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Fターム[5F033XX14]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 密着性改善 (1,147) | 配線と絶縁膜との密着性改善 (441)

Fターム[5F033XX14]に分類される特許

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【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極15を被覆するゲート絶縁層37と、ゲート絶縁層37上においてゲート電極15と端部が重畳し、第2酸化物半導体層40と導電層41が積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39と、少なくともゲート電極15と重畳しゲート絶縁層37及び該第1配線層38及び該第2配線層39における導電層41の側面部及び上面部の一部と第2酸化物半導体層40の側面部と接する第1酸化物半導体層36とを有する非線形素子30aを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層37上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子30aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】配線とバリア膜との密着性の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下、及び工程数の増加を抑制しつつ、めっき膜の膜厚がウェハ中心部とウェハ周辺部で異なることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜100に形成された溝102の側面及び底面に、添加元素を含む金属バリア膜120を形成する。次いで、金属バリア膜120上にシード膜142を形成し、さらにシード膜142をシードとしてめっき層(Cu膜144)を形成することにより、溝102内に金属膜140を埋め込む。次いで、金属バリア膜120及び金属膜140を熱処理することにより、金属バリア膜120と金属膜140の間に、金属バリア膜120を構成する金属、添加元素、及び金属膜140を構成する金属を含む合金層を形成し、かつ添加元素を金属膜140中に拡散させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】プリ・メタル層間絶縁膜の構成法としては、オゾンTEOSによる酸化シリコン膜の埋め込み特性の良好なCVD酸化シリコン系絶縁膜を成膜後、高温リフローさせて平坦化した後、CMPスクラッチ耐性が良好なプラズマTEOSによる酸化シリコン膜を積層し、更にCMPで平坦化することが考えられる。しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はプリ・メタル工程において、エッチ・ストップ膜上にオゾンTEOS膜を形成後、一旦、ゲート構造上のエッチ・ストップ膜が露出するようにオゾンTEOS膜をエッチバックし、その後、残存オゾンTEOS膜上にプラズマTEOS膜を成膜し、このプラズマTEOS膜をCMPにより、平坦化するものである。 (もっと読む)


【課題】CMPによる平坦化時にディッシングや配線パターン剥離の発生を抑制して安定生産が可能で、ダミーパターン内における渦電流の発生に伴うインダクタンス素子のQ値の低下を抑制可能な半導体装置を提供。
【解決手段】半導体装置10は、基板と、この基板上に形成され化学的機械的研磨工程(以下CMPと称する)を制御するためのダミーパターン16と、基板上に螺旋状に形成されたインダクタンス素子15と、を有し、ダミーパターン16Pが、それぞれ先端が鋭角の突起Apを八つ有する多角形状の平面視形状を有するように形成されている。突起の先端を挟む両側の縁部に沿ってそれぞれ発生する渦電流は、向きが互い逆方向であるため相殺されて打ち消され、大きな渦電流とならない。また、縁部に沿って流れる渦電流の経路が長くなることにより抵抗が増加し、渦電流が流れる面積も減少するので、渦電流を抑制する。 (もっと読む)


【課題】Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜18上に、SiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層41が積層される。犠牲層41の積層後、熱処理が行われる。第2絶縁層6および犠牲層41にSiおよびOが含まれるので、熱処理が行われると、第2絶縁層6と合金膜18との界面および合金膜18と犠牲層41との界面において、Si、OおよびMnが結合し、それぞれMnSiOからなる第2バリア膜13および反応生成膜42が形成される。合金膜18に含まれるMnが反応生成膜42の形成に使用されることにより、第2バリア膜13の形成後、その第2バリア膜13の形成に寄与せずに合金膜18に残留するMnの量が減少する。そのため、合金膜18上に積層されるCu層20に拡散するMnの量が減少する。よって、Cu層20からなる第2Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる。 (もっと読む)


【課題】
誘電率を低減したSiC膜を銅拡散防止膜として用いることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、−CH−結合が環状にSiの2つの結合手を接続し、残り2つのSiの結合手に官能基R1,R2がそれぞれ結合され、官能基R1、R2は酸素を含まず2重結合を含む、原料を用いて、半導体基板上方に、酸素を含まない第1のSiC膜を成膜し、第1のSiC膜上に第1絶縁膜を成膜して、第1のSiC膜及び第1絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に銅配線を埋め込み、銅配線を覆って、層間絶縁膜上に、第1のSiC膜と同じ原料を用いて第2のSiC膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び/又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第2バリア膜13の形成後に、SiHを含むガスを用いたPECVD法により、Cu層20上にSiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層21が積層される。犠牲層21にSiおよびOが含まれるので、犠牲層21の積層過程で、Cu層20と犠牲層21との界面にMnSiOからなる反応生成膜22が生じる。この反応生成膜22の生成にMnが使用されることにより、Cu層20に含まれるMnの量が減少する。よって、Cu層20からなる第2Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる。 (もっと読む)


【課題】Cu系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Cu合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Cu合金膜であって、該Cu合金膜は、Ti、AlおよびMgよりなる群から選択される1種以上を合計で0.1〜10.0原子%含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Cu合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Cu合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 (もっと読む)


