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Fターム[5F033XX14]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 密着性改善 (1,147) | 配線と絶縁膜との密着性改善 (441)

Fターム[5F033XX14]に分類される特許

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【課題】貫通孔配線の製造方法において、配線材料の密着力が向上した信頼性の高い配線を容易に実現可能とする。
【解決手段】半導体基板1を厚み方向に加工して半導体基板1の一方の表面1aと他方の表面1bとに開口を有する貫通孔2を形成し、その後、半導体基板1の貫通孔2内壁面を含む表面に絶縁層3を形成し、絶縁層3の形成された貫通孔2内部にめっきによってめっき金属を充填して半導体基板の貫通孔配線を製造する。絶縁層3の形成の後に、シード層となる通電用の金属層4を一方の表面1aに形成すると共に、半導体基板1の他方の表面1bに開口する絶縁層3の形成された貫通孔2の開口近傍内壁面に内壁金属層5aを形成し、半導体基板1の他方の表面1bに対向離間させて配置しためっき用電極Eと通電用金属層4との間に通電してボトムアップ方式のめっきを行う。 (もっと読む)


【課題】
複数の半導体チップを積層するときの、コンタクト電極を、半導体基板の裏面から加工するための製造方法を提案する。
【解決手段】
半導体基板の裏面から開口部がすり鉢状の貫通孔を形成した後、絶縁膜を形成し、その後、貫通孔の底面のコンタクト部となる部分の絶縁膜を除去し、シード層をスパッタした後、Auメッキとパッド部のパターンニングによりコンタクト電極を形成することを特徴とする。
【効果】
貫通孔の開口部がすり鉢状であるため、フォトリソグラフィー時、孔にレジストが充填されやすく、露光時に孔の底面まで光がまわりやすいため、孔底面の絶縁膜に開口パターンを形成することができる。これにより、裏面と素子面との電気的な接続が可能となる。さらに、半導体基板の裏面からの加工であるため半導体素子がプラズマによる影響を受けず、素子の欠陥が発生しない。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスター基板の配線形成に関する。Alなどの抵抗の高い材料に替えてAgなどの配線抵抗の低い材料を用いる。しかし、Agは蒸着が難しく、又蒸着されても後続のパターニング工程から配線の浮き上がり、又は剥離が誘発されやすい欠点を持っている。この欠点を解決して接着力が改善された低抵抗Agの配線構造を提供する。
【解決手段】下部構造物上に形成された銀(Ag)酸化物を含む下部膜と、下部膜上に形成された銀(Ag)または銀(Ag)合金を含む銀(Ag)導電膜を含む配線構造とした。これにより配線不良による配線の信頼性の低下が防止できる。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ及びその作製技術を提供することを目的とする。また、薄膜トランジスタを構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第1の領域及び第2の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第2の領域に設けられ、電極層は第1の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第1の領域より前記第2の領域が高い領域に設けられる。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜及び銅を材料とする構成要素と封止樹脂との密着性を強固にし、耐湿信頼性を増加させる。
【解決手段】BT樹脂系基板と、エポキシ樹脂系基板とを含む群から選択される基板30上に絶縁膜40を形成する。絶縁膜上に、配線42を含む、銅配線及び銅ポストを形成する。半導体基板上に設けられている絶縁膜、銅配線及び銅ポストの露出面に対して、窒素系ガスを用いて、プラズマ処理する。この露出面を覆って封止する封止部44を形成する。 (もっと読む)


【課題】加熱硬化後の膜と金属材料、とりわけ銅、金、チタン系金属との接着性を向上させ、かつ、室温保存での接着性能変化の少ない耐熱樹脂前駆体組成物およびそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】a)下記一般式(1)で表される構造単位を主成分とするポリマーと、b)特定のジスルフィド系化合物ないしはチオエーテル化合物を含むことを特徴とする耐熱性樹脂前駆体組成物。


(mは3〜100000の整数、nおよびoは0〜2の整数である。pおよびqは0〜4の整数であり、n+q>0である。) (もっと読む)


【課題】 機械加工によって金属膜および保護膜を除去することで金属膜を分断し、複数の電極を形成する半導体装置の製造方法において、電極同士がバリによって短絡してしまうことを防止する。
【解決手段】 金属膜4と保護膜3との間からの腐食媒体の透過をし難くできるデポジション、スパッタもしくは蒸着によって金属膜4を形成しつつ、ウェハ全面に形成される金属膜4を保護膜3の表面に形成し、その後、保護膜3の一部と共に金属膜4のうちの不要部分を除去する。このとき、不要部分の除去をバイト10を用いた機械加工によって行うが、保護膜3のコンタクトホール3aをテーパ面としておくことで金属膜4も傾斜させられるため、機械加工時に金属膜4のバリが発生して各種電極4a間が短絡することを防止できる。 (もっと読む)


