説明

Fターム[5F033XX14]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 密着性改善 (1,147) | 配線と絶縁膜との密着性改善 (441)

Fターム[5F033XX14]に分類される特許

201 - 220 / 441


【課題】集積回路部上にアンテナを作り込んで設ける場合であっても、接続不良やコンタクト抵抗の増加を抑制することを課題とする。
【解決手段】基板上に第1の導電膜を有する集積回路部を形成し、集積回路部上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にアンテナとして機能する第2の導電膜を選択的に形成し、絶縁膜及び第2の導電膜に開口部を形成して第1の導電膜を露出させ、メッキ処理により開口部及び第2の導電膜の上面に第3の導電膜を形成することにより、第1の導電膜及び第2の導電膜とを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用の配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された凹部3を有する絶縁膜2の表面に、AlまたはAl合金(以下「Al系金属」という)よりなる薄膜5をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Al系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。スパッタリングガス圧:0.5〜1.1mTorr、放電パワー密度:3〜15W/cm2、基板温度:100〜300℃ (もっと読む)


【課題】TFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素:0.4〜6原子%を含有し、さらにNi、CoおよびZnのうちの1種または2種以上を合計で0.001〜3原子%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたTFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第1配線膜15と、反射防止膜17および第1レジスト膜18からなる積層体から、第1レジスト膜18を除去する工程と、前記工程において反射防止膜17表層に形成された変質膜22を除去する工程と、前記工程後に第1配線膜15に電気的に接続するビアプラグと、前記ビアプラグに電気的に接続する第2配線膜とを形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、スクライブライン領域を縮小化すると、ウエハ上に形成された半導体装置それぞれを分離するときに発生するクラックが、耐湿リングシールドに達することを防止することにある。
【解決手段】
本発明は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、素子を有する素子領域と、前記素子領域を囲う耐湿リングと、前記耐湿リングと前記半導体装置の外周端との間であって前記半導体基板上に形成された絶縁層、前記絶縁層中に、前記外周端に沿って延在する第1金属線と、前記絶縁層に形成された溝とを有することを特徴とする半導体装置を提供する。
(もっと読む)


【課題】従来の半導体装置では、配線層間に形成される酸化膜により、配線層間の接続抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、第1の配線層3と第2の配線層とを接続する開口領域8〜12を埋設する第1の金属層14〜18上のスピンコート樹脂膜21に開口部22が形成されている。開口部22内では、メッキ用金属層23を構成するCr層とCuメッキ層24とが接続している。この構造により、第1の金属層14〜18上のCr層は、結晶粒子間が広くなり、粗な領域となる。そして、Cr層の粗な領域には、第2の金属層19とCuメッキ層24との合金層が形成され、接続抵抗値が低減される。 (もっと読む)


【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜の比誘電率が小さくて高速応答性に優れ、かつ、絶縁膜の機械的強度にも優れ、更には配線の信頼性が高い半導体素子を提供することである
【解決手段】膜2に凹部3を形成する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記凹部3を形成した後、該凹部が形成された膜2に電磁エネルギを照射する照射工程を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造方法に関し、ビアホールに於ける肩落ちを低減させる為、トレンチのエッチング加工途中でビアホールの側壁に保護膜を形成するのであるが、その形成工程段階を適切に選定することで、保護対象を有効に保護できるようにする。
【解決手段】低誘電率材料であるポーラスシリカからなる絶縁膜14(無機膜)を用いてデュアルダマシン加工方法を実施する場合に於いて、トレンチ24形成のエッチングを行なう際に発生するビアホール23開口エッジの肩落ちを低減させる目的で成膜される側壁保護膜31の被覆性を向上させる為、その成膜を前記エッチングの途中段階で実施する工程が含まれる。 (もっと読む)


【課題】高価な製造装置を設置することなく、銅を含む配線層の腐食が発生せず、配線層を構成する銅とポリイミド前駆体との反応による配線層の劣化を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも銅を含有する配線層6を形成する工程と、配線層6上にポリイミド層7を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であり、ポリイミド層7を形成する工程は、ポリイミド層7を不活性ガス中で重合することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】回路基板と導電性の金属薄膜との密着性に優れ、再剥離する虞なく回路基板の配線に発生する断線部を修正する。
【解決手段】回路基板上に形成された配線の断線部を修正する修正用の金属微粒子分散液で、金、銀、白金、パラジウムのうちいずれか一種類以上の金属微粒子を含有するとともに、アルミニウム、ニッケル、銅のうちいずれかのアセチルアセトナート基を配位子とする金属錯体を前記金属微粒子の金属量に対し、3重量%ないし30重量%含有するものである。 (もっと読む)


