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Fターム[5F033XX14]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 密着性改善 (1,147) | 配線と絶縁膜との密着性改善 (441)

Fターム[5F033XX14]に分類される特許

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【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を好適に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造a1と、炭素原子に結合したハロゲン原子とを有する化合物Aを用意する化合物A用意工程と、前記化合物Aをアセチレン誘導体と反応させ、前記化合物Aに前記アセチレン誘導体を導入するアセチレン誘導体導入工程と、MgまたはLiを作用させ、さらに、水素源を作用させることにより、前記アセチレン誘導体導入工程で未反応であった炭素−ハロゲン結合を炭素−水素結合に置換する水素化工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】温度変化に起因したパッシベーションクラックを適切に防止することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置1は、絶縁膜11と、絶縁膜11上に形成されるバリア層16と、バリア層16上に配されるアルミ配線12と、アルミ配線12の上部に設けられるキャップメタル18又は防腐処理部21と、アルミ配線12の側部に設けられるサイドウォール17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。
【解決手段】ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10重量ppb以下である半導体用シール組成物に、2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000である樹脂を含有せしめ、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下となるように構成する。 (もっと読む)


【課題】MRAMを含む半導体装置において、MRAMの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線L3およびデジット配線DLを形成した層間絶縁膜IL3の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板1Sをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子(アンモニアガス)と窒素を含有しない不活性分子(水素ガス、ヘリウム、アルゴン)とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 (もっと読む)


【課題】表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 (もっと読む)


本発明は、4倍ハーフピッチレリーフパターニングのための双側壁パターニングを用いてメモリ線および構造を製作する装置、方法およびシステムを提供する。本発明は、基板の上方に配される第1のテンプレート層からフィーチャを形成することと、フィーチャに隣接してハーフピッチの側壁スペーサを形成することと、ハーフピッチの側壁スペーサをハードマスクとして用いることによって第2のテンプレート層内により小さいフィーチャを形成することと、より小さいフィーチャに隣接して4分の1ピッチの側壁スペーサを形成することと、4分の1ピッチの側壁スペーサをハードマスクとして用いることによって導体層から導体フィーチャを形成することとを含む。多数の追加の態様が開示される。
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集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Mn、Cr、またはV含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Mn、Cr、またはV含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Mn、Cr、V、またはCoを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のMn、Cr、V、またはCoの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Mn、Cr、またはV含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜に対するUVキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、UVブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】基板の上に、第1の絶縁膜11を形成し、形成した第1の絶縁膜11の上部に第1の金属配線12を形成し、第1の絶縁膜11の上に、第1の金属配線12を覆うように第2の絶縁膜13を形成し、第2の絶縁膜13に対して膜質の改質処理を行う。その後に、第2の絶縁膜13の上に第3の絶縁膜14を形成し、形成した第3の絶縁膜14に対してキュア処理を行う。 (もっと読む)


【課題】TEG上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域CAの第3層配線M3およびスクライブ領域SAの第3層配線M3を、それぞれ、TiN膜M3a、Al合金膜M3bおよびTiN膜M3cで構成し、チップ領域CAの再配線49上の第2パッド部PAD2を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でAu膜53aを形成する。さらに、Au膜53a形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Au膜53bを形成した後、半田バンプ電極55を形成する。その結果、TiN膜M3cによってTEGであるスクライブ領域SAの第3層配線M3の第1パッド部PAD1のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Au膜53a、53bによって第2パッド部PAD2の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】保護膜の亀裂や膜剥がれを防止する。
【解決手段】化合物半導体基板1上に少なくとも一層からなる下層配線2を形成し、化合物半導体基板1上に有機材料からなる層間膜3を堆積し、層間膜3上に金からなる上層配線5を形成し、層間膜3中に下層配線2と上層配線5とを接続するヴィア4を形成し、上層配線5の表面および層間膜3の表面の上にシリコン窒化膜からなる密着性向上用膜6を形成し、密着性向上用膜6上にシリコン酸化膜からなる熱膨張抑制膜7を形成し、熱膨張抑制膜7上にシリコン窒化膜からなる保護膜8を形成する。 (もっと読む)


