【課題】小型化可能なＥＳＤ保護デバイスを得る。
【解決手段】半導体基板上に形成された第２導電型のカソード層と、第１導電型のベース層と、第２導電型の第１のアノード領域と、第１導電型の第２のアノード領域と、第１導電型の第１の半導体領域と、第２導電型の第２の半導体領域と、第２導電型のコンタクト領域と、前記第１導電型の半導体基板の表面に形成されたカソード電極と、前記第１のアノード領域及び前記第２のアノード領域の表面に形成されたアノード電極と、前記第１の半導体領域及び前記コンタクト領域の表面に形成された中間電極を備えたことを特徴とする半導体装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズによる信号品質の劣化を抑え、かつラッチアップによる回路の誤動作を低減させつつ、良好なアイソレーションを確保することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１００内に形成された、抵抗率が１０Ωｃｍよりも大きく１ｋΩｃｍよりも小さな第１層１０３と、半導体基板１００内の表面側に、第１層１０３上方に位置するように形成された第２層１０５と、第２層１０５内又は第２層１０５上に形成された２つの半導体素子１０９と、２つの半導体素子１０９の間に位置し、半導体基板１００の表面から第１層１０３に達するように半導体基板１００内に形成され、２つの半導体素子１０９を電気的に分離するトレンチ型絶縁領域１１１とを備える。 （もっと読む）