【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、埋込導体構造の密着性とＣｕ拡散防止能を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた絶縁膜に設けた埋込導体用の凹部内に埋め込まれたＣｕまたはＣｕを最大成分とする合金からなるＣｕ系埋込導体層と、前記凹部に露出する前記絶縁膜との間にＣｏを最大成分とするとともに、少なくともＭｎ、Ｏ及びＣを含むＣｏＭｎ系合金層を設ける。 （もっと読む）

【課題】銅を用いた多層配線を有する半導体装置を高性能化する。
【解決手段】シリコン基板上に第１配線層用絶縁膜Ｚ１を形成し、第１配線層用絶縁膜Ｚ１に第１配線用孔部Ｈ１を形成する。その後、第１配線用孔部Ｈ１の側壁および底面を覆うようにして、タンタルまたはチタンを含む下部バリア導体膜ｅｂ１と、ルテニウムを主体とする上部バリア導体膜ｅｔ１とからなる第１配線用バリア導体膜ＥＭ１を形成する。続いて、上部バリア導体膜ｅｔ１をシード層として、電気めっき法により、銅を主体とする第１配線用導体膜ＥＣ１を形成し、ＣＭＰ法により第１配線用導体膜ＥＣ１を第１配線用孔部Ｈ１に埋め込む。特に、上部バリア導体膜ｅｔ１として、１〜５％の濃度で炭素を含ませるようにして、ルテニウムを主体とする導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】パッドに荷重がかかった場合でも、層間絶縁膜の膜剥がれやパッドの剥離の発生率を低くする。
【解決手段】ボンディングパッド７２を含む半導体装置１００において、ボンディングパッド７２と平面視で重なる領域（９４）に下部多層配線構造９０、中間ビア用層間絶縁膜４８、上部多層配線構造９２をこの順で積層し、パッド配置領域９４において、上部多層配線構造９２の上部配線およびビアは、ボンディングパッド７２と接続して形成し、中間ビア用層間絶縁膜４８には、上部多層配線構造９２の配線またはビアと下部多層配線構造９０の配線またはビアとを接続する導電材料が形成されず、下部多層配線構造９０に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率が、上部多層配線構造９２に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ_２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の周側面は封止膜１５によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。この場合、シリコン基板１の下面には、該下面をクラック等から保護するために、下層保護膜１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１０上に、ポリシリコン膜２２０及びタングステン・シリサイド膜２１０をこの順に積層してポリサイド・ゲート電極２３０を形成する。ポリサイド・ゲート電極２３０を含む半導体基板１１０上に、Ｂ濃度が高濃度の下層ＢＰＳＧ膜１４０を第１の成膜速度ｖ１で形成する。下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。第２の成膜速度は前記第１の成膜速度未満である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】電極部と貫通電極層の間の抵抗値ばらつきに依存しない信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板表面２ａの第１絶縁膜８の中に、外部接続端子を有する電極部１８が形成され、基板をビアホール１０が貫通し、ビアホール側壁１０ａ及び基板裏面の第２絶縁膜１２とビアホール底面の第１絶縁膜とに貫通電極層１１が形成され、電極部と貫通電極層との間にシリサイド層９を接続形成し、ビアホール中心軸を含む平面で切断された断面において、シリサイド層の幅Ａ≦ビアホール底部の幅Ｂである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡単にダミーパターンを配置し、スクライブ領域に隣接した半導体チップの形成領域において、層間絶縁膜が薄くなるのを抑制する方法を提供する。
【解決手段】配線層を備えた半導体チップの形成領域と、該形成領域を囲むスクライブ領域とを備えた半導体チップにおいて前記配線層と同じ層からなるダミーパターンを配置する方法であって、前記配線層から少なくとも所定距離だけ離間する位置に第１のダミーパターンを設定する段階と、前記スクライブ領域に隣接する所定幅の範囲内において、前記配線層から少なくとも所定距離だけ離間しかつ前記第１のダミーパターンから少なくとも所定距離だけ離間する位置に第２のダミーパターンを設定する段階と、を備えたダミーパターンの配置方法を提供することによって、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】現行のバリア誘電体膜に匹敵するかそれよりも低い誘電率を有する誘電体膜を得る方法を提供する。
【解決手段】集積回路基板の誘電体膜と金属相互接続との間に、炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成する方法であって、誘電体膜を有する集積回路基板を提供すること、この基板をＲ_ｘＲ’_ｙ（ＮＲ”Ｒ”’）_ｚＳｉを含むバリア誘電体膜の前駆物質と接触させること（Ｒ、Ｒ’、Ｒ”及びＲ”’はそれぞれ個々に、水素、直鎖若しくは分岐の飽和若しくは不飽和アルキル、又は芳香族から選択され；ｘ＋ｙ＋ｚ＝４；ｚ＝１〜３であるが、Ｒ及びＲ’の両方が同時に水素にはならない）；及び集積回路基板上でＣ／Ｓｉ比０．８超かつＮ／Ｓｉ比０．２超の炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成することを含む方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れると共に、エッチング時にアンダーカットを生じることなく良好にテーパ状にエッチングできるＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、該基板と直接接触する第一層と該第一層上に形成される第二層とを含み、前記第一層が、窒素を０．