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Fターム[5F033XX14]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 密着性改善 (1,147) | 配線と絶縁膜との密着性改善 (441)

Fターム[5F033XX14]に分類される特許

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【課題】高温雰囲気を維持した状態で溶融金属をハンドリングする必要をなくして工程及び装置を簡略化することができ、また導電ペーストを用いる場合と比較して高密度に金属を貫通孔内に充填することができる貫通電極の形成方法を提供する。
【解決手段】Si基板10の表面に開口を有する第1の非貫通孔21と、第1の非貫通孔21の底部に第1の非貫通孔21よりも小さな開口を有する第2の非貫通孔22とを形成し、第1の非貫通孔21の底部に固体金属50を載置する。Si基板10を減圧雰囲気下に置き、固体金属50の軟化点近傍まで加熱する。加熱状態を維持して減圧雰囲気から加圧雰囲気に移行し、軟化或いは溶融した金属50を第2の非貫通孔22に充填する。 (もっと読む)


この発明は、基板接触、特に半導体基板(21)の端子面を接触させるためのコンタクト配置(47,48,49,50,55,56,57)に関し、基板の底部端子面によって基板表面に形成された、コンタクト配置の少なくとも1つの内側コンタクト(25)と、内側コンタクトの外側端縁領域と周辺部とを少なくとも被覆するパッシベーション層(34,35)と、内側コンタクト(25)から横方向に離れるようにパッシベーション層(34,35)の上に延在する少なくとも1つの下側コンタクトストリップ(36)と、下側コンタクトストリップの上に延在するもう1つの上側のコンタクトストリップ(37,38,39)とを含み、このもう1つのコンタクトストリップは、コンタクトメタライゼーションによって形成されており、このコンタクトメタライゼーションは、ニッケル(Ni)層からまたはニッケルとパラジウム(Pd)とを含有する層構造(38,39)から実質的に構成される。
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【課題】その表面をケイ化銅に転化することにより、銅相互接続構造の露出銅表面を直接不動態化するための方法を提供すること。
【解決手段】その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Cu相互接続構造の露出したCu表面をケイ化銅に転化する。ケイ化銅は、Cu拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。銅相互接続構造の銅表面全体をケイ化する場合もあれば、銅表面の一部分を露出するように上に重なる誘電体に開口部を形成した後で表面の局部部分をケイ化する場合もある。 (もっと読む)


【課題】基板上に透明電極層を設け、さらにその上に導電性ペーストを原料とした金属配線を形成した透明電極付き基板において、当該透明電極層と当該金属配線の接着性に優れた透明電極付き基板を提供する。
【解決手段】透明電極層と金属配線の間にカーボン膜などの実質炭素を含有する層を形成することで、金属配線の剥離のない、耐久性に優れた透明電極付き基板を作製することができる。これらのカーボン層はスパッタリング法やプラズマCVD法により形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 銅配線を備えた半導体装置において、高歩留り又は高信頼性を実現する。
【解決手段】半導体装置は、基板100上に形成された空孔率が低い低空孔率領域である絶縁膜105と低空孔率領域よりも空孔率が高い高空孔率領域107とを有し、絶縁膜105における配線溝105bに形成された銅配線109bとを備える。絶縁膜105は、配線溝105bの下部に形成されており、絶縁膜107は、配線溝105bの側壁の周辺部に形成されている。 (もっと読む)


