【課題】負荷の変動に対する応答性がより良い半導体光源点灯回路を提供する。
【解決手段】半導体光源点灯回路１００は、１次巻き線１３６の一端に入力電圧Ｖｉｎが印加されたトランス１１０と、１次巻き線１３６の他端と接地端子との間に接続された第１スイッチング素子１１２と、アノードがトランス１１０の２次巻き線１３８の一端と接続された第１ダイオード１１４と、アノードが２次巻き線１３８の他端と接続された第２ダイオード１１６と、一端が第１ダイオード１１４のカソードおよび第２ダイオード１１６のカソードの両方と接続されたインダクタ１１８と、出力電流Ｉｏｕｔの大きさが第１しきい値を上回ると第１スイッチング素子１１２をオフし、その大きさが第２しきい値を下回ると第１スイッチング素子１１２をオンする制御回路１０２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源起動時に光量が絞られてＰＷＭ信号のデューティ比が小さい場合にも、出力電圧Ｖ０の立ち上げを速やかに行うことができる定電流電源装置を提供する。
【解決手段】抵抗Ｒ２による電圧降下によってＬＥＤアレイ２を流れるＬＥＤ電流ＩＬを検出し、コンパレータＣＰ１によってＬＥＤ電流ＩＬに相当する抵抗Ｒ２の電圧降下と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較することで、起動時に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達するまで、ＰＷＭ信号に長い補充期間Ｔｓの期間、１次側から２次側に電力を供給させると共に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達後は、短い補充期間Ｔｎの期間、負荷に電力を供給させる。 （もっと読む）

【課題】電源起動時に光量が絞られてＰＷＭ信号のデューティ比が小さい場合にも、出力電圧Ｖ０の立ち上げを速やかに行うことができる定電流電源装置を提供する。
【解決手段】抵抗Ｒ１による電圧降下によってＬＥＤアレイ２を流れるＬＥＤ電流ＩＬを検出し、コンパレータＣＰ１によってＬＥＤ電流ＩＬに相当する抵抗Ｒ１の電圧降下と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較することで、起動時に、ＬＥＤ電流ＩＬが第２基準電圧Ｖｒｅｆ２に到達するまで、ＰＷＭ信号に拘わらず、１次側から２次側に電力を連続して供給させると共にＬＥＤアレイ２を連続してオン駆動させる （もっと読む）

