【課題】 トレンチ、ホールを埋め込むための多孔質シリカ材料がエッチングなどのプロセス過程で受けるダメージを減じるようにするトレンチ内部の埋め込み方法の提供。
【解決手段】 ５０〜５０００ｎｍの大きさの開口部を有するトレンチ、ホールからなる構造物を設けてある半導体基板に対して、その構造物の内部に配線を形成した後、疎水性多孔質シリカ材料の前駆体を含有する所定の粘度の溶液を基板上に塗布し、加水分解し、焼成して、配線の形成された構造物内部を疎水性多孔質シリカ材料で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】層形成に際して高真空および大きなチャンバを必要としない層形成方法および装置を提供する。
【解決手段】層形成装置は、０．０１Ｐａから常圧までの範囲における圧力下において固体または液体の有機金属材料を加熱し気化させることで該有機金属材料を含む原料ガスを生成する材料気化部１０８と、基材Ｗを保持する基材保持部１００と、基材Ｗの表面を、材料気化部１０８により気化させた有機金属材料の分解温度よりも高い温度に加熱する基材加熱部１０４と、原料ガスからなる雰囲気を基材Ｗの表面上に局所的に形成する材料供給部１０９とを備える。材料供給部１０９は、基材の表面の少なくとも一部を原料ガス雰囲気に暴露させることで基材Ｗの表面に金属層または金属化合物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を用いた構成において、動作速度が高く電気的特性に優れ、かつ断線を防止して信頼性の高い半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】空孔形成材料を含有する非多孔質の絶縁膜３を基板１上に成膜する。次に、この絶縁膜３に対してエッチング加工を施して接続孔７を形成する。その後、熱処理によって絶縁膜３中の空孔形成材料を分解除去することにより、絶縁膜３中に孔Ａを形成して多孔質絶縁膜３Ａとする。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に対する膜パターンの密着力を向上し、膜パターンを良好に形成することが
できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板と膜パターンとの
密着力を向上させるための中間層を基板上に形成する工程と、中間層上に機能液を供給す
ることによって膜パターンを形成する工程とを経て形成する。中間層はシロキサン結合を
主鎖とした無機材料を含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディング衝撃による不具合を改善するとともに、フェールセーフ的な構造とすることにより、能動回路上ボンディングパッドへ直接ボンディングワイヤを接続できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線２で結線され層間絶縁層３で被覆した能動回路１にあって、前記能動回路１が機能するよう第１の接続孔４を介して接続された第２の配線５と平面構造において複数の開口を持つ衝撃吸収梁６がボンディング接続領域に設け保護膜７で被覆し、第２接続孔８を介して前記能動回路１と電気的に接続された厚い電極９を衝撃吸収梁６上に位置するよう設け、厚い電極９へボンディング接続を行うために、衝撃吸収梁６の上方において、保護樹脂層１０が開口されてなる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 密着性を高める機能を併せ持つバリア層が形成されるまでの期間に、配線部材の十分な密着性を確保し、配線部材の剥離を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた層間絶縁膜を形成する。（ｂ）凹部の内面及び層間絶縁膜の上面に密着層を形成する。（ｃ）密着層の表面を、第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で被覆する。（ｄ）凹部内に、第１の金属元素以外の第２の金属元素を含む導電部材を充填すると共に、補助膜の上に導電部材を堆積させる。（ｅ）熱処理を行うことにより、補助膜内の第１の金属元素の原子を、凹部の内面に偏析させる。この密着層は、層間絶縁膜の表面上に補助膜を直接堆積させた場合に比べて、補助膜の密着性を高める元素を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層１１を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部１５とを備えている。前記配線部１５は、シード部１３とその上に配された導電部１４とからなる積層体を構成しており、該積層体の長手方向の側面下部のアンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材１９が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】 導電部の膨張破壊や電極断線、及び基板の破壊等を生じることが無く、耐熱性等に優れた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の一方の面２ａに配され、該面内にある機能素子５と電気的に接続された電極４と、基板２の他方の面２ｂから一方の面２ａに配した電極４が露呈するように、基板２内に開けられた貫通孔３と、該貫通孔３内の側面３ａ及び電極４の露呈部４ａを覆うように配され、電極４と電気的に接続された導電部と、該導電部に接するように配された補強材とを具備している。 （もっと読む）

【課題】金属配線同士の間の絶縁膜の実効的な比誘電率を低減すると共に、金属配線と有機絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１００の上に金属配線パターン１０１を形成した後、Ｃ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第１の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１００の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第１の密着層１０２を堆積する。次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上にフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、有機絶縁膜１０３の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第２の密着層１０４を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の構築に用いられる有機絶縁膜として、低誘電率でCuとの高い密着性を示す有機絶縁膜を提供する。
【解決手段】炭素の三重結合を有する有機シランを原料ガスとして用いて作られた有機絶縁膜を提案する。 （もっと読む）

【課題】膜パターンの機能（導電膜の場合は導電性）を阻害させることなく、基体に対する密着力が高い膜パターンを、液滴吐出法により提供する。
【解決手段】基板上にインクジェットから液滴を吐出し、乾燥固化し、密着性機能を持つドットアレイ１０を形成する。このときドット直径以上のピッチで形成する。密着性機能を持つドットアレイの周りに導電性機能を持つドットアレイ１１をドット直径以上のピッチで液滴吐出し、乾燥固化する。この後、導電性機能を持つドットの間にドットが一部重ねて連結するように導電性機能を持つドットアレイ１２，１３，１４を同様の方法で形成する。密着性機能を持つドットアレイは機能性ドットアレイは基体表面に選択的に形成できるので、表面に電極等が形成されている基板にも適用できる。 （もっと読む）

