【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ（１０）は、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と電源ライン（１５、１６）との間に接続された複数の静電破壊保護素子（１１Ｈ、１１Ｌ、１２Ｈ、１２Ｌ）と、複数のパッドのうち少なくとも２つのパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）に現れる印加電圧（Ｓ１１、Ｓ１２）が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部（１３）と、サージ検出部（１３）の検出結果（Ｓ１３）に応じてその動作が許可／禁止される内部回路（１４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程数で形成でき、耐熱性に優れた温度センサを備える炭化珪素半導体装置を得る。
【解決手段】 炭化珪素基板１の活性領域ＡＲに形成された半導体素子と、活性領域ＡＲを取り囲むように炭化珪素基板１中に形成されたウエル領域５と、炭化珪素基板１上に配設される多結晶シリコンからなるゲート電極８と、ゲート電極８と同時に形成され、その一部を用いて形成した測温抵抗体１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テスト時間が短い半導体集積回路のテストシステム及びテスト方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路２０は、複数の被試験回路８１乃至８３を有し、外部のテストシステム１０と無線で通信することにより、被試験回路８１乃至８３をそれぞれテストする複数のテストパターンに、被試験回路８１乃至８３を識別するＩＤが付加されたテスト入力信号を受信する無線インターフェース部１３と、ＩＤを識別し、ＩＤに対応する被試験回路８１乃至８３に、ＩＤが付加されたテスト入力信号に含まれるテストパターンを入力し、被試験回路８１乃至８３からテストパターンに応じたテスト結果が出力される度に、テスト結果に、ＩＤを付加したテスト出力信号を、無線インターフェース部を介して、外部のテストシステム１０に出力する試験回路と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】
サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａ上に配置された第１素子機能部２６と、一方主面上１０Ａに配置された第１アンテナ部２３と、他方主面１０Ｂに配置された第２素子機能部３６と、他方主面１０Ｂ上に配置された第２アンテナ部３３とを備え、第１素子機能部２６が第１アンテナ部２３に送信用電気信号を送り、第１アンテナ部２３が送信用電気信号に応じた電波を発信し、第２アンテナ部３３がサファイア単結晶基板１０を透過した電波を受信することで、高い周波数の信号を基板の上下面で高精度に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の出力トランジスタが並列接続された構成を備え、出力トランジスタを含む各電流経路間で分担電流を高精度に均一に揃えることができる半導体装置、および当該半導体装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】互いに並列に接続された複数の出力トランジスタを備える半導体装置であって、出力トランジスタごとに設けられ第１の制御信号を供給する駆動回路と、第１の制御信号に含める出力トランジスタのコンダクタンスの情報を有するデータを記憶するメモリと、メモリにデータを入力するための第１の外部入力端子と、各駆動回路に出力トランジスタを１つずつ入れ替わり導通させる第２の制御信号を入力するための第２の外部入力端子とを備え、各駆動回路は、メモリに記憶されている駆動対象の出力トランジスタについてのデータを読み出して、コンダクタンスの情報を含む第１の制御信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】パッドが設けられた面の向きを変えても、パッドを基板に接続するボンディングワイヤが交差しない半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のパッドを含む第１のパッド群と、第１のパッド群に平行に一列に配置された複数のパッドを含む第２のパッド群と、第１のパッド群を基準にして第２のパッド群とは反対側に設けられた複数のバッファ回路を含む第１のバッファ回路群と、第２のパッド群を基準にして第１のパッド群とは反対側に設けられた複数のバッファ回路を含む第２のバッファ回路群と、第１のパッド群の複数のパッドのそれぞれを第２のバッファ回路群の複数のバッファ回路のそれぞれに対応して接続する複数の第１の配線と、第２のパッド群の複数のパッドのそれぞれを第１のバッファ回路群の複数のバッファ回路のそれぞれに対応して接続する複数の第２の配線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】より高電圧をより高速にスイッチングできる高速スイッチング動作回路を提供する。