【課題】多数の発光サイリスタが並列接続されていることに起因して生じる駆動波形の遷移時間の増大を軽減する。
【解決手段】プリントヘッド１３は、走査回路部１００及び主発光部２００を有し、これらがデータ駆動部６０及びクロック駆動回路７０に接続されている。主発光部２００は、複数段の発光サイリスタ２１０により構成されている。走査回路部１００は、クロック駆動回路７０から供給される２相の第１、第２クロックＣ１，Ｃ２により駆動され、主発光部２００にトリガ電流を流してオン／オフ動作させる。非発光時におけるデータ端子ＤＡの電位を分圧抵抗６４，６５で分圧することにより、多数の発光サイリスタ２１０−１〜２１０−ｎが並列接続されていることに起因して生じる駆動波形の遷移時間の増大を軽減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高速化が図れる発光チップ等を提供する。
【解決手段】発光チップＣａ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…からなる発光サイリスタ列、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…からなる転送サイリスタ列および設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…からなる設定サイリスタ列を備えている。そして、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…をそれぞれ番号順に２つをペアにしてそれぞれの間に結合ダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…と設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…との間に接続抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、…、設定サイリスタＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…と発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…との間に接続抵抗Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、…を備えている。さらに、電源線抵抗Ｒｚ１、Ｒｚ２、Ｒｚ３、…を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤのより短い点灯時間でもスイッチングレギュレータの出力電圧が適切な値になるようにする。
【解決手段】パルス調光信号Ｐ１の“Ｈ”の期間でＬＥＤを点灯させると共に昇圧スイッチングレギュレータ３０を動作させ、“Ｌ”期間でＬＥＤを消灯させると共に昇圧スイッチングレギュレータ３０を停止させるようにするとき、パルス調光信号Ｐ１の“Ｈ”の期間が所定時間Ｔ１以下で且つＬＥＤ１１のカソード側の電圧ＶＫが、参照電圧ＶＲＥＦ２より低いとき、パルス調光信号Ｐ１の“Ｈ”の期間を遅延時間ｔｄｆだけ遅延したパルス調光信号Ｐ２により、昇圧スイッチングレギュレータ３０の昇圧回路を制御することで、昇圧時間を遅延時間ｔｄｆだけ延長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を高速且つ安定化してＰＷＭ信号で駆動する。
【解決手段】ＬＥＤ18と、直流の動作電力を供給する電源電圧変換部11と、電源電圧変換部11からの電力を蓄積して放出するインダクタ13、及びインダクタ13に電源電圧変換部11からの電力を供給して蓄積する充電経路R1と、インダクタ13に蓄積された電力をＬＥＤ18で発光させて放出する放電経路R2とを切換えるＦＥＴ12、15、14、19を含み、ＦＥＴ12、15、14、19での切換えによりＬＥＤ18を間欠駆動する駆動回路と、充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じてＦＥＴ12、15、14、19を切換えて、インダクタ13を流れる電流を一定値に保つ定電流制御部21と、定電流制御部21によるＦＥＴ12、15、14、19の切換えデューティ比に応じて電源回路が供給する直流電圧値を調整するデューティ監視部22とを備える。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、抵抗１２０を介して供給されるクロックによりシフト動作を開始する走査回路部１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路７０の出力クロックパルスをＲＬ微分回路９０で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路７０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模の削減と低コスト化を図る。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、スタート信号ＳＴによりシフト動作を行う走査回路部１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路７０の出力信号をＲＬ微分回路９０で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路７０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】６５５ｎｍ以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高輝度・高効率であって応答速度が速く、光取り出し面放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度が強い指向性を持ち、かつ外部に効率良く熱を放出可能な発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】ｐｎ接合型の発光部３と、発光部３に積層された歪調整層１３と、を少なくとも含む化合物半導体層１１を備え、発光部３は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）よりなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層１３は、発光部３の光を透過可能であると共に、歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、光取り出し面１１ａの反対側に位置する化合物半導体層１１の面１１ｂに、反射構造体４を介して接合された機能性基板５を有する。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード及びこれを備えた発光ダイオードランプに関し、応答速度の速い発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、ｎ（≧１）層の歪発光層１２、及び（ｎ−１）層のバリア層１３よりなる発光層１０を有するｐｎ接合型の発光部を備え、前記発光層１０は、１層の歪発光層１２と、１層のバリア層１３が交互に積層された構成とされており、ｎを１〜７とし、かつ発光層１０の厚さを２５０ｎｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】
パルス制御でＬＥＤを点滅させる場合も、極めて簡単な制御で、点灯時にはその立上時間を短縮させ、消灯時にはＬＥＤで生ずる発熱量を抑える。
【解決手段】
直流の電源電圧が印加される主回路（３）に、電流制御素子（４）、ＬＥＤアレイ（５）及び電流検出抵抗（R_Ｓ）が直列に配され、検出された電流が一定に維持されるように電流制御素子（４）をコントロールする定電流回路（６）が設けられている。
ＬＥＤアレイ（５）に対して並列に接続されたバイパス回路（７）に、消灯時に導通するスイッチング素子（８）と、消灯時に流れる電流を制限する電流制限抵抗（R_Ｌ）が直列に接続され、定電流回路（６）は、電流を検出するプラス側入力端子（６Ｐ）を電流制限抵抗（R_Ｌ）を介して電流検出抵抗（R_Ｓ）のプラス側に接続すると共に、マイナス側入力端子（６Ｍ）をグランド（Ｇ）に接続した。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ制御したパルス電流を供給してＬＥＤを点滅するＬＥＤ発光装置であって、ＬＥＤ発光の精密で安定した制御が容易にでき、同期かつ複雑な制御も可能なＬＥＤ発光装置を提供すること。
【解決手段】 電源回路部３は、整流用ダイオードブリッジ１１により全波整流し、谷埋め回路部１３により全波整流波形を谷埋めし、電圧検出部３７はＬＥＤ回路部５への入力電圧又はＬＥＤ回路部の出力電圧の少なくとも一方の電圧を検出し、検出した電圧をＡＤ変換して数値化し、デジタル制御部（ＣＰＵ）１７はＰＷＭ制御のデューテイ比Ｄｕを下記式１により演算し、Ｄｕ=Ａ×Ｄｋ×（Ｖ_Ｏ／Ｖ_Ｌ）・・・式１
ＰＷＭ制御のデューテイ比Ｄｕに基づいてデジタル制御部１７がスイッチング素子１５をＯＮ、ＯＦＦすることにより、ＬＥＤを点滅する。 （もっと読む）

