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Fターム[5F041AA03]の内容

発光ダイオード (162,814) | 目的 (29,379) | 光学的 (13,617) | 発光効率の向上 (3,846)

Fターム[5F041AA03]に分類される特許

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【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Inx1Ga1-x1N(0<x1≦1)の式で表わされる第1のバッファ層と、Inx2Ga1-x2N(0≦x2<1、x2<x1)の式で表わされる第2のバッファ層と、を有しており、第1のバッファ層のIn組成x1は変化し、第1のバッファ層の少なくとも1層のIn組成x1が、活性層のIn組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 紫外線発光素子の発する光を有効に取り出し、高い紫外線照射エネルギーを実現する光照射デバイスを提供する。
【解決手段】 基体10の貫通孔12に収容される発光素子20を備え、基体10は、第1貫通孔12aを有する第1基板10aと、第1基板10aの両面に配置された、対応する第1貫通孔12aよりも太い第2貫通孔12bを有する一対の第2基板10bと、第1電力供給回路40aおよび第2電力供給回路40bとを有しており、発光素子20は、ベース基板21と半導体層22と第1電極23および第2電極24とを有し、熱伝導性接着剤50を介して第1貫通孔12aの内壁に接着され、第1電力供給回路40aと第1電極23とが、および第2電力供給回路40bと第2電極24とがそれぞれ第1金属線15a、および第2金属線15bを介して接続されている光照射デバイスである。 (もっと読む)


【課題】接続される発光ダイオード素子を封止シートによって確実に封止することができながら、光反射性に優れる、素子接続用基板、その製造方法、および、発光効率に優れる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】素子接続用基板1は、発光ダイオード素子17が上に接続されるためのリードフレーム4であって、互いに隙間2を隔てて配置される複数のリード3を備えるリードフレーム4と、隙間2に充填される光反射性の第1絶縁樹脂部5とを備える。 (もっと読む)


【課題】 外部に取り出される光のグラデーションを良好にすることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置1であって、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲むとともに、内周面に複数の凹部pを有する枠体4と、枠体4の内周面に凹部pにそれぞれ嵌まるようにして設けられた、複数の反射部材5と、発光素子3および枠体4の内周面を覆うように枠体4上に支持された、発光素子3が発した光および反射部材5で反射された光を波長変換する波長変換部材6とを備えている。 (もっと読む)


【課題】低温で良好に薄膜形成でき且つホール注入効率の高いp型半導体層を有するpn接合素子を提供する。
【解決手段】
基板1の上に、ZnO層2が形成され、ZnO層2の上に、p型半導体層3及び電極層6が形成され、p型半導体層3の上に、NiO層4、電極層5が順に積層形成されてpn接合素子が形成されている。p型半導体層3は、NiOとMgOの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることによってNi1-xMgxO系材料で形成されている。電流を低下させることなくダイオード特性を得るためには、Ni1-xMgxOにおけるXの値は0.32≦x≦0.57の範囲にあることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で光の取り出し効率が高いLEDパッケージとその製造方法を提供する。
【解決手段】凹部が形成されたフレーム1と、上記凹部の底面2aの中心部に実装されたLED素子3と、上記凹部に充填され、開口面4を凹状の曲面形状に形成された、透明構造体5とを備えるLEDパッケージであって、透明構造体5の屈折率をn、透明構造体5の外部の屈折率n’(n’<n)とした場合、開口面の最大傾斜角度αmaxが、αmax≧45deg−sin−1(n’/n)>0を満たすLEDパッケージである。 (もっと読む)


【課題】点灯直後とその後の色度変化を低減することができ、長期使用で演色性が悪くなるのを防ぐことができ、さらに、発光効率の低下を避けることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、青色光を出射する青色LEDチップと、近紫外光を出射する近紫外LEDチップ203と、近紫外LEDチップ203の下面から出射される近紫外光で励起され、青色LEDチップの青色光に混合させる赤色光を出射する赤色蛍光体209と、近紫外LEDチップ203の上面から出射される近紫外光で励起され、青色LEDチップの青色光に混合させる緑色光を出射する緑色蛍光体210とを備えている。この青色LEDチップおよび近紫外LEDチップ203は共にGaNチップある。 (もっと読む)


【課題】 上方への光の漏れを防いで側方への発光を増すと共に、色度のバラツキを減少させる側面発光型発光装置を提供することにある。
【解決手段】 この側面発光型発光装置では、発光素子4を封止する封止樹脂7の上面全体に反射樹脂8を設けている。この反射樹脂8は、発光素子4に向かって頂点8aが突出する錐体をなす。これにより、発光素子4の真上には錐体の頂点からその底部までの反射樹脂8における最も厚い部分が、位置することになる。その結果、発光素子4の真上に向かう光は遮光に十分な厚みがある反射樹脂8で遮光することができる。 (もっと読む)


【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体1は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部11を備えた絶縁基体13と、該絶縁基体13の上面において、前記搭載部11を囲うように設けられた反射部材19とを有し、前記絶縁基体13および前記反射部材19のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 (もっと読む)


【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第2導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 (もっと読む)


【課題】 光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置1であって、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲むとともに、内部に複数の空隙部を有する多孔質枠体4と、多孔質枠体4で囲まれる領域に設けられた、多孔質枠体4の内周面および発光素子3を覆う被覆部材5aおよび被覆部材5a内に含有された複数の透光性部材5bを有する封止部材5と、を備え、多孔質枠体4は内周面に複数の凹部4pが設けられており、透光性部材5bは凹部4pに嵌まっている。 (もっと読む)


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