【課題】配線形成後に500℃以上の高温プロセスが存在する場合に適用可能なCu配線を形成すること。
【解決手段】500℃以上の温度の処理をともなう後工程が施されるCu配線の形成方法は、表面にトレンチおよび/またはホールを有する基板上の少なくともトレンチおよび/またはホールの底面と側面に、Cuの格子面間隔との差が10%以内の格子面間隔を有する金属からなる密着膜を形成する工程と、密着膜の上に前記トレンチおよび/またはホールを埋めるようにCu膜を形成する工程と、 Cu膜形成後の基板に350℃以上のアニール処理を行う工程と、Cu膜を研磨してCu膜のトレンチおよび/またはホールに対応する部分のみを残存させる工程と、研磨後のCu膜にキャップを形成してCu配線とする工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体基板上の回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】開口部101を介してチップ取り出し電極2を含む半導体基板1の一部表面が露出するようメタルマスク100を半導体基板1に被せ、イオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク100を剥離することによって、半導体基板1の一部表面に形成された金属導体からなる配線層21を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、半導体基板上に配線層21を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】開口部101を介してチップ取り出し電極2を含む基板1の一部表面が露出するようメタルマスク100を基板1に被せ、イオン化された被着金属に、0.01eVから250eVの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク100を剥離することによって、基板1の一部表面に形成された金属導体からなる配線層21を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層21を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板側から順に、絶縁膜と、Cu合金膜と、薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、を備えた配線構造であって、TiやMoなどのバリアメタル層を省略してCu合金膜を、基板および/または絶縁膜と電気的に直接接続しても、これらとの密着性に優れており、しかもCu系材料の特徴である低電気抵抗、並びに酸化物半導体層および/または画素電極を構成する透明導電膜との低いコンタクト抵抗を実現できる新規な表示装置用Cu合金膜を有する配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造において、Cu合金膜は、Mn、Ni、Zn、Al、Ti、Mg、Ca、W、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有している。上記Cu合金膜は、基板および/または絶縁性、並びに半導体層と直接接続されている。 (もっと読む)


【課題】紫外線の暴露により架橋し得る材料で作製された層の基板に対する接着を改善するための方法、およびそれを利用しトランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】紫外線への暴露により架橋し得る材料Mで作製された層の基板Sの表面に対する接着を改善する際に、a)材料Mの表面の反応基M1と反応し得る第1の反応基F1と、基板Sの表面を構成する材料(複数可)と結合を形成し得る第2の反応基F2とを備える少なくとも1種の分子Fを含む未重合の重合性組成物Pの堆積ステップ、b)ステップa)において得られた未重合の組成物Pの層上への、未架橋の材料Mで作製された層の堆積ステップ、およびc)ステップb)において得られた3層構造に紫外線を暴露するステップ。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド36が、実質的に重なりのないプローブ37領域およびワイヤボンド38領域を有する。ボンドパッド36は最終金属層パッド16に接続されている。ボンドパッド36はアルミニウム製であり、最終金属層パッド16は銅製である。プローブ37領域をワイヤボンド38領域から分離することで、最終金属層パッド16がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 (もっと読む)


【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 (もっと読む)


【課題】ランド部が微細化された場合であっても、ランド部における封止絶縁層の剥離による再配線層の剥がれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の主面10aに半導体デバイスおよび電極が設けられた半導体基板10と、一方の主面10aの上に形成された層間絶縁層11と、層間絶縁層11上に形成された再配線層12と、再配線層12の上を封止する封止絶縁層17とを有し、再配線層12は、配線部13の端部に形成されたランド部14と、ランド部14から離れてランド部14の周囲に形成された外郭部15とを含み、封止絶縁層17は、ランド部14の少なくとも一部が露出する開口部17aを有し、ランド部14と外郭部15との間隙部16において封止絶縁層17と層間絶縁層11とが接合されている。 (もっと読む)


【課題】電界メッキ法やCMP法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第1導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第1導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第2導電層を形成する工程と、マスク上および第2導電層上に第3導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第1導電膜および第3導電膜を除去し、第1導電層および第3導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン6のエッジ部が位置するウエハ基板1の表面内に、溝2を形成する。次に、溝2が露出する開口部3aを有するレジスト3を、ウエハ基板1上に形成する。次に、開口部3aから露出するウエハ基板1上とレジスト3上とに、導電性膜5を形成する。そして、レジスト3を除去することにより、ウエハ基板1上に導電性パターン6を形成する。 (もっと読む)


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