも工業的に好ましい形状にエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むエッチング液を、銅及びモリブデン積層膜のエッチングに用いる。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに低抵抗な主導電層であるＣｕと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなら被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ｃｕを主成分とする主導電層と該導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦５０、３≦ｙ≦３０、ｘ＋ｙ≦５３で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、銅層と銅酸化物層および／または銅合金層とを含む金属積層膜パターンを精度良くエッチング加工し、優れた断面形状を形成し、かつ実用性に優れた安定で液寿命の長いエッチング液組成物、およびかかるエッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は銅層と銅酸化物層および／または銅合金層とを有する金属積層膜を、過硫酸塩および／または過硫酸溶液０．１〜８０重量％と、りん酸０．１〜８０重量％と、硝酸および／または硫酸０．１〜５０重量％とを含有するエッチング液組成物であり、さらに塩化物イオンやアンモニウムイオンを加えることで、エッチングレートや断面形状を容易に制御することが可能となるエッチング液組成物またはエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストを低減し、さらにゲート電極およびゲートコンタクトの抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ゲート電極７の少なくとも上層は、第２金属シリサイド膜としてのＷＳｉｘ膜７２からなり、第１金属シリサイド膜としてのＮｉＳｉ₂膜１８に含まれる第１金属（Ｎｉ）とシリコンとの結合エネルギーが、ＷＳｉｘ膜７２に含まれる第２金属（Ｗ）とのシリコンとの結合エネルギーよりも小さく、ＷＳｉｘ膜７２の組成ＭＳｉｘ（Ｍは第２金属を示す）において、ｘが１．５以上２．０未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｏの持つＳｉバリヤ性、ＩＴＯコンタクト性という利点を維持しながら、耐酸化性を改善し、尚且つＣｕとの積層時や信号ケ−ブルの取り付け等の加熱工程を経ても低い電気低抵値を維持できる、電子部品用積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ｃｕでなる主導電層と、該主導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−Ｘ}Ｎｉ_Ｘ、１０≦Ｘ≦７０で表され、残部不可避的不純物からなるＭｏ−Ｎｉ合金である電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｔｉを含む第１層と、Ｃｕ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含む第２層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第１層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのｐＨが７〜１４であるエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質低誘電率絶縁膜が用いられていても、絶縁破壊耐性に優れた配線構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理工程を経て配線膜が構成される半導体装置の製造方法であって、ＣＭＰ処理によって汚染された多孔質低誘電率絶縁膜に対して、酸処理、アニール処理、あるいは汚染個所の清浄化処理工程を施し、前記多孔質低誘電率絶縁膜表面の有機成分量、水分量、銅、ナトリウム、カリウム等の残存量を規定値以下に低減する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−ＣＭＯＳプロセス時術とコンパチブルなＨＥＭＴ装置の製造法を提供する。
【解決手段】基板１０１を提供するステップと、III族窒化物層のスタックを基板上に形成するステップと、窒化シリコンからなり、スタックの上方層に対して上に位置すると共に当接する第１パッシベーション層３０１を形成し、第１パッシベーション層が、現場でスタックに堆積されるステップと、第１パッシベーション層に対して上に位置すると共に当接する誘電体層を形成するステップと、窒化シリコンからなり、誘電体層に対して上に位置すると共に当接する第２パッシベーション層３０３を形成し、第２パッシベーション層が、ＬＰＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ又は同等の手法によって４５０℃より高い温度で堆積されるステップと、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極６０１を形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】携帯電話などに使用されるハイパワーアンプの出力段は、多数のＬＤＭＯＳＦＥＴセルを集積し、通常、複数のＬＤＭＯＳＦＥＴを構成するＬＤＭＯＳＦＥＴ部を有する。このＬＤＭＯＳＦＥＴセルにおいては、裏面のソース電極と表面のソース領域との間の抵抗を低減するために、半導体基板に高濃度にボロンドープされたポリシリコンプラグが埋め込まれている。本願発明者らが、このポリシリコンプラグについて、検討したところによって、熱処理に起因してポリシリコンプラグの固相エピタキシャル成長により、ポリシリコンプラグが収縮し、それによってシリコン基板に歪が発生し、リーク不良等の原因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置において、半導体基板に埋め込まれたシリコン系導電プラグのボロン濃度が、固溶限界内に於いて、８．１ｘ１０^２０ａｔｏｍ/ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が８〜３０質量％、塩基性化合物の添加量が１〜１５質量％、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない２５℃でのｐＨが８以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｖ、Ａｌ、及びＧｅの少なくとも１種を含む金属材料層と、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が８以上の疎水性基と１つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、ｐＨを３〜７に調整したものを使用するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）