【課題】 集積回路や半導体センサ等のボンディングパッドを液滴吐出法を適用して形成する場合、基板表層との密着性が弱いという問題を解決するための電子デバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 集積回路1は、導電配線5とコンタクトホール10を介して接続される二層構造のボンディングパッド8を備え、ボンディングパッド8は、ボンディングワイヤ9と接合する表面層7と、表面層7と被覆層4との密着性を高める下地層6を備えている。下地層6および表面層7は、液滴吐出法によって形成されるものであり、液滴吐出法に用いるのに適した条件で液状体化が可能なNiおよびAuが材料として用いられている。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に樹脂層30を形成する工程と、(b)樹脂層30を樹脂層30の突起方向に外力を加えながらキュアすることにより、樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続する導電層50を、樹脂突起40の上方に至るように形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 拡散防止機能を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 (a)半導体基板上に形成された酸素を含有する絶縁体の表面上に、銅以外に少なくとも2種類の金属元素を含む銅合金皮膜を形成する。(b)銅合金皮膜上に、純銅または銅合金からなる金属膜を形成する。(c)工程aまたは工程bの後に、絶縁体中の酸素と銅合金皮膜中の金属元素とが反応して絶縁体の表面に金属酸化物膜が形成される条件で熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、エネルギー硬化型の樹脂層20を形成する工程と、(b)第1のエネルギー供給処理により、樹脂層20を硬化収縮させることなく融解させる工程と、(c)第2のエネルギー供給処理により、融解後の樹脂層30を硬化収縮させて樹脂突起40を形成する工程と、(d)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】パーティクルを効率的に除去して、金属薄膜の品質を向上させる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上にゲート金属層を形成する段階と、前記ゲート金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して、前記ゲート金属層をエッチングしてゲート配線を形成する段階と、前記感光膜パターンをストリップして、前記ゲート配線を露出させる段階と、前記露出したゲート配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有する。 (もっと読む)


【課題】保護絶縁膜で配線溝および接続孔の内面に露出する多孔質の低誘電率膜を被覆することで、導通不良、耐圧不良、信頼性不良等の不具合を抑制して、高性能かつ高歩留まり、高信頼性の多層配線を提供することを可能とする。
【解決手段】多孔質の低誘電率膜21を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成された配線溝23とこの配線溝23に接続する接続孔24と、配線溝23の内面と接続孔24の側壁に露出した多孔質の低誘電率膜21を被覆するように接続孔24底部を除く接続孔24の内面および配線溝23の内面に形成された保護絶縁膜25と、配線溝23の内面および接続孔24の内面に保護絶縁膜25を介して形成されたバリアメタル膜26と、配線溝23の内部および接続孔24の内部に保護絶縁膜25、バリアメタル膜26を介して形成された配線材料膜28とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】 接続孔での接続信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の絶縁膜10上に配線20を形成する工程と、第1の絶縁膜10上及び配線20上に、第2の絶縁膜30を形成する工程と、第2の絶縁膜30に、配線20上に位置する接続孔30aを形成する工程と、接続孔30aの底に位置する配線20をスパッタリングすることにより、接続孔30aの側面に被覆膜31を形成する工程と、第2の絶縁膜30上及び被覆膜31上にバリア膜41を形成する工程と、接続孔30aに導電膜42を埋め込む工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に樹脂層20を形成する工程と、(b)樹脂層20をキュアすることにより樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。少なくとも(b)工程前において、少なくとも樹脂層20の周辺領域32に対して、樹脂層20の樹脂材料との濡れ性を向上させる表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 ワニスとした場合に保存性が良く、樹脂膜とした場合に誘電率が低減され、半導体装置の樹脂膜として適用する際の種々のプロセス適合性を両立するベンゾキサゾール前駆体及びそれを含む樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも2つのo−アミノフェノール基を有する化合物(A)と少なくとも2つのカルボン酸基を有する化合物(B)より構成されるベンゾオキサゾール前駆体。前記ベンゾオキサゾール前駆体は、分岐構造と立体構造を有するとより好ましい。前記ベンゾオキサゾール前駆体は、好ましくは、架橋基を有するものである。前記ベンゾオキサゾール前駆体を含む樹脂組成物。前記ベンゾオキサゾール前駆体又は前記樹脂組成物を有機溶媒に溶解させたコーティングワニス。前記ベンゾオキサゾール前駆体、前記樹脂組成物、又は前記コーティングワニスより構成される樹脂膜。前記樹脂膜を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】接着特性が優秀な低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】構造式1を有する3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物。そして、前記多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記スピンオンガラス組成物を基板上に塗布してスピンオンガラス薄膜を形成した後、前記薄膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する。したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。
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【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)電極パッド16及びパッシベーション膜18を有する半導体基板10の上方に、少なくとも複数の分離した第1及び第2の樹脂部32,34を含む樹脂層30を形成する工程と、(b)樹脂層30をキュアすることにより、第1及び第2の樹脂部32,34が一体化した樹脂突起40を形成する工程と、(c)電極パッド16と電気的に接続し、かつ樹脂突起40の上方を通る導電層50を形成する工程と、を含む。(a)工程で、第2の樹脂部34を、少なくとも電極パッド16と第1の樹脂部32の間に形成し、かつ第1の樹脂部32よりも小さい幅で形成する。 (もっと読む)


【課題】 ワニスとした場合に保存性が良く、樹脂膜とした場合に誘電率が低減され、半導体装置の樹脂膜として適用する際の種々のプロセス適合性を両立するベンゾキサゾール前駆体及びそれを含む樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 o−アミノフェノール基とカルボン酸基とを有する化合物(C)より構成されるベンゾオキサゾール前駆体。前記ベンゾオキサゾール前駆体は、少なくとも3つのo−アミノフェノール基を有する化合物(A)を含んで構成されるものである。前記ベンゾオキサゾール前駆体は、少なくとも2つのカルボン酸基を有する化合物(B)を含んで構成されるものである。前記ベンゾオキサゾール前駆体を含む樹脂組成物。前記ベンゾオキサゾール前駆体又は前記樹脂組成物を有機溶媒に溶解させたコーティングワニス。前記ベンゾオキサゾール前駆体、前記樹脂組成物、又は前記コーティングワニスより構成される樹脂膜。前記樹脂膜を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】パッドに作用する応力に対して強い構造としながら、パッドとワイヤの接合強度を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】チップに形成された配線と、その配線に対し層間膜を挟んで配置され、ボンディングワイヤ6を接合するパッド3a〜3dとが、コンタクト9を介して接続されている。そして、このコンタクト9は、パッド3a〜3dの周辺部と中央部に密に配置される。 (もっと読む)


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