【課題】 本発明は、高熱伝導性で、ちょう度が高く、塗布性が良好な熱伝導性コンパウンドを提供する。
【解決手段】 （Ａ）熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上で平均粒径５〜５０μｍの金属粉末、（Ｂ）新モース硬度が６以上で平均粒径５〜５０μｍの粗粒無機充填剤、（Ｃ）平均粒径０．１５〜２μｍの細粒無機充填剤、（Ｄ）基油、及び（Ｅ）（ポリ）グリセリルエーテル、並びにアルケニルコハク酸イミド及びそのホウ素誘導体から選ばれる１種以上の表面改質剤を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の合計含有量がコンパウンド全量中８８〜９７質量％の範囲であり、かつ（Ａ）と（Ｂ）の合計含有量と（Ｃ）の含有量の質量比が２０：８０〜８５：１５の範囲であり、（Ｄ）の含有量がコンパウンド全量中１２質量％未満であり、さらに（Ｅ）の含有量がコンパウンド全量中それぞれ０．０８〜４質量％である高熱伝導性コンパウンド。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で三次元高密度実装構造に適した冷却構造を提供する。
【解決手段】高密度実装の電子装置１は、実装された半導体素子１１の高さ方向に、スタック構造で積み重ねられた複数の両面実装回路基板ユニットと、前記積み重ねられた複数の両面実装回路基板ユニットの少なくとも一辺側が開口するように配置され、かつ、前記両面実装回路基板ユニットの端部で、前記両面実装回路基板ユニット間の電気的な接続を行なうコネクタ４と、前記スタック構造で互いに対向する半導体素子の間に設けられ、当該対向する半導体素子の各々に接する冷却構造とを備える。両面実装回路基板ユニットの少なくとも１つは、基板表面に形成されたグランド層を有し、冷却構造は、互いに対向する半導体素子の間に延びる放熱板５を有し、このグランド層と同じ面上に実装された半導体素子と接する放熱板は、当該グランド層に接触する突起部を有する。 （もっと読む）

本発明の電子機器の冷却構造は、筐体（２０）の内部に配置された少なくとも１つの発熱体（２ａ）において生じた熱を回収し、筐体（２０）の外部に放出することにより発熱体（２ａ）の冷却を行うものであって、発熱体（２ａ）において生じた熱を回収する受熱部（４）と、空気の流入口（４２ａ）及び流出口（４２ｂ）を備え、かつ断熱部材（４０）により発熱体（２ａ）及び受熱部（４）から断熱された断熱空間（６）と、断熱空間（６）内に設けられた放熱部（７）と、受熱部（４）において回収された熱を放熱部（７）に伝搬するための伝熱手段（５）と、断熱空間（６）に強制的に空気流を発生させるファン（２２）とを備え、発熱体（２ａ）で生じた熱を、受熱部（４）及び伝熱手段（５）を介して、放熱部（７）に伝搬し、断熱空間（６）内でファン（２２）を用いて集中的に放熱する。
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【課題】 めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに、熱放射率や熱伝導率が大きく、ハンダ付けが可能で放熱性が求められるヒートシンクに好適に適用することができる表面処理Ａｌ板、それを用いたヒートシンク、およびその表面処理Ａｌ板の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ基板にＺｎを置換めっきし、次いでＮｉめっきし、引き続いてＺｎめっきした後、その上にハンダ性を向上させる皮膜層を設けて表面処理Ａｌ板を構成し、この表面処理Ａｌ板をヒートシンクに適用する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブや気相成長炭素繊維などのカーボン材とマトリックス金属との剥離のない、熱伝導性に優れた複合材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミシート１１と、カーボン材であるＶＧＣＦ１２ａの表面にＣｕあるいはＮｉから成る被着金属１２ｂが被着された炭素・金属複合体１２とを交互に積層した積層体１３を作製し、この積層体１３を真空雰囲気で加熱しながら上記積層体１３を圧延して、上記アルミシート１１を構成する金属Ａｌ中にＶＧＣＦ１２ａが均一に分散され、かつ、上記カーボン材とマトリックス金属である金属Ａｌとが強固に結合された高熱伝導複合材料１０を作製する。 （もっと読む）