【課題】 CSPと呼ばれる半導体装置において、封止膜が配線の表面および柱状電極の外周面から剥離しにくいようにし、且つ、配線間でショートが発生しにくいようにする。
【解決手段】 銅からなる配線7の表面および銅からなる柱状電極10の外周面には針状構造の酸化銅膜11が設けられている。これにより、酸化銅膜11が無い場合と比較して、エポキシ系樹脂等からなる封止膜12が配線7の表面および柱状電極10の外周面から剥離しにくいようにすることができる。また、酸化銅膜11を形成する前に、配線7下以外の領域における導電性を有する変質層Cを完全に除去することにより、変質層Cに起因する配線7間でのショートの発生を確実に防止することができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板1上に強誘電体キャパシタ37を形成する際、下部電極膜25の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜26を形成する。酸化導電膜26を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜27の初期層27Aの形成時に酸化導電膜26を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第2の導電膜26Aを形成する。強誘電体膜27は、MOCVD法により形成し、その初期層27Aは第2の導電膜26Aの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜27の表面モフォロジが良好になる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1に形成される半導体素子を覆う絶縁膜11が、埋め込み特性が良好とされる熱CVD法等によって形成される。その絶縁膜11を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマCVD法によって絶縁膜14が形成される。その絶縁膜11および絶縁膜14を貫通するようにプラグ13が形成される。さらに、その絶縁膜14上に、誘電率が比較的低いLow−k膜からなる絶縁膜16が形成され、その絶縁膜16に、ダマシン技術によって、プラグ13に電気的に接続される配線20が形成される。 (もっと読む)


【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ100は、基板1上にlow−k絶縁膜2を介して対向して配設される一対の第1の配線3及び第2の配線4と、一対の配線のうち第1の配線3に第1のビア5を介して接続され、最上層に配設される第1の接続パッド6と、一対の配線のうち第2の配線4に第2のビア7を介して接続され、最上層に配設される第2の接続パッド8と、基板1に対して垂直な方向における第1の配線3及び第2の配線4の一部に重畳し、low−k絶縁膜2を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド9と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板1の表面2に、例えばArガスのような不活性ガスのプラズマ4を照射することで、その表面2に改質を施して、その基板1の表面2自体における純Cuに対する密着性を向上させ、その基板1の表面2の直上に、銅薄膜3をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiおよびOを含む第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成された後、Mnからなる金属膜18が第2溝11およびビアホール12の側面および底面に被着される。次いで、金属膜18中のMnと第2絶縁層6中のSiおよびOとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第2溝11およびビアホール12の内面上に、MnSiOからなるバリア膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】溝を埋め尽くすように形成されるCu層中のMnの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiおよびOを含む絶縁材料からなる第2絶縁層6に、第2溝11が形成される。次に、スパッタ法により、第2溝11の内面に、CuMn合金からなる合金膜18が被着される。この合金膜18は、第2溝11の内面に接する部分のMn濃度が相対的に高く、その表層部分のMn濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜18上に、Cuからなる第2配線14が形成される。第2配線14の形成後、熱処理により、第2配線と第2絶縁層6との間に、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。 (もっと読む)


【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】下部配線膜11とコンタクトする部分や、SiN層12の表面に、インクジェット法によって錫又は亜鉛の微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化錫と酸化亜鉛の少なくとも一方から成る無機接着膜13を形成し、無機接着膜13の表面にAg微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜14を形成する。無機接着膜13は、下部配線膜11表面のMoN層23及びガラス基板10上のSiN層12と、上部配線膜14と接着性が高いので、上部配線膜14が剥離しない。 (もっと読む)


【課題】溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1配線5上に、SiおよびOを含む第2絶縁層6が形成された後、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、MnOからなる金属膜18が被着される。このとき、第2溝11の内面およびビアホール12の側面には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込み、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。そして、金属膜18におけるビアホール12の底面に形成された部分が除去された後、ビアホール12にビア15が埋設されるとともに、第2溝11に第2配線14が埋設される。 (もっと読む)


【課題】溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiおよびOを含む絶縁材料からなる第2絶縁層6に、第2溝11が形成され、第2溝11と第1溝3とが対向する部分にビアホール12が貫通形成された後、スパッタ法により、CuMn合金からなる合金膜18が第2溝11およびビアホール12の側面および底面に被着される。そして、合金膜18における第2溝11の底面および第1配線5上に被着された部分が薄くされる。その後、合金膜18上に、Cuを主成分とする金属材料からなる第2配線14が形成される。第2配線14の形成後、熱処理により、第2配線と第2絶縁層6との間に、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。 (もっと読む)


【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器151内に電着液152を収容し、電着液152の中で、白金からなる対向電極153に基板101の金属パターン104形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源154により、対向電極153に正電圧を印加し、シード層102に負電圧を印加する。ここで、金属パターン105に必要な配線を接続することで、シード層102に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン104および金属パターン105の露出している面(上面)に、電着液152中の電着成分が付着(析出)し、電着絶縁膜106が形成される。 (もっと読む)


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