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Fターム[5F033WW07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 数値の特定 (5,273) | エネルギー (197)

Fターム[5F033WW07]に分類される特許

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【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法が提供される。
【解決手段】本発明による半導体製造装置は工程チャンバーの外部で供給されるジフルオロメタンCH、窒素N、及び酸素Oガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー内へ供給する。プラズマが工程チャンバーへ供給される途中に三フッ化窒素NFが供給される。このような装置構造及びソースガスを利用してシリコン窒化膜をエッチングすると、他の種類の膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を大きく増加させることができる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中に高アスペクト比のフィーチャをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室に主エッチングガスが流入される。第1の圧力を提供しながら、主エッチングガスがプラズマにされる。20℃未満のウェハ温度が維持される。プラズマにより上記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、第1の圧力よりも低い第2の圧力まで圧力を降下させる。上記複数の二重層のうち第1の複数の組がエッチングされた後に、主エッチングガスの流入を停止させる。 (もっと読む)


【課題】VLSI技術及びULSI技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 (もっと読む)


【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜15を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH4)ガス19と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク13、炭素ハードマスク14、反応生成物16が付着したLow-k膜15を有する試料を、メタン(CH4)ガス19からの炭素(C+)ラジカル18と水素(H+)ラジカル19により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。 (もっと読む)


【課題】基体上に成膜特性(反射率、及び密着性)に優れた膜状のアルミニウム体を形成することができるアルミニウム体を備えた基体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物を塗布して、上記基体上に上記組成物からなる塗布層を形成させる塗布工程と、上記塗布層に加熱および光照射の少なくともいずれか一方を行うことにより、膜状のアルミニウム体を形成させるアルミニウム膜形成工程と、を含むアルミニウム体を備えた基体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH2F2やCHF3のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH2F2の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 (もっと読む)


【課題】従来の方法では凹版印刷および平板印刷に向かなかったインクであっても、凹版印刷および平板印刷で印刷することの可能な電子部材の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の関係式(1)、(2)を満たす電子材料層および粘着材料層を積層してなる積層インクが、凹版を用いて基材の表面に直接転写される。これにより、電子材料層が凹版印刷に向かない性質を有している場合であっても、粘着材料層の性質を活かして、電子材料層を含む積層インクを基材上に滲みなく印刷することができる。
E2<E3<E1またはE1<E3<E2…(1)
|E1−E2|>|E3−E2|…(2)
E1:版面の表面自由エネルギー
E2:電子材料層の表面自由エネルギー
E3:粘着材料層の表面自由エネルギー (もっと読む)


【課題】コンタクトホール内に良好にAl膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するESC電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に3段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のAl膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のAl膜上に第二のAl膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が3μm以下で、かつ、アスペクト比が1以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第1の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第2の電極と、前記第2の電極の外側に配置されて当該第2の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にNeを含む処理ガスを導入し、前記第1の電極と前記第2の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第2の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 (もっと読む)


【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第1反応チャンバ中で、銅含有表面層4の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層5に変える工程と、第2反応チャンバ中で、光子含有雰囲気6に晒して、ハロゲン化銅表面層5の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物8の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気6に晒す間に、この方法は、更に、第2反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物8を除去し、第2反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物8の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 (もっと読む)


【課題】誘電率が2.7以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率(k)膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低k誘電膜44は、Si、C、O、およびHの原子を含み、誘電率が約2.4以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約5以上であり、硬度が約0.7以上である。好適な多相超低k誘電膜44は、Si、C、O、およびHの原子を含み、誘電率が約2.2以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約3以上であり、硬度が約0.3以上である。 (もっと読む)


【課題】従来のBClガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてB
CN膜を成膜ことが特徴である。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、
プラズマCVDにより成膜を行うことで、安定した低誘電率と高い硬度(ヤング率)を有
するBCN膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】 有機アミノボロン系ガスを用いて窒化ホウ素炭素(BCN)系絶縁膜を形
成する絶縁膜の製造方法。前記有機アミノボロン系ガスはトリスジメチルアミノボロンで
ある。比誘電率が2.5以下で弾性率(ヤング率)が8GPa以上であるBCN系の絶縁
膜。 (もっと読む)


【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器22内でプラズマにより金属のターゲット76から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部4が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜90を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜92を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】溝部を絶縁膜で埋設する際に、溝部のアスペクト比が大きい場合であっても、内部にボイドを残存させることなく、溝部内に絶縁膜を充填する。これにより微細化した半導体装置の製造を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】隣り合う凸部の間に形成される溝部の上端部においてオーバーハング形状を有すると共に、溝部の上部にボイドを有するように溝部内に溝部用絶縁膜を形成する。凸部の高さ方向に対して斜め方向から、溝部用絶縁膜に不純物をイオン注入することにより、溝部内に形成された溝部用絶縁膜の一部に不純物をドープする。溝部用絶縁膜の不純物がドープされた部分を除去した後、溝部内に溝部用絶縁膜を充填する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された絶縁膜をエッチングするとき、絶縁膜の下地に酸素プラズマの悪影響が生ずるのを防止できるエッチング方法を提供する
【解決手段】本発明のエッチング方法は、絶縁膜222をプラズマ化させた処理ガスに晒し、絶縁膜222を厚さ方向に途中までエッチングする第一のエッチング工程と、第一のエッチング工程の終了後に残存する絶縁膜222を酸素プラズマに晒し、残存する絶縁膜222の表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去工程と、残存する絶縁膜222をプラズマ化させた処理ガスに晒し、残存する絶縁膜222をエッチングする第二のエッチング工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 1μm以上の開口径を有する高アスペクト比のTSVホールHがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ1内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット2とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、200〜600Wの範囲とする。 (もっと読む)


【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程;少なくとも1つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程;複合層を堆積する工程;該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程;及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも1つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素(SiCN)膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第1のガスと、窒素を含有する第2のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマCVD法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でSi−N−Si結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の7%以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 (もっと読む)


【課題】 集積回路における酸化表面層の洗浄を行うための新しいドライクリーニングプロセスの提供。
【解決手段】 一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。当該方法は、非プラズマ励起された水素気体を含む第2処理気体へ前記の活性化した酸化表面層を曝露する工程をさらに有する。前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程は、前記酸化表面層を活性化させるのに加えて、水素気体を含む前記第2処理気体による、前記活性化した酸化表面層の還元を助ける。前記金属含有バリア層の厚さは、ハイブリッドその場ドライクリーニングプロセスによって実質的には変化しない。 (もっと読む)


【課題】 組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の2周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。プラズマ発生のための高周波と低周波が同一電極から印加される。そして絶縁膜の成膜開始時あるいは成膜終了時の少なくとも一方において、低周波の入力が成膜開始時及び成膜終了時を除いた他のタイミングより高い。例えば絶縁膜は、厚さ方向における少なくともどちらか一方の端部が、高周波と低周波の2周波により密着層となり、密着層以外の部分は低周波の入力を低下あるいは0にすることで低誘電率絶縁膜となる。 (もっと読む)


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