半導体デバイスの製造方法は、絶縁性層をアニーリングする工程と、金属元素を含んだ障壁層を前記絶縁性層上に形成する工程とを含んでいる。前記絶縁性層は、フッ化炭素(CFx)膜を含んでいる。前記障壁層は、前記アニーリング工程後に、高温スパッタリングプロセスによって形成される。
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【課題】大量生産上、大型の基板に適している半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネルを含む島状半導体層と、島状半導体層上に形成されたドレイン配線およびソース配線とを有し、島状の半導体層は、In−Ga−Zn−Oを含み、ドレイン配線及びソース配線は島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断し、チャネルの長さはドレイン配線およびソース配線の間隔に等しいことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に層間絶縁膜を形成する工程(a)と、層間絶縁膜に配線を形成する工程(b)と、配線の上面及び層間絶縁膜の上面に有機溶液を塗布する工程(c)と、工程(c)の後に、配線の上面及び層間絶縁膜の上面にシリル化溶液を塗布する工程(d)と、工程(d)の後に、基板を加熱する工程(e)と、少なくとも配線の上面上に第1のライナー絶縁膜を形成する工程(f)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】
厚い配線を形成すると、絶縁膜との間に剥離が生じやすい。
【解決手段】
半導体装置は、複数の半導体素子を形成した半導体基板と、半導体基板上方において、半導体基板表面とほぼ平行な第1レベルに延在する第1の配線パターンであって、異なるレベルの配線またはパッドとの接続領域を含む平面形状を有し、第1の厚さを有する主配線領域と主配線領域の側壁から1つ以上の段差を形成して外側に張り出し、第1の厚さより薄い第2の厚さを有し、主配線領域から連続する張り出し配線領域とを有する第1の配線パターンと、第1の配線パターンを囲む第1の絶縁領域と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗の導電部を備える、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ビアホール36a内及び配線溝36b内に、バリア層37を介して、CnMnを含有する第1導電層38、及びCuを主成分とする第2導電層39を形成し、清浄化後、低温酸化を行い、第1,第2導電層38,39表面にCu酸化物層40を形成する。その後、キャップ層の形成を行い、その状態で高温条件の熱処理を行うことで、第1,第2導電層38,39内のMnをCu酸化物層40に拡散させ、キャップ層との界面に、Cu酸化物層40にMnが含有された化合物層を形成する。これにより、第1,第2導電層38,39内のMnを減少させることが可能になり、さらに、キャップ層の密着性を向上させることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】半導体層2と、半導体層2上に設けられたAuからなる電極パッド10と、電極パッド10上にその端部が位置するように、半導体層2上及び電極パッド10上に設けられた窒化シリコン膜6と、電極パッド10の上面の一部及び窒化シリコン膜6の端部に接し、かつ電極パッド10の上面の他部が露出するように設けられたTi、Ta及びPtのいずれかからなる金属層14と、を具備する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】拡散バリア層と銅配線本体との密着性を大幅に改善することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線において、上記絶縁層と、上記絶縁層に対向して設けられた拡散バリア層と、上記拡散バリア層上に形成された、銅(Cu)からなる配線本体と、を備え、上記拡散バリア層は、マンガン(Mn)に対する酸素(O)の組成比率(比率y/x)を2未満とするマンガン酸化物(組成式:Mnxy(比率y/x<2))を含むマンガン酸化物層を有する、ことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】ボラジン系化合物の絶縁膜を用いて、絶縁材料と配線材料との間の密着性や、機械強度等の特性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】凹部に第1の導体層が埋め込まれた第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された第2の絶縁層と、第2の絶縁層上に形成された第3の絶縁層と、第2の絶縁層と第3の絶縁層との凹部に埋め込まれた第2の導体層と、を含む半導体装置であって、第2の絶縁層および第3の絶縁層は、炭素含有ボラジン化合物を原料として化学的気相反応成長法によって形成され、第3の絶縁層の炭素含有率が、第2の絶縁層の炭素含有率よりも小さく、第2の導体層の外周に、金属材料で構成された導体拡散防止層が形成されている半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜の凹部内に形成された配線のバリアメタル膜の絶縁膜からの剥がれを防ぐ。
【解決手段】半導体装置100は、基板(不図示)上に形成され、太幅配線溝106が表面に形成された層間絶縁膜104と、層間絶縁膜104の太幅配線溝106を埋め込んで形成され、バリアメタル膜110および銅膜116により構成された太幅配線120とを含む。太幅配線溝106の底面には、角部に選択的に凹凸114が形成され、凹凸114上にバリアメタル膜110が形成されている。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁層に対する密着性が良好で、且つ有機半導体層との間の寄生抵抗が低いソース電極とドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを備える有機薄膜トランジスタであり、上記ソース電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間、及び上記ドレイン電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間に、金を主成分とした合金からなる密着層をそれぞれ備え、上記ソース電極及びドレイン電極は金からなり、上記密着層は、金の含有量が、67原子%以上97原子%以下の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】エレクトロマイグレーションの抑制が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子の形成された半導体基板と、半導体基板の上方に、水分を含み、凹部が形成された層間絶縁膜と、凹部の内面上に形成され、非晶質及び多結晶の一方の結晶性を有する第1のバリアメタル層と、第1のバリアメタル層上に形成され、非晶質及び多結晶の他方の結晶性を有する第2のバリアメタル層と、第2のバリアメタル層上に形成された銅配線と、銅配線を覆って前記層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止絶縁膜と、銅配線と銅拡散防止絶縁膜との界面に形成された金属酸化物層とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の絶縁膜の上に形成される金属配線または金属電極の接着力を向上させる。
【解決手段】窒化タングステン6bをタングステン6cの側面にまで設けて、タングステン6cと窒化タングステン6bとが接触している面積を増やす。ゲート絶縁膜2上に、ゲート絶縁膜2との接着力が強いポリシリコンサイドウォール5を配置する。タングステン6cの側面にある窒化タングステン6bにはポリシリコンサイドウォール5を密着させる。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する3次元構造の半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ウエハW2の主面上の表面保護膜48とウエハW3の裏面との間で、第1バンプ電極50が形成されていない領域に、スペーサ49と第2バンプ電極50aとを積層した支持部を形成することによって、ウエハW3のたわみを防いで、ウエハW2の主面上の表面保護膜48とウエハW3の裏面との間隔をウエハ面内で均一に保つ。これにより、ウエハW2の主面上の表面保護膜48とウエハW3の裏面との間の接着剤51の未充填箇所の生成を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜として低誘電率膜を用いて配線溝を形成する際のダメージ層の形成による配線間容量の増加を抑制する。
【解決手段】低誘電率膜114の側壁に形成されたダメージ層130を除去する工程(図3(a)、3(b))と、化学気相成長法により第2の保護絶縁膜134を形成し、第1の保護絶縁膜116および低誘電率膜114の側壁を第2の保護絶縁膜134で覆って第2の凹部136cを形成する工程(図3(c))と、配線溝136dが低誘電率膜114の表面に選択的に第2の保護絶縁膜134が形成された側壁を有するように、第2の保護絶縁膜134をエッチバックして成形する工程(図3(d))とにより配線溝136dを形成する。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極15を被覆するゲート絶縁層37と、ゲート絶縁層37上においてゲート電極15と端部が重畳し、第2酸化物半導体層40と導電層41が積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39と、少なくともゲート電極15と重畳しゲート絶縁層37及び該第1配線層38及び該第2配線層39における導電層41の側面部及び上面部の一部と第2酸化物半導体層40の側面部と接する第1酸化物半導体層36とを有する非線形素子30aを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層37上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子30aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


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