【課題】反りの発生に起因する信頼性の低下を抑制することができる電子部品用ケースの製造方法を提供する。
【解決手段】冷却過程でケース本体と板状複合体２との熱膨張係数の差に起因して発生する反りと逆方向の反りが予め付与された板状複合体２を金型５内にセットし、ケース本体の材料である金属の溶湯６を金型５内に鋳込み、これを冷却する。この冷却過程において、ケース本体を構成する金属と板状複合体２を構成する金属基複合材料との熱膨張係数の差に起因して応力Ｆ２が作用し、ケース本体及び板状複合体２に反りが発生するが、板状複合体２には予め逆方向に反りが付与されているので、冷却後はケース本体及び板状複合体２の表面が平坦となる。 （もっと読む）

【課題】 小型で、かつ高効率の放熱が可能なパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】 パワー半導体装置が、パワー半導体素子が樹脂封止されたパワー半導体モジュールと、半導体モジュールが載置された冷媒回路ブロックと、パワー半導体モジュールと冷媒回路ブロックとを挟んで対向配置された第１プレートと第２プレートであって、パワー半導体モジュールに接した第１プレートと、冷媒回路ブロックに接した第２プレートと、第１プレートと第２プレートとの双方に接続されたヒートパイプとを含む。パワー半導体モジュールで発生した熱は、ヒートパイプを介して冷媒回路ブロックに伝達される。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率を小さくするとともに、熱伝導率を大きくすることが可能な放熱部材１を提供する。
【解決手段】この放熱部材１では、２層以上設けられた３６％Ｎｉ−Ｆｅ層からなる低熱膨張層４と、低熱膨張層４の表面および裏面を挟むように交互に積層されたＡｌ層からなる高熱伝導層５とを備えている。また、高熱伝導層５と低熱膨張層４とは、圧接接合されることにより、低熱膨張層４が分断されているとともに、分断された領域１０を介して、高熱伝導層５同士が接続されている。 （もっと読む）

【課題】熱放射皮膜の保護と放熱面積の拡大を図ることのできる放熱器およびそれを用いた基板を提供する。
【解決手段】被取付部材２に固定される取付部材３と、上記取付部材３に一体的に形成されている放熱板４と、上記放熱板４の表面および／または取付部材３の表面に設けられ頂部が丸みをおびた形状の多数の放熱リブ７とを含んで構成されている。したがって、放熱面積が拡大されて放熱効果が向上する。そして、熱放射皮膜が丸みのある放熱リブ７に確実に生成され、また、熱放射皮膜に傷等がつきにくくなり、放熱効果が正常に維持される。 （もっと読む）

【課題】 放熱外壁板からの熱吸収効率が高く、冷却性能の優れた冷却ユニットの提供。
【解決手段】 高温発熱体の高温外面壁に直接取付けられる放熱外壁板と、該放熱外壁板の平坦面または曲面に均一に固着配置された、偏平挫屈率３％以下、偏平率４０〜５０％の曲げ加工された金属製偏平管とで構成され、前記金属製偏平管に熱媒体流体を流通させることによって前記高温発熱体の高温外面壁を冷却する構造となしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 放熱が良好な半導体装置および冷却器付半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１Ａは、シリコンチップ３４と、電極３２，３６，３８と、樹脂部４６と、無機硬質膜４８，５４と、緩衝層５０，５６と、めっき層５２，５８とを含む。無機硬質膜４８，５４によって金属製のマイクロチャネル冷却器１１Ａ，１２Ａと電極３２，３６の間の絶縁性が確保される。電極３２，３６の放熱面は、樹脂部４６の表面から突出しており、樹脂部４６によってマイクロチャネル冷却器１１Ａ，１２Ａと放熱面の密着が阻害されることがないので、放熱に有利である。めっき層５２，５８によりマイクロチャネル冷却器１１Ａ，１２Ａと半導体装置１Ａの接合時のなじみが良くなり、グリース等を塗布する必要がなく熱伝導も良くなる。 （もっと読む）