半導体デバイスおよびその製造方法が開示される。このデバイスは、１以上の導電性ゲート（１１）を具えた活性半導体領域（１Ａ）と、前記活性半導体領域（１Ａ）の周辺に位置し主としてフィールド酸化領域（３）よりなるコンタクト領域（１Ｂ）とを具える。周辺コンタクト領域（１Ｂ）上、および、少なくとも一部の活性半導体領域（１Ａ）上に、導電性ゲート（１１）の間にコンタクト窓（１９ａ）が形成された絶縁層（１７）が積層される。絶縁層（１７）上に積層された金属コンタクトパッド（２３）が、前記コンタクト領域（１Ｂ）に設けられる。この金属コンタクトパッド（２３）は、導電性のパターンを介して、絶縁層（１７）の下に埋設されているコンタクトストリップ（１５）に接触し、この導電性のパターンは、コンタクト窓（１９ｂ）充填物の複数個で構成されており、コンタクトパッド（２３）の実質的な領域を横切って延びている。このパターンは平行な一連のトレンチに充填されたもので構成されているのが好ましい。
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【課題】 Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁層を有し、前記絶縁層にこれを貫通して埋め込まれた銅および銅を含む合金からなる配線層を備え、少なくとも配線層の上部に配線層を構成する銅および銅を含む合金の拡散防止能を有する窒素含有層を有し、さらにその上に、配線層を構成する銅および銅を含む合金の拡散防止能を有する有機絶縁材料で構成される層を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 成膜が容易で、高速で成膜可能な低誘電率薄膜を提供する。
【解決手段】気相より、空孔生成材料と、骨格生成材料とを、基板表面に供給する工程と、前記基板表面で、前記骨格生成材料によって生成される骨格が前記空孔生成材料を取り囲むように画定された薄膜を成膜する工程と、前記薄膜から前記空孔生成材料を除去し、空孔を形成する工程とを含み、前記空孔を前記骨格が取り囲むように形成された多孔質薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリックス状に交叉する電極線１７、１８と、その交点に配置された液晶画素２０と、外部の駆動回路に接続された端子電極とを有するアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において、電極線１７、１８、電極、配線層、端子電極のうちの少なくとも一つを銅を主成分とし、基板との界面に銅に添加した添加元素の酸化物層を形成する銅合金で形成する。この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 ＷＰＰを使用した半導体装置において、最上層配線間のショート不良を防止することにより、信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】 最上層配線４３ａと再配線５０との間に緩衝層４７を設ける。このとき、例えば、最上層配線４３ａは銅膜より形成され、緩衝層４７は、アルミニウム膜より形成される。さらに再配線５０は、銅膜５１とニッケル膜５２の積層膜から形成される。このように構成された半導体装置において、低温と高温との間の温度サイクルで３重点Ｘに応力が集中する。この３重点Ｘに集中した応力は、緩衝層４７の存在によって緩和され、３重点Ｘの直下にある界面Ｙへの応力の伝達を抑制することができる。このため、界面Ｙでの応力による剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 密着性を高める機能を併せ持つバリア層が形成されるまでの期間に、配線部材の十分な密着性を確保し、配線部材の剥離を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ１）半導体基板の上に形成された絶縁膜に凹部を形成する。（ａ２）凹部の内面、及び絶縁膜の上面を覆うように、ＣＶＤ法により、Ｍｎからなる第１の膜を形成する。（ａ３）第１の膜の上に、Ｃｕを主成分とする導電材料を堆積させるとともに、凹部内に該導電材料を充填する。（ａ４）半導体基板をアニールする。 （もっと読む）

【課題】 導電部材中のＣｕ以外の元素の含有量を低減させ、比抵抗を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた絶縁膜を形成する。（ｂ）開口の内面及び絶縁膜の上面を、Ｃｕ以外に第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で覆う。（ｃ）凹部内に充填されるように、補助膜上に、Ｃｕを主成分とする導電部材を堆積させる。（ｄ）Ｐ化合物、Ｓｉ化合物、またはＢ化合物を含有する雰囲気下で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】貫通孔配線の製造方法において、配線材料の密着力が向上した信頼性の高い配線を容易に実現可能とする。
【解決手段】半導体基板１を厚み方向に加工して半導体基板１の一方の表面１ａと他方の表面１ｂとに開口を有する貫通孔２を形成し、その後、半導体基板１の貫通孔２内壁面を含む表面に絶縁層３を形成し、絶縁層３の形成された貫通孔２内部にめっきによってめっき金属を充填して半導体基板の貫通孔配線を製造する。絶縁層３の形成の後に、シード層となる通電用の金属層４を一方の表面１ａに形成すると共に、半導体基板１の他方の表面１ｂに開口する絶縁層３の形成された貫通孔２の開口近傍内壁面に内壁金属層５ａを形成し、半導体基板１の他方の表面１ｂに対向離間させて配置しためっき用電極Ｅと通電用金属層４との間に通電してボトムアップ方式のめっきを行う。 （もっと読む）