【課題】汎用でコスト的に有利な青色光励起型白色ＬＥＤを用い、素子破壊を防止しつつ、青色カラーフィルタを使用することなく、十分な伝送速度の可視光データ通信を行なう。
【解決手段】送信データに基づいて生成された駆動電流信号に基づいて青色光励起型白色ＬＥＤを駆動し、可視光信号を受信機に対して出力する際に、前記送信データの立ち上がり時に、パルス幅が前記送信データのユニットインターバルと等しい立ち上がりパルスを付加するとともに、前記送信データの立ち下がり時に、パルス幅が前記送信データのユニットインターバルと等しい立ち下がりパルスを付加して、多階調の駆動電流信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模の削減と低コスト化を図る。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、自己走査回路１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、自己走査回路１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路８０の出力信号をＲＬ微分回路９０−１，９０−２で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路８０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】発光サイリスタを駆動するための駆動回路の発振等を防止する。
【解決手段】オン／オフ指令信号ＤＲＶＯＮ−Ｎが“Ｌ”レベルの場合、ＣＭＯＳインバータ４２の出力側のデータ端子ＤＡが“Ｈ”レベルとなる。この結果、プリントヘッド１３側の共通端子ＩＮも“Ｈ”レベルとなり、各発光サイリスタ２１０のアノード・カソード間に電源電圧ＶＤＤが印加される。この際、発光サイリスタ２１０−１〜２１０−ｎの内、発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを、シフトレジスタ１１０によって選択的に“Ｌ”レベルとすることで、発光指令されているサイリスタ２１０がターンオンする。ＰＭＯＳ４３のソースにＶＤＤ電源が接続され、サブストレート端子に、ＶＤＤ電源よりも高いＶＤＤ５電源が接続されているので、ＰＭＯＳ４３の閾値電圧が増加し、駆動回路４１の発振を防止できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高く、かつ裏面１１ｂ側から主表面１１ａ側に向けてキャリア濃度が変化している。 （もっと読む）

【課題】赤色発光波長を有して単色性に優れ、植物育成用の照明に好適であり、ガスや水分による劣化が防止できる発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、樹脂容器６１の凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部６１ａの内側に設けられるとともに導体部と電気的に接続され、ｐｎ接合型の発光部を含む化合物半導体層を備えており、発光部が、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）からなる積層構造を有する発光素子３０と、発光素子３０から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１において当該発光素子３０を封止する、エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５の範囲とされた樹脂組成物からなる封止樹脂６５と、が備えられる。 （もっと読む）

【課題】発光領域が小さい光機能素子を低コストで提供する。
【解決手段】基板２上の透明薄膜４中に所定の間隔で所定の大きさの孔を配列したフォトニック結晶３１が形成され、フォトニック結晶導波路３０はこのフォトニック結晶の一部分に孔を形成しない領域を設けることによって形成されている。この導波路の下部に開口部が形成され、当該開口部が埋まるように窒化物半導体を基板上から透明薄膜の上側まで結晶成長させることによって発光素子１０が形成されている。 （もっと読む）