【課題】含浸法によるアルミニウム合金-セラミックス質複合体の製造において、発生する廃棄物が低減し、従来よりも生産効率が大幅に向上するアルミニウム合金-セラミックス質複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】含浸法によるアルミニウム合金-セラミックス質複合体の製造において、（１）治具に積層したセラミックス多孔質体に、アルミニウムを主成分とする金属を含浸する工程、（２）５５０〜８００℃の温度において、溶融したアルミニウムを主成分とする金属を取り除く工程、（３）冷却後に、積層したアルミニウム合金-セラミックス質複合体を離型する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに、熱放射率や熱伝導率が大きく、ハンダ付けが可能で放熱性が求められるヒートシンクに好適に適用することができる表面処理Ａｌ板、それを用いたヒートシンク、およびその表面処理Ａｌ板の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＣｕ層をめっきにより形成させ、さらにＣｕ層上に熱伝導性を向上させる層を設けて表面処理Ａｌ板を構成し、この表面処理Ａｌ板をヒートシンク２に適用する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを主成分とするベース板を有する半導体装置において、ベース板に装着されるネジの締着力の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、アルミニウムを主成分とするベース板１およびその上に形成された絶縁基板とを備えている。ベース板１は、該ベース板１を放熱フィン１３に固定するための固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０と、当該貫通孔２０に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とする平ブッシュ２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの放熱板に好適な銅合金であって、特にＰbフリーはんだで接合した場合に放熱板の変形を抑制する効果の高い銅合金を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｎi：３〜１５％、Ｂ：３％以下、Ｃu、Ｎi、Ｂを除く元素の合計：３％以下、残部Ｃu、かつＮi／Ｂ≦７の組成をもち、Ｃuマトリックス中のＮi濃度が２.５質量％以下である銅合金。特性としては、熱伝導率２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数が１６.６×１０^-6／Ｋ以下、０.２％耐力２７０Ｎ／ｍｍ²以上、耐熱温度２７０℃以上を有する。この合金は、１０％以上の冷間圧延が施された冷間圧延材に、４００〜９００℃の温度範囲で時効析出を伴う焼鈍を施してＣuマトリックス中のＮi濃度を２.５質量％以下とし、次いで５〜４０％の仕上圧延を行う方法で製造できる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの熱を筐体へ効率よく放熱させる。また、メンテナンスの作業性が悪化するのを防止する。
【解決手段】半導体チップを放熱するための放熱板１２は、弾性を有する平板１２１と、半導体チップを含む基板を収容する金属製の筐体の側面に、平板１２１を固定するための放熱を兼ねた固定板１２３と、平板１２１の半導体チップとの対向面に設けられた、半導体チップの熱を固定板１２３を介して筐体へ放熱するための金属箔１２２とを有する。 （もっと読む）

放熱特性および密着性に優れ、低コストで半導体装置を作製することができる半導体素子放熱部材、および、それを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供する。半導体素子放熱部材は、導電性基体および水素を含む絶縁性非晶質炭素膜を備え、かつ前記導電性基体の、少なくとも半導体素子を搭載する部分に、絶縁性非晶質炭素膜が設けられている。
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【課題】 半導体チップの熱抵抗が小さく、熱抵抗のばらつきが小さく、低コストの大きい半導体チップの実装構造を提供する。
【解決手段】 フリップチップ実装された半導体チップの裏面に放熱板を備える半導体チップの実装構造において、一方の面が前記半導体チップに密着する熱伝導性に優れた材料と、一方の面が前記熱伝導性に優れた材料の他方の面と密着し、他方の面が前記放熱板に密着する収縮性のある材料とを備えることを特徴とする半導体チップの実装構造。 （もっと読む）

【課題】
良好な放熱性が求められるヒートシンクにおいて、その熱伝導性を維持しつつ、且つボルト締め等の局部圧に耐え得る材料強度およびダイカスト時の良好な鋳造性を有するアルミニウム合金材を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ４．５〜１３．５ｗｔ％、Ｍｇ０．２０〜０．７０ｗｔ％、Ｆｅ０．２０〜１．００ｗｔ％、Ｂ０．００２〜０．０８ｗｔ％を含有し、残部アルミニウムおよび不可避的不純物からなり、且つ導電率が３８ＩＡＣＳ％以上であること、およびブリネル硬度値が６０以上であることよりなるヒートシンク用アルミニウム合金材、および上記組成範囲の合金をダイカストによる鋳造後、１８０〜２５０℃で、０．８〜５．０時間、時効熱処理することよりなる上記ヒートシンク用アルミニウム合金材の製造法、並びに該合金材から製造されるヒートシンク。 （もっと読む）

【課題】
回路基板のベース板として好適な、高温領域においても高熱伝導性で低熱膨張係数を有するアルミニウム合金-炭化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
アルミニウム板を炭化珪素質多孔体で挟んだ複合体に、アルミニウム合金を含浸して得られるアルミニウム合金-炭化珪素質複合体であって、複合体中のアルミニウム板と炭化珪素質多孔体の厚さの比が、１：９〜６：４の範囲にあることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体。 （もっと読む）