【解決手段】ＤＣ／ＤＣコンバータ１は、活性領域がＳｉＣ半導体からなるＭＩＳＦＥＴで構成されたスイッチング素子１０を有する。駆動回路１１は、スイッチング素子１０を１ＭＨｚ以上の駆動周波数で駆動する。スイッチング素子１０のスイッチング時の電圧変化速度は５×１０^９Ｖ／秒以上である。前記ＭＩＳＦＥＴは、活性領域に形成されたトレンチと、トレンチの底面および壁面を絶縁膜と、絶縁膜を介して活性領域に対向するゲート電極とを含むトレンチゲート構造を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】低損失で差動信号を伝送することができるリドライバＩＣ、半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係る半導体装置は、差動信号が伝送される差動配線が形成された配線基板１０と、配線基板１０に搭載され、外部機器に対して差動信号を送受信するコネクタ１１と、配線基板１０に搭載され、コネクタ１１から受信した差動信号を中継する受信系のリドライバＩＣ２１と、受信系のリドライバＩＣ２１と離間した位置において配線基板１０に搭載され、コネクタ１１に送信する差動信号を中継する送信系のリドライバＩＣ２０と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】複雑な配線構造であっても、電極パターン同士を簡単な構造で接続できると共に、配線パターンの強度をも確保できるような配線構造、およびこうした配線構造を製造するための有用な方法を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に形成された少なくとも第１の配線パターンと第２の配線パターンを有する配線構造であって、前記第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間は、金属ワイヤーによる空中配線部によって接続されると共に、少なくとも金属ワイヤー表面には、金属ワイヤーと同じ若しくは異なる素材からなる金属めっきが施されたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウエハの検査において、半導体ウエハの裏面電極の端子としての機能を維持しつつ、半導体ウエハに過度の力がかかることを防止できる半導体ウエハ、半導体ウエハ検査装置、及び半導体ウエハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、ダイシングラインを隔てて複数のチップが並ぶ半導体ウエハの表面側に形成された表面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを隔てて形成された複数の裏面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを跨いで該複数の裏面電極を電気的に接続する接続パターンと、を備える。該複数の裏面電極のうちの少なくともひとつは、該半導体ウエハのバイアホールを介して該表面電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】プローブ針を接触させる外部端子の数を抑制してＤＣテストを行うことが可能な半導体集積回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、入出力端子Ｐ１を介して外部にデータを出力する出力バッファ２１と、外部から入出力端子Ｐ１を介してデータが入力される入力バッファ２２と、入出力端子Ｐ１と入力バッファ２２の入力との間の信号線上のノードＮ１と第１入力端子Ｔ１との間に設けられたスイッチ２６と、外部から第２入力端子Ｔ２に供給される第２基準電位とノードＮ１の電位とを比較して比較結果を出力する比較部２３と、入力バッファ２２から出力されるデータと比較部２３の比較結果との何れかを選択しテスト結果として出力する選択部５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、解析が簡便な半導体装置を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置は、内部信号を伝送可能な第１配線１０１と、第１配線１０１
と電気的に接続された測定電極１００と、測定電極１００と隣接するように配置され、内
部信号を計測するときに接地電位ＶＳＳが印加され、内部信号を計測する以外のときに所
望の電圧が印加されたダミー電極１０２，１０３とを備える。
例えば、測定電極１００は、環状に形成されており、ダミー電極は、第１電極１０２と
第２電極１０３とを有し、第１電極１０２は、測定電極１００の内側に形成された空間に
隣接するように配置され、第２電極１０３は、測定電極１００の外側に隣接するように配
置される。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに供給する電圧を、公称最大動作電圧を超えて増加可能にする電力供給方法の提供。
【解決手段】組立てパッケージ内に所定の最大動作電圧を超えない電源電圧で動作するようにされた少なくとも一つの電力入力を有する複数の論理回路１６を有するチップ４を有する集積回路２への電力供給方法は、論理回路の選択された１つの論理回路の電力入力において、論理回路の１つにおける電力入力においてチップ内に位置する計測点６１で第２の電源電圧を直接測定すること、および計測点と選択された１つの論理回路の電源入力間の電圧降下に基づいて第１の電源電圧を決定するステップと、第１の電源電圧を、論理回路の選択された１つにおける所定の最大動作電圧に調節されるような値を有する基準電圧に調節するステップ、を備える。 （もっと読む）