４原子％以上５．０原子％未満含むと共に、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｘ元素）を０．１原子％以上０．５原子％以下、および／または、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．１原子％以上０．３原子％以下含むものであり、かつ前記第一層の膜厚が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、絶縁膜を構成するＳｉＮ膜や半導体膜におけるＳｉＮ層との密着性に優れると共に、エッチング時に良好にテーパ状にエッチングできるＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜および／または半導体膜と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、上記ＳｉＮ膜やＳｉＮ層と直接接触する第一層と、該第一層上に形成される第二層とを含み、前記第一層は、窒素を０．４原子％以上５．０原子％未満含むと共に、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｘ元素）を０．１〜０．５原子％、および／または、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．１〜０．３原子％含み、かつ前記第一層の膜厚が２〜１００ｎｍである表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層、ＳｉＮ_Ｘ保護膜層との密着性に優れる酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金ターゲットを用いてＡｒおよび酸素ガスを導入した雰囲気中でスパッタリングし、酸素含有Ｃｕ合金膜を得ることを特徴とする酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造コストが低い配線構造の製造方法、及び配線構造を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線構造の製造方法は、基板１０を準備する基板準備工程と、基板１０上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、半導体層上にドーパントを含むドーパント含有半導体層を形成するドーパント含有半導体層形成工程と、ドーパント含有半導体層の表面を、水分子を含ませた酸化性ガス雰囲気中で加熱することにより、ドーパント含有半導体層の表面に酸化層を形成する酸化層形成工程と、酸化層上に合金層を形成する合金層形成工程と、合金層上に配線層を形成する配線層形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に樹脂絶縁膜のパターンを切削加工で形成する方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、接続用の電極（２）が一主面に形成された半導体基板（１）において、前記接続用の電極（２）を覆うように前記一主面側に樹脂絶縁膜（３）を形成する第１工程と、すくい角をゼロ又は負とした、バイト（４）による切削加工により、前記接続用の電極（２）の接続部位（２１）を露出させるように、テーパ部（１０）と前記接続部位（２１）とからなる開孔（３１）を形成する第２工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現在のＬＳＩ、すなわち、半導体集積回路装置の製造工程においては、デバイスの組み立て（たとえばレジン封止）後に、高温（たとえば摂氏８５から１３０度程度）・高湿（たとえば湿度８０％程度）の環境下での電圧印加試験（すなわち、高温・高湿試験）が広く行われている。これに関して、高温・高湿試験中に、正電圧が印加されるアルミニウム系ボンディング・パッドの上面端部において、封止レジン等を通して侵入した水分に起因する電気化学反応により、反射防止膜である窒化チタン膜が酸化されて膨張し、上部膜との剥がれや、膜クラックが発生することが、本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系ボンディング・パッドの周辺部において、パッド上の窒化チタン膜をリング・スリット状に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】配線遅延の増大を防止すると共に、配線信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを有している。第２の絶縁膜３は、空孔を含んでいる。 （もっと読む）

この発明は、基板接触、特に半導体基板（２１）の端子面を接触させるためのコンタクト配置（４７，４８，４９，５０，５５，５６，５７）に関し、基板の底部端子面によって基板表面に形成された、コンタクト配置の少なくとも１つの内側コンタクト（２５）と、内側コンタクトの外側端縁領域と周辺部とを少なくとも被覆するパッシベーション層（３４，３５）と、内側コンタクト（２５）から横方向に離れるようにパッシベーション層（３４，３５）の上に延在する少なくとも１つの下側コンタクトストリップ（３６）と、下側コンタクトストリップの上に延在するもう１つの上側のコンタクトストリップ（３７，３８，３９）とを含み、このもう１つのコンタクトストリップは、コンタクトメタライゼーションによって形成されており、このコンタクトメタライゼーションは、ニッケル（Ｎｉ）層からまたはニッケルとパラジウム（Ｐｄ）とを含有する層構造（３８，３９）から実質的に構成される。
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