Fターム[5F038BB00]の内容
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Fターム[5F038BB00]に分類される特許
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半導体装置、電気ヒューズの切断方法、および電気ヒューズの判定方法
【課題】電気ヒューズの判定精度を高める。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板(不図示)上に形成され、第1の導電体102および第1の導電体102と電気的に分離された第2の導電体108を含む電気ヒューズ101とを含む。電気ヒューズ101の切断処理後状態において、第1の導電体102は、第2の導電体108と電気的に分離される第1部分105aと、第1の導電体102を構成する材料が外方に流出して第2の導電体108と電気的に接続される流出部114を含む第2部分105bとに切断される。
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半導体集積回路
【課題】各出力回路間の特性の均一化が実現可能なレイアウトを有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体チップ(1)上に、半導体チップ(1)における第1のチップ辺に沿うように形成され、各々がパッド(8)を有する複数の回路セル(16A)を備えている。さらに、複数の回路セル(16A)の上に形成された高圧電位の配線(2)を備え、該高圧電位の配線(2)は、配線幅が長さ方向に中央部から端部に向かって広がる形状を有している。
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