【課題】ブロービングおよびボンディング時のボンディングパッドへの衝撃に対する耐性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板10上にボンディングパッド130を有する半導体装置であって、ボンディングパッド130の下面にバリアメタルを介して形成され、回路配線が形成される層よりもCu面積率が大きな上部Cu層100と、上部Cu層100と電気的に絶縁され、上部Cu層100よりも半導体基板10側に形成された下部Cu層200とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性及び生産性を向上させる。
【解決手段】本発明では、半導体基板上に形成させた第1の絶縁膜内に金属配線を配設し、配設した金属配線の表面に第1のプラズマ処理を施し、第1のプラズマ処理を施した金属配線の表面にシリコン系ガスを晒し、シリコン系ガスを晒した金属配線の表面に第2のプラズマ処理を施し、金属配線上にシリコン含有層を形成し、シリコン含有層上に第2の絶縁膜を形成するようにした。これにより、半導体装置の微細化に伴うエレクトロマイグレーションが抑制されると共に、ストレスマイグレーションが充分抑制され、半導体装置の電気的信頼性が向上し、生産性の高い半導体装置の製造方法が実現する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ接続部のパッド−樹脂間における剥がれ等の発生を効果的に抑制することができ、信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ11上に第1の樹脂層12を形成し、この第1の樹脂層12上に配線13を形成し半導体チップ11の電極と電気的に接続する。このうち、高純度の銅層である第1の配線層13aはスパッタリングにより第1の樹脂層12上に異種金属を介在させることなく形成し、第2の配線層13bは銅の電気めっきにより形成する。配線13を形成後、200℃以上の温度で熱処理を行う。フリップチップ接続のバンプとなるはんだボール15は、配線13に含まれるフリップチップパッド14上に形成する。 (もっと読む)


【課題】Si基板上に下部電極、酸化物高誘電体及び上部電極を順次形成してなる薄膜キャパシタの製造過程において、酸化物高誘電体を形成するため800℃以上の高温でアニールした際に、下部電極を構成するPt層にヒロックが発生することを防止することができる下部電極とその製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板上に下部電極、酸化物高誘電体及び上部電極を順次形成してなる薄膜キャパシタを構成する、Si/SiO層/密着層/Pt層からなる積層構造を有する下部電極であって、前記密着層は、表面粗さがRaで2.5〜5nmに調整された金属酸化物であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フッ素添加カーボン膜をダメージを生じさせずにかつ良好な加工形状でエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第1段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第2段階とを有する。 (もっと読む)


【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】第2層間絶縁膜と第1配線、あるいは、第2配線層とハードマスクをシリコン基板2の表面に形成し、そのシリコン基板2を反応室Sに搬送させ、その反応室Sに、マイクロ波によって励起されたNガスを導入する。そして、供給タンクTに収容されるZr(BHをArガスによってバブリングし、Zr(BHを含むArガスをZr(BHガスとして反応室Sに導入する。 (もっと読む)


【課題】信頼性が良好であって容量密度が大きなキャパシタ素子、当該キャパシタ素子を有する半導体装置、および当該キャパシタ素子を製造するキャパシタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】組成が(Ba1−x,Sr)Ti1−zSc3+δ(但し、0<x<1,0.01<z<0.3,0.005<y<0.02,−0.5<δ<0.5)となるとともに、結晶の面内歪みεが、−0.4<ε<0.4である誘電体層と、前記誘電体層を上下に挟持する上部電極および下部電極と、前記上部電極、下部電極、および誘電体層が設置される基板と、を有することを特徴とするキャパシタ素子。 (もっと読む)


【課題】耐熱性を有し、ガラス基板への付着力が強く、且つ、耐プラズマ性及び可視光反射率の高い材料を実現し、且つ低抵抗化を図り得る銀合金材料を提供する。
【解決手段】TFTアレイ基板11において、ゲート配線13およびゲート電極17を構成材料として、銀とインジウムとを含む銀合金材料であって、銀に対するインジウムの含有量が0.5重量%以下である銀合金材料を用いることで、可視光反射率の高い材料を実現し、さらに、アルミニウム配線ではなし得ない低電気抵抗配線の形成を可能する。 (もっと読む)


【課題】銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。
【解決手段】銅配線層を有する半導体装置において、半導体装置が、銅配線、バリア層、このバリア層に直接接する酸化ケイ素系ポーラス絶縁層、このケイ素系ポーラス絶縁層に直接接するバリア層、銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有し、バリア層の少なくとも一つが密度2.4g/cm以上のアモルファス炭素膜であり、このアモルファス炭素膜と銅配線との間にこれらに直接接するケイ素系絶縁層が存在する。 (もっと読む)


